【技术实现步骤摘要】
本技术涉及压力支撑领域,尤其是涉及ー种定位气体压カ支撑装置。
技术介绍
ITOdndium Tin Oxides,铟锡氧化物)是铟锡氧化物的英文縮写,它是ー种透明的导电体,通常厚度只有几千埃,在所有在透明导电体中,其具有特别优良的性能高的可见光透过率,高的红外反射率,良好的机械强度和化学稳定性,用酸溶液等湿法刻蚀エ艺能很容易形成一定的电极图极,制备相对比较容易等,这使它广泛用于各种电子及光电子器件,如手机和电脑等平板显示领域。因此,对ITO薄膜玻璃的表面质量要求非常高。20世纪90年代初,随着IXD器件的飞速发展,对ITO薄膜产品的需求量也是急剧 的増加,国内部分厂家纷纷开始从国外引进一系列整厂ITO镀膜生产线,但由于进ロ设备的价格昂贵,技术服务不方便等因素,使许多厂商还是望而却歩。80年代末,中国诞生了第一条TN-IXD用ITO连续镀膜生产线。90年代中期,随着国内LCD产业的发展,对ITO产品的需求量増大的同时,对产品的质量有了新的要求,因此出现了第二代ITO镀膜生产线。99年,有效的解决了射频磁控溅射沉积Si02薄膜的沉积速率慢影响生产线的产能和设备的利用 ...
【技术保护点】
一种高度定位气体压力支撑装置,其特征在于,包括:由若干定位高度气体压力柱组成的定位高度气体压力柱阵列,所述定位高度气体压力柱包括球体和柱体;内部设有通气管道和联通管道的基座,所述定位高度气体压力柱阵列与所述基座内设的所述联通管道相联。
【技术特征摘要】
1.ー种高度定位气体压カ支撑装置,其特征在于,包括 由若干定位高度气体压力柱组成的定位高度气体压カ柱阵列,所述定位高度气体压力柱包括球体和柱体; 内部设有通气管道和联通管道的基座,所述定位高度气体压力柱阵列与所述基座内设的所述联通管道相联。2.根据权利要求I所述的高度定位气体压カ支撑装置,其特征在于,所述所述定位高度气体压力柱阵列可以以相同规则进行排布。3.根据权利要求I所述的高度定位气体压カ支撑装置,其特征在于,所述所述定位高度气体压力柱阵列可以以错位规则进行排布。4.根据权利要求I所述的高度定位气体压カ支撑装置,其特征在于,所述柱体上部设有球冠腔室、内部设有贯通通孔、中部设有...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏志凌,宁军,高永强,
申请(专利权)人:昆山思拓机器有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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