【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种集成化电场微传感器。
技术介绍
使用单个的EMOS管电场微传感器测试电场时，由于载流子迁移率以及掺杂半导体的载流子浓度都会受到温度的影响，因此测量结果会随温度的变化而变化，导致无法在实际环境温度下測量。为了解决温度漂移的方法，通常采用带有屏蔽结构的器件组成差分式或电桥的形式抑制温度漂移，屏蔽结构导致了传感器无法集成化，只能采用多个分立器件，体积大。因此亟待开发出新型的集成化电场微传感器，以解决目前利用EMOS管电场微传感器测试电场时所存在的温度漂移的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供ー种抑制温漂的集成化电场微传感器。本专利技术设计ー种集成化电场微传感器，其特征在于由两个耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管按串联方式组成，其沟道长度、沟道宽度、沟道载流子浓度都相同，沟道厚度各异，两个耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管由相同エ艺集成在同一芯片上。其特征在于第一耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管的源极接地电源地(vss)，第二耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管的漏极接电源(vdd)，第一耗尽型绝缘体上硅电...
【技术保护点】
一种集成化电场微传感器，其特征在于：由两个耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管按串联方式组成，其沟道长度、沟道宽度、沟道载流子浓度都相同，沟道厚度各异，两个耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管由相同工艺集成在同一芯片上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈新安，沈浩颋，
申请(专利权)人：上海谷昊电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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