一种用于异质结太阳能电池薄膜沉积系统技术方案

本实用新型专利技术目的一种用于异质结太阳能电池薄膜沉积系统，包括依次设置的承载室、三个缓冲室、两个以上沉积室以及卸载室；其中，所述承载室和所述卸载室分别用于装载和卸载承载盘，所述缓冲室具隔离两种镀膜机制，且至少有一个具有承载盘加热机构；每个沉积室分别执行不同的膜层沉积；不同功能的腔室皆使用隔离门进行隔离，以实现不同的功能，本实用新型专利技术将缓冲室设置于不同薄膜沉积系中，使两种系统合而为一，降低设备设置成本，且因一次性完成两种薄膜的沉积，无需破除真空后再将承载盘载入另一套系统，大大节省生产时间，有效降低承载盘受环境的污染。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种用于异质结太阳能电池薄膜沉积系统，此类设备可广泛应用于任何需要于真空下进行加工的制程且加工需要一定时间的制程，例如太阳能硅片镀膜加エ。
技术介绍
用宽带隙的非晶硅作为窗ロ层或发射扱，单晶硅或多晶硅片作衬底，形成了非晶硅/晶体硅异质结太阳电池。它可以同时实现PN结和优异的表面钝化，并且所有エ艺可在低温(〈200°C)下完成，既减少了能耗，又能避免硅片在高温处理过程中可能产生的性能退化。由于这种电池既利用了薄膜制造エ艺优势同时又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，具有实现高效低成本硅太阳电池的发展前景。然而由于制程的原因，异质结太阳能 电池在制作时需要两种镀膜设备分别是等离子化学气相沉积系统沉积非晶硅薄膜及物理气相沉积系统溅射导电层。传统上是设置两套沉积系统来完成上述的薄膜沉积，通常是完成非晶硅薄膜沉积后，移载出系统，再进入溅射系统沉积导电层，此举不仅增加设备设置成本，且对晶体硅而言容易造成表面污染的问题。
技术实现思路
本技术主要目的系提供一种用于异质结太阳能电池薄膜沉积系统，来解决晶体硅表面污染及设备投入成本高的问题。为了达成上述技术目的，本技术的技术方案是提供一种用于异本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于异质结太阳能电池薄膜沉积系统，包括依次设置的承载室、三个缓冲室、两个以上沉积室以及卸载室；其中，所述承载室和所述卸载室分别用于装载和卸载承载盘，所述缓冲室具隔离两种镀膜机制，且至少有一个具有承载盘加热机构；每个沉积室分别执行不同的膜层沉积，以实现不同的功能。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周文彬，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：