用于通过激光能量照射半导体材料表面的方法及装置制造方法及图纸

技术编号:8133331 阅读:167 留言:0更新日期:2012-12-27 07:31
本发明专利技术涉及一种用于对半导体材料进行照射的装置,该装置包括:一个激光器,该激光器产生一个主激光束;一个光学系统;以及一种用于为该主激光束确定形状的装置,该确定形状的装置包括多个孔径,这些孔径用于将该主激光束的形状确定为多个次级激光束;其特征在于,这些单独的孔径的形状和/或大小对应于一个有待照射的半导体材料层的一个公共区域的形状和/或大小,并且其特征在于该光学系统被适配成用于叠加这些次级激光束以便对所述公共区域进行照射。另外,本发明专利技术涉及此类装置在制造半导体器件中的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种借助激光器对半导体材料表面进行照射的方法。进ー步地,本专利技术涉及ー种用于对半导体材料表面进行照射的激光器装置。
技术介绍
对于诸如非晶硅的热退火以便得到再结晶以及掺杂物活化的应用而言,半导体材料表面的激光照射是众所周知的。通过能够进行非常快速的热处理和浅的加热区域深度,这种技术提供了优于传统性加热处理的显著优点。因为激光光点的形状和/或大小通常与有待照射的区域的形状和/或大小不相配,现有技术提供了几种手段来用于将激光的形状确定为使得半导体材料层的具有特定的大小及形状的ー个区域或者多个此类分离开的区域的ー个图案能够接受照射。例如,如 US2003199176中所说明的一种广为人知的技术利用阴影掩模来为该激光光点确定形状。此类阴影掩模可具有多个孔径。因为该激光光点的大小是远小于ー个管芯(也称为芯片或器件)的大小,这是由于该照射过程所要求的高能量密度以及传统上可获得的激光源的低能量输出,所以使用传统的阴影掩模技术的第一个缺点是当必需对ー个完整的管芯或者一个管芯内的较大图案进行照射时,激光光点不得不跨过或者扫描该管芯或该图案以便对其完全地进行照射。这可能会导致处理速度下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.26 EP 10290098.21.一种用于对半导体材料进行照射的装置,该照射装置包括 一个激光器,该激光器产生ー个主激光束; ー个光学系统; 以及ー种用于为该主激光束确定形状的装置,该确定形状的装置包括多个孔径,这些孔径用于将该主激光束的形状确定成多个次级激光束; 其特征在于这些単独的孔径的形状和/或大小对应于一个有待照射的半导体材料层的ー个公共区域的形状和/或大小,并且其特征在于该光学系统被适配成用于叠加这些次级激光束以便对所述公共区域进行照射。2.根据权利要求I所述的装置,其中这些孔径的形状和大小是使得这些次级激光束的光点形状和光点大小与所述有待照射的区域的形状和大小相匹配。3.根据权利要求I或2所述的装置,其中该光学系统包括一个微透镜阵列(ML2)以及ー个球面透镜,其中这些微透镜中的每ー个对应于该多个孔径之一。4.根据权利要求3所述的装置,其中该光学系统另外还包括ー个第二微透镜阵列(MLl ),其中这些微透镜中的每ー个对...

【专利技术属性】
技术研发人员:埃尔韦·贝斯奥塞勒布鲁诺·戈达德西里尔·迪唐
申请(专利权)人:爱克西可法国公司
类型:
国别省市:

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