荧光物质、发光装置、表面光源装置、显示装置和照明装置制造方法及图纸

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磷光体，更具体而言，本专利技术涉及具有高发光特性和优异的热稳定性和化学稳定性的β-赛隆磷光体，以及使用所述磷光体的发光装置、表面光源设备、显示设备和照明装置。
技术介绍
一般来说，波长转换磷光体材料被用于将来自各种光源的特定波长的光转换成所需波长的光。特别是，在各种光源中，发光二极管(LED)只需耗费较低的能量就能够被驱动并且具有优良的光效率，因此，其可以被有效地用于LCD背光源、车辆照明系统和家庭照明系统。近来，磷光体材料被认为是制备发射白光的装置(LED)的核心技术。 发射白光的装置总体上是利用黄色磷光体转换蓝色LED这样的方案来制备的。具体而言，可以通过下列方式来产生白光利用具有黄色YAG(Y3Al5O12) :Ce磷光体包覆具有GaN/InGaN活性层的蓝色LED的发光表面以将特定量的蓝光转换成黄光，使得经转换的黄光与未进行波长转换的蓝光可以组合，由此提供白光。根据相关技术，被设置成具有上述YAG = Ce磷光体(或TAG-型磷光体)-蓝色LED的发射白光的装置具有低显色性。也就是说，由于利用黄色磷光体而产生的白光的波长仅分布在蓝色和黄色中，因此显色性相对较低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.12 KR 10-2010-00136261.一种磷光体，该磷光体具有β -型Si3N4晶体结构，并且包含由经验式Si6_zAlz0zN8_z:Eua, Mb 表示的氧氮化物， M是选自锶(Sr)和钡(Ba)中的至少一者，铕(Eu)的量(a)在O. I摩尔％至5摩尔％范围内，M的量(b)在O. I摩尔％至10摩尔％范围内，并且铝(Al)的组成比率(z)满足O.l〈z〈l，并且 当激发光照射到所述磷光体上时，该磷光体发射峰值波长在500nm至550nm范围内的光。2.权利要求I所述的磷光体，其中所述激发光的峰值波长在300nm至480nm的范围内。3.权利要求2所述的磷光体，其中当所述磷光体被所述激发光照射时，所述磷光体发射的光的峰值波长为540nm或更小。4.权利要求I所述的磷光体，其中当将所述磷光体由于被激发光照射而发射的光表示成CIE 1931色坐标中的(X，y)值时，x和y分别满足x彡O. 336和y彡O. 637。5.权利要求I所述的磷光体，其中在由所述磷光体发射的光的CIE1931色坐标中，y的变化量为-O. 0065或更小；并且如果在3. 3V、120mA下驱动其中使用所述磷光体的蓝色发光二极管的条件下对最初发射的光进行测量，所述CIE 1931色坐标中的y的值为yl，并且在将上述驱动条件在85°C下连续进行24小时之后，对发射的光进行测量，所述CIE 1931色坐标中的I的值为y2,那么y的变化量定义为y2-yl。6.权利要求I所述的磷光体，其中M是锶(Sr)。7.权利要求6所述的磷光体，其中所述锶(Sr)的量(a)在O.5摩尔％至3摩尔％范围内。8.权利要求7所述的磷光体，其中所述锶(Sr)的量(a)在I摩尔％至I.5摩尔％范围内。9.权利要求I所述的磷光体，其中所述铝(Al)的组成比率(z)在O.I摩尔％至0.3摩尔％范围内。10.权利要求I所述的磷光体，其中所述铕(Eu)的量(b)在O.9摩尔％至3摩尔％范围内。11.权利要求I所述的磷光体，其中所述M既包含钡(Ba)又包含锶(Sr)。12.权利要求I所述的磷光体，其中所述磷光体的粉末的粒度中的D50值在14.5 μ m至18. 5 μ m范围内。13.权利要求I所述的磷光体，其中所述磷光体是活化剂并且还包含选自由锂(Li)、钠(Na)、钾⑷、镁(Mg)和钙(Ca)构成的组中的至少一种元素。14.一种制备氧氮化物磷光体的方法，所述磷光体具有型Si3N4晶体结构并且由经验式Si6_zAlz0zN8_z:Eua，Mb表示，M是选自锶(Sr)和钡(Ba)中的至少一者，铕(Eu)的量(a)在O. I摩尔％至5摩尔％范围内，M的量(b)在O. I摩尔％至10摩尔％范围内，铝(Al)的组成比率(z)满足O. l〈z〈l,所述方法包括 称量原料，所述原料含有含Si氧化物或含Si氮化物、含Al氧化物或含Al氮化物、含Eu化合物以及含M化合物； 除了所述含M化合物之外，将其他所述原料混合，从而制备初级混合物； 初次焙烧所述初级混合物并研磨经初次焙烧的所述混合物；将所述含M化合物与经研磨的所述混合物混合，从而制备二级混合物；以及 二次焙烧所述二级混合物并研磨经二次焙烧的所述混合物。15.权利要求14所述的方法，其中在1850°C至2300°C范围内的焙烧温度下进行所述初次焙烧工序，并且在低于所述初次焙烧工序的温度的温度下进行所述二次焙烧工序。16.权利要求14所述的方法，其中在氮气或氮气与氢气的混合物的气氛下进行所述初次焙烧工序和所述二次焙烧工序。17.权利要求14所述的方法，其中所述含M化合物是锶(Sr)。18.权利要求17所述的方法，其中所述锶(Sr)的量(a)在O.5摩尔％至3摩尔％的范围内。19.权利要求18所述的方法，其中所述锶(Sr)的量(a)在I摩尔％至I.5摩尔％的范围内。20.权利要求14所述的方法，其中所述铝的组成比率(z)在O.I摩尔％至0.3摩尔％范围内。21.权利要求14所述的方法，其中所述铕(Eu)的量(b)在O.9摩尔％至3摩尔％范围内。22.权利要求14所述的方法，其中所述含M化合物既含有含钡(Ba)化合物又含有含锶(Sr)化合物。23.权利要求14所述的方法，其中所述制备所述二级混合物的步骤包括与所述含M化合物一起添加含有选自由Li、Na、K、Mg和Ca构成的组中的至少一种元素的化合物作为活化剂。24.一种发射白光的装置，包括 发光二极管(LED)芯片，其发射激发光； 绿色磷光体，其设置在所述LED芯片周围以使至少一部分所述激发光发生波长转换，并且包含根据权利要求I至13中任一项所述的磷光体；以及 至少一个发光元件，其发射的光的波长与所述LED芯片的波长和所述绿色磷光体的波长不同，所述至少一个发光元件是另外的LED芯片和不同类型的磷光体中的至少一者。25.权利要求24所述的装置，其中所述LED芯片是发射紫外光的LED芯片，或者是发射峰值波长为470nm或更大的可见光的LED芯片。26.权利要求24所述的装置，其中所述LED芯片是峰值波长在430nm至470nm范围内的蓝色LED芯片，并且所述至少一个发光元件包括红色磷光体。27.权利要求26所述的装置,其中所述红色磷光体的发光峰值波长在600nm至660nm的范围内，并且所述绿色磷光体的发光峰值...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹畅繁，元炯植，尹喆洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：
国别省市：