【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体,特别是一种用于紫外深紫外的分子式为Ba2Mg(B3O6)2的硼酸钡镁(简称BMB0)双折射晶体及制备和用途。
技术介绍
一束入射到各向异性介质中的光经折射后变为两束光,称为双折射。折射后的两束光都是线偏振光且振动方向互相垂直,一束遵循折射定律,称为寻■常光(0光),另一束不遵循折射定律,称为非常光(e光)。由于晶体材料各向异性,这两束折射光线的夹角大小与光波的传播方向以及偏振状态有夫。产生双折射现象的晶体可分为单轴晶体和双轴晶体,称为单轴晶体的材料属于三、四或六方晶系,称为双轴晶体的材料属于三斜、单斜或正交晶系,方便使用的双折射材料是单轴晶体。晶体的双折射是光电功能材料的重要光学性能參数,双折射晶体材料在光学和通讯领域有重要应用,广泛用于制作偏振起偏棱镜和偏振分束棱镜等。常用的双折射材料主要有MgF2晶体,石英晶体,YVO4晶体,方解石(CaCO3)晶体等,以及近年报道的 a -BBO 晶体,Ca3 (BO3)2 晶体和 ReBa3B9O18 (Re = Y、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Er、Dy、Ho、 ...
【技术保护点】
一种可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体,其化学式是Ba2Mg(B3O6)2。
【技术特征摘要】
1.ー种可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体,其化学式是Ba2Mg(B306) 2。2.按权利要求I所述的可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体,其特征在于,所述可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体属三方晶系,空间群是R-3,其中a = 0. 70528 (3)nm,c = I. 65520 (9)nm ;Z = 12。该硼酸钡镁双折射晶体为负单轴晶体,ne < n。,透过范围是177-3000nm ;双折射率在0. 077-0. 229之间;易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存,在空气中稳定,不易潮解。3.—种权利要求I所述的可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体的生长方法,其采用自熔体自发结晶法、熔体提拉法或助熔剂法生长晶体。4.按权利要求3所述的可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体的生长方法,其特征在于,所述的自熔体自发结晶法生长晶体的步骤如下 将含钡化合物、含镁化合物和含硼化合物按其中钡镁硼的摩尔比=2 : I : 6的比例混合研磨,装入钼坩埚中,加热至熔融态得混合熔体,搅拌24-48小时,通过下尝试籽晶确定上述混合熔体的饱和点温度,将温度升至饱和点温度以上2-20°C,将没有绑籽晶的籽晶杆放入熔体中,然后以0. 05-5°C /小时的速率降温,使其自发结晶,待结晶后,在降温速率为0. 05-5 °C /天条件下生长晶体;待晶体长到厘米级尺寸时,将晶体提离液面,并以2-100°C /h的速率降至室温,得到硼酸钡镁双折射晶体。5.按权利要求3所述的可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体的生长方法,其特征在于,所述的熔体提拉法生长晶体的步骤如下 将含钡化合物、含镁化合物和含硼化合物按其中钡镁硼的摩尔比=2:1:6的比例混合研磨,装入钼坩埚中,加热至熔融态得混合熔体,搅拌24-48小吋,通过下尝试籽晶确定上述混合熔体的饱和点温度;将温度升至饱和点温度以上2-20°C吋,将籽晶杆末端装有籽晶的籽晶杆放入接触混合熔体表面或者使其伸入到混合熔体内;下籽晶后0-60分钟,将温度降至饱和点温度,同时以0-100转/分的旋转速率旋转籽晶杆,然后以0. 05-50C /天的速率降温,以0...
【专利技术属性】
技术研发人员:李如康,马营营,
申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所,
类型:发明
国别省市:
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