一种硫化银量子点的制备方法技术

本发明专利技术的一种硫化银量子点的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。本发明专利技术主要阐述了一种全新的制备具有近红外荧光性质的硫化银(Ag2S)量子点的方法，通过使用短链的带有巯基的有机配体，在相对低温下，在非配位试剂中使用热注入的方法获得量子点，最后在丙酮或者乙醇中沉淀再分散到氯仿或己烷溶剂中。本发明专利技术制备的量子点在近红外区具有荧光性质，且有一定的量子效率、良好的单分散性和稳定性，粒子尺寸均一，不需要对粒子进行尺寸选择，操作简单成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体纳米材料制备的
涉及一种全新方法制备单分散性良好且具有近红外荧光性质的半导体量子点。
技术介绍
半导体材料从体相逐渐减小至一定临界尺寸(广20纳米)后，其载流子的波动性变得显著，运动将受限，导致动能的增加，相应的电子结构从体相连续的能级结构变成准分裂的不连续，这一现象称作量子尺寸效应 。比较常见的半导体纳米粒子即量子点主要有II-VI, III-V以及IV-VI族。这些种类的量子点都十分遵守量子尺寸效应，其性质随尺寸呈现规律性变化，例如吸收及发射波长随尺寸变化而变化。因此，半导体量子点在照明、显示器、激光器以及生物荧光标记等领域都有着十分重要的应用。最早的胶体量子点研究工作可追溯到1982年，Brus小组首次报道了水溶性半导体量子点的制备与光学性质。自此，一些小组相继开展了不同种类的半导体量子点的制备以及性质研究的工作。硫化银(Ag2S)作为典型的二元半导体，其带隙较窄，仅为I. IeV,与之相对应的具有近红外吸收荧光的性质，而且由于其本身的低毒性而在生物荧光标记方面有着较好的应用前景。但是，同常见的II-VI、III-V族或者IV-VI族量子点相比，合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硫化银量子点的制备方法，首先将醋酸银与长链羧酸加入到非配位性有机溶剂中，再注入短链巯醇，升温至60℃~80℃，其中，醋酸银、长链羧酸和短链巯醇的摩尔比为1∶0~5∶5，非配位性有机溶剂的用量为每mol醋酸银使用25L；抽真空充氮气或惰性气体保护，升温至95℃~120℃，注入浓度为0.5mol/L硫的十八烯溶液，使注入的硫与醋酸银的摩尔比为1∶2；保持温度95℃~120℃反应10~20分钟，得到Ag2S量子点；所述的非配位性有机溶剂是十四烯、十六烯或十八烯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：解仁国，李冬泽，杨文胜，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：