【技术实现步骤摘要】
本技术涉及检测
，特别涉及ー种用于晶片表面薄膜厚度测量的载样定位装置。
技术介绍
半导体衬底晶片的加工通常需要达到开盒即用^pi-ready)的状态，衬底晶片的表面状态，尤其是表面氧化层厚度对外延生长有重要影响。检测衬底晶 片(如锗、硅、神化镓、磷化铟等)表面薄膜厚度的常用仪器是椭偏仪。其原理是利用偏振光束在界面或薄膜上的反射或透射时出现的偏振变换，如图所示。起偏器产生的线偏振光经取向一定的1/4波片后成为特殊的椭圆偏振光，把它投射到待测样品表面时，只要起偏器取适当的透光方向，被待测样品表面反射出来的将是线偏振光。根据偏振光在反射前后的偏振状态变化(包括振幅和相位的变化)，便可以确定样品表面的许多光学特性(如薄膜的厚度、折射率等)。检测时，样品的放置要使得检测面所处的平面垂直于由入射光轴和反射光轴所形成的入射面，并通过ニ光轴的交点。通常把垂直于由入射光轴和反射光轴所形成的入射面、并通过ニ光轴的交点的平面称为參考面。检测时，必须满足检测面与參考面重合，此时也满足了系统的入射角等于反射角。当利用椭偏系统对不同尺寸晶片的表面薄膜厚度进行测量时，把晶片轻放在样品台...
【技术保护点】
一种载样定位装置，包括工作台(4)，其特征在于，还包括导轨(1)，所述导轨水平设置于工作台(4)上，在所述导轨(1)上或工作台(4)与导轨(1)相邻的边缘上沿导轨(1)方向标记有长度刻度线；样品台(2)，所述样品台(2)与导轨(1)滑动连接，可沿导轨方向左右移动；圆盘(3)，所述圆盘(3)位于样品台(2)上，通过一转轴与样品台(2)相连接，所述圆盘(3)可在样品台(2)上转动，所述圆盘(3)外的样品台(2)上标记有围绕圆盘(3)的角度刻度线。
【技术特征摘要】
1.一种载样定位装置，包括工作台(4)，其特征在于，还包括导轨(I)，所述导轨水平设置于工作台(4)上，在所述导轨(I)上或工作台(4)与导轨(I)相邻的边缘上沿导轨(I)方向标记有长度刻度线； 样品台(2)，所述样品台(2)与导轨(I)滑动连接，可沿导轨方向左右移动； 圆盘(3)，所述圆盘(3)位于样品台(2)上，通过一转轴与样品台(2)相连接，所述圆盘⑶可在样品台⑵上转动，所述圆盘⑶外的样品台⑵上标记有围绕圆盘⑶的角度刻度线。2.根据权利要求I所述的载样定位装置，其特征在于，所述导轨(I)由平行的导轨A和导轨B组成，所述样品台⑵两侧具有分别与导轨A和导轨B相配合的滑槽。3.根据权利要求I或2所述的载样定位装置，其特征在于，在所述导轨(I)的中间位置或所述工作台(4)与导轨(I)相邻...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂勇，任殿胜，刘文森，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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