本实用新型专利技术公开了一种高度定位气体压力支撑装置,包括:由规则排列的定位高度气体压力柱组成的定位高度气体压力柱阵列,定位高度气体压力柱包括球体和上部设有球冠腔室、内部设有贯通通孔、中部设有定位凸台、凸台下部有凹槽及下部有螺纹的柱体;内部设有规则通气管道的基座。根据本实用新型专利技术定位高度气体压力支撑机构,输入气体通过基座通气管道,经定位高度气体压力柱内设的贯通通孔输入球冠腔室内,使所述球体浮起,向外传递压力;且球体可任意方向转动,使球体和工件之间的摩擦为滚动摩擦,可降低了接触工件出现位移时由摩擦造成的损伤,同时可以提供精确设定压力;同时,由于定位凸台和凹槽的存在,使压力柱可以精确的保证在所联接平台上的高度。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及压力支撑领域,尤其是涉及ー种定位气体压カ支撑装置。
技术介绍
ITOdndium Tin Oxides,铟锡氧化物)是铟锡氧化物的英文縮写,它是ー种透明的导电体,通常厚度只有几千埃,在所有在透明导电体中,其具有特别优良的性能高的可见光透过率,高的红外反射率,良好的机械强度和化学稳定性,用酸溶液等湿法刻蚀エ艺能很容易形成一定的电极图极,制备相对比较容易等,这使它广泛用于各种电子及光电子器件,如手机和电脑等平板显示领域。因此,对ITO薄膜玻璃的表面质量要求非常高。20世纪90年代初,随着IXD器件的飞速发展,对ITO薄膜产品的需求量也是急剧 的増加,国内部分厂家纷纷开始从国外引进一系列整厂ITO镀膜生产线,但由于进ロ设备的价格昂贵,技术服务不方便等因素,使许多厂商还是望而却歩。80年代末,中国诞生了第一条TN-IXD用ITO连续镀膜生产线。90年代中期,随着国内LCD产业的发展,对ITO产品的需求量増大的同时,对产品的质量有了新的要求,因此出现了第二代ITO镀膜生产线。99年,有效的解决了射频磁控溅射沉积Si02薄膜的沉积速率慢影响生产线的产能和设备的利用率等一系列问题,同时出现了第三代大型高档ITO薄膜生产线。随着反射式IXD,增透式IXD、LC0S图影机背投电视等显示器件的发展,对ITO薄膜产品提出了更高的要求,Si02/IT0两层膜结构的ITO薄膜材料满足不了使用的需要,而比须采用多层复合膜系已达到产品的高反射性、或高透过率等光学性能要求。积累多年的设计开发经验,国内生产企业推出了第四代大型多层薄膜生产线。该生产线由15个真空室组成,采用全分子泵无油真空系统、使用了 RF/MF/DC三种磁控溅射エ艺、通过PEM/PCV进行エ艺气体的控制。该生产线具有连续沉积五层薄膜的能力。随着PDA、电子书等触摸式输入电子产品的悄然兴起,相应材料的制成设备也应运而生。由于触摸式产品工作原理的特殊性,其所需的ITO薄膜必须是在柔性材料(PET)上制成的,薄膜的沉积温度不能太高(小于120°C),同时要求ITO膜层较薄、面电阻高而且均匀,所以对ITO薄膜的沉积エ艺提出了严格的要求。随着对ITO薄膜制作エ艺要求的进ー步苛刻,对ITO薄膜制品在加工、处理、运输过程中,有着更加严格的要求。早期的ITO膜玻璃均为单面镀膜,随着iphone手机等设备的出现越来越多地采用双面ITO膜玻璃。在ITO薄膜玻璃制备、加工领域中,使用的支撑机构大多比较粗糙,很多直接使用支撑平台,不仅增大轻薄的ITO薄膜玻璃与平台的接触面,容易沾上较多的灰尘,而且也容易在ITO薄膜玻璃与支撑平台发生相对位移吋,发生摩擦,造成ITO薄膜玻璃表面划伤,同时在取放时也不是非常方便。鉴于此,在降低轻薄ITO薄膜制品与接触面之间的多少和摩擦,以减少可能造成的表面污染和可能发生的相对移动时造成的损伤,成为ー种理想的选择;同时,在ITO膜玻璃加工过程中,支撑装置的平面度也相当重要,在采取阵列支撑装置同时进行加工时,如果平面度不够精准,很容易造成表面加工损伤,因此ー种在达到減少表面污染和因滑动造成损伤的同时,需要保证支撑阵列高度的精确一致。
技术实现思路
本技术g在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术的ー个目的在于提出ー种高度定位气体压カ支撑装置,所述高度定位气体压カ支撑装置可降低接触件之间的摩擦力,降低两者之间的磨损,同时可提供任意方向的转动,允许球体与接触件任意方向都可以存在位移,并且可以提供精确的预定压力,同时,可以保证当气体压力柱阵列联接平台上时,柱体顶端形成的平面具有精确的平面度。·根据本技术实施例的ー种高度定位气体压カ支撑装置,包括由若干定位高度气体压力柱组成的定位高度气体压カ柱阵列,所述定位高度气体压力柱包括球体和柱体;内部设有规则通气管道的基座,所述定位高度气体压力柱阵列与所述基座相联。根据本技术实施例的高度定位气体压カ支撑装置,当高度定位气体压力柱通过柱体下部螺纹联接在基座内设的联通管道,输入的气体由经基座内设的输气管道经柱体内设的贯通通孔输入柱体上部的球冠腔室,对置于柱体上部球冠腔室的球体施加压力,使球体上浮,向外传递压力,在球体上浮的同时将高度定位气体压力柱的腔室与外部封闭,能够精确的对外传递支撑力;同时,球体可以进行任意方向转动,可降低球体与和球体相接触的接触件之间存在的摩擦力,大大降低了和球体相接触的接触件的磨损;同时,由于中部定位凸台和凸台下部的凹槽的存在,可以精确的与相联接的基座上表面进行贴合,可以保证高度定位气体压力柱顶端形成平面的精确平面度,由此可以保证放置其上的轻薄エ件能够保证精确的平面度。其中可选地,所述所述高度定位气体压力柱阵列可以以相同规则进行排布。可选地,所述所述高度定位气体压力柱阵列可以以错位规则进行排布。另外,根据本技术的高度定位气体压カ支撑装置还具有如下附加技术特征所述柱体上部设有球冠腔室、内部设有贯通通孔、中部设有定位凸台、定位凸台下部有凹槽且下部有螺纹;所述球体设置在所述球冠腔室内。所述球冠腔室的底面圆直径小于所述球体直径。所述球冠腔室的直径大于所述球体直径。所述球冠腔室的底面圆边缘为光滑过渡曲面。由于柱体中部设有定位凸台且定位凸台下部有凹槽,可以使柱体与基座相联后,高度定位气体压力柱阵列形成的空间平面具有精确的平面度,而柱体下部设有螺纹,可以使安装拆卸变得更加方便;同吋,由于球冠腔室高大于球冠腔室半径且球冠腔室底面圆小于球体直径,所以球体可以安装在球冠腔室内且不易脱落;及所述球冠腔室的底面圆边缘为光滑过渡曲面,可以使球体与球冠腔室之间的摩擦变得更小。所述高度定位气体压カ支撑装置还包括密闭件。优选地,所述密闭件为橡胶件。所述高度定位气体压カ支撑装置还包括气体输入装置。由于密闭件的存在保证了基座内部气体的气密性,气体输入装置可以提供精确的设定压力。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中图I为根据本技术一个实施例的高度定位气体压カ支撑装置的三维示意图;图2是图I所示的高度定位气体压カ支撑装置的正面剖视图;图3为根据本技术一个实施例的定位高度气体压力柱阵列以相同规则排布的不意图;图4为根据本技术一个实施例的定位高度气体压力柱阵列以错位规则排布 的不意图;图5为根据本技术一个实施例的基座的不意图及俯视图;图6是图5中所示的基座通气管道的剖面图;图7为根据本技术一个实施例的定位高度气体压力柱的示意图及剖面图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过參考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本技术,而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中,需要理解的是,术语“上部”、“下部”、“内部”、“外部”、“前”、“后”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高度定位气体压力支撑装置,其特征在于,包括:由若干定位高度气体压力柱组成的定位高度气体压力柱阵列,所述定位高度气体压力柱包括球体和柱体;内部设有通气管道和联通管道的基座,所述定位高度气体压力柱阵列与所述基座内设的所述联通管道相联。
【技术特征摘要】
1.ー种高度定位气体压カ支撑装置,其特征在于,包括 由若干定位高度气体压力柱组成的定位高度气体压カ柱阵列,所述定位高度气体压力柱包括球体和柱体; 内部设有通气管道和联通管道的基座,所述定位高度气体压力柱阵列与所述基座内设的所述联通管道相联。2.根据权利要求I所述的高度定位气体压カ支撑装置,其特征在于,所述所述定位高度气体压力柱阵列可以以相同规则进行排布。3.根据权利要求I所述的高度定位气体压カ支撑装置,其特征在于,所述所述定位高度气体压力柱阵列可以以错位规则进行排布。4.根据权利要求I所述的高度定位气体压カ支撑装置,其特征在于,所述柱体上部设有球冠腔室、内部设有贯通通孔、中部设有...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏志凌,宁军,高永强,
申请(专利权)人:昆山思拓机器有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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