一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃制造技术

本实用新型专利技术涉及一种镀膜玻璃，尤其是一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃，其包括基片玻璃，所述基片玻璃为浮法玻璃，其不同之处为：自基片玻璃向外依次设置有第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层，第一电介质层为Si3N4电介质层，第二电介质层为ZnAlOX，第一保护层、第二保护层均为NiCrOX，第三电介质层为TiOX，第四电介质层为Si3N4介质层，第一电介质层的膜层厚度为22nm～28nm，第二电介质层的膜层厚度为13nm～17nm。本实用新型专利技术提供一种质量可靠，具有加强型效果的可异地加工加强型高透单银低辐射镀膜玻璃，其透过率在79%以上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种镀膜玻璃，尤其是一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃。
技术介绍
现有技术中生产高透低辐射镀膜玻璃，生产难度较大，且只能采用先钢化后镀膜的生产方式，不能承受长途运输，易损坏。
技术实现思路
为解决以上技术问题，本技术提供一种质量可靠，具有加强型效果的可异地 加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃，其透过率在79%以上。为实现以上专利技术目的，本技术的技术方案为一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃，其包括基片玻璃，所述基片玻璃为浮法玻璃，其不同之处为自基片玻璃向外依次设置有第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层，第一电介质层为Si3N4电介质层,第二电介质层为ZnAlOx,第一保护层、第二保护层均为NiCrOx,第三电介质层为TiOx,第四电介质层为Si3N4介质层,第一电介质层的膜层厚度为22nm 28nm,第二电介质层的膜层厚度为13nm 17nm,第一保护层的膜层厚度为O. 8nm I. 2nm, Ag层的膜层厚度为IOnm 13nm,第二保护层的膜层厚度为O. 8nm I. 2nm,第三电介质层的膜层厚度为74n本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃，所用基片玻璃为浮法玻璃，其特征在于：自基片玻璃向外依次包括第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层，第一电介质层为Si3N4电介质层，第二电介质层为ZnAlOX，第一保护层、第二保护层均为NiCrOX，第三电介质层为TiOX，第四电介质层为Si3N4介质层，第一电介质层的膜层厚度为22nm～28nm，第二电介质层的膜层厚度为13nm～17nm，第一保护层的膜层厚度为0.8nm～1.2nm，Ag层的膜层厚度为10nm～13nm，第二保护层的膜层厚度为0.8nm～1.2nm，第三电介质层的膜层厚度为74nm～...

【技术特征摘要】
1.一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃，所用基片玻璃为浮法玻璃，其特征在于自基片玻璃向外依次包括第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层，第一电介质层为Si3N4电介质层,第二电介质层为ZnAlOx，第一保护层、第二保护层均为NiCrOx，第三电介质层为TiOx，第四电介质层为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂荣，陈德成，陈飞，陈飞，杨真理，李蕾，
申请(专利权)人：武汉长利玻璃汉南有限公司，
类型：实用新型
国别省市：