【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用沉积装置例如原子层沉积装置或化学气相沉积装置在表面沉积层，例如原子层或化学气相沉积层的方法，本专利技术还涉及一种包括用于在基板表面进行层沉积例如原子层沉积或化学气相沉积的沉积装置，本专利技术进一步涉及一种用于生产发光二级管或中型电子装置的方法。
技术介绍
原子层沉积为已知的一种用于沉积单层靶材料的方法。而化学气相沉积为已知的一种用于沉积厚层靶材料的方法。原子层沉积与化学气相沉积的区别在于原子层沉积至少进行两个工艺步骤，其中第一个工艺步骤包括在基板表面施用前体气体；第二个工艺步骤包括前体材料发生反应以形成单层靶材料。原子层沉积的优点在于能够进行较好的层厚度控制。因此已知的方法和设备用于相同原子层的毯式沉积，当需要沉积较厚层时，可以使用利用化学气相沉积的毯式沉积。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在基板表面沉积层，例如原子层或化学气相沉积层的改进方法。为实现上述目的，本专利技术提供一种利用沉积装置，例如原子层沉积装置或化学气相沉积装置在基板表面沉积层，例如原子层或化学气相沉积层的方法，所述沉积装置包括设置有前体供应部和前体排出部的沉积腔...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.25 EP 10154753.71.ー种利用沉积装置在基板的表面上沉积层的方法，所述沉积装置包括设置有前体供应部和前体排出部的沉积腔，所述沉积腔在使用时由所述沉积装置及基板表面定界，所述方法包括将来自所述前体供应部的前体气体注入所述沉积腔以接触所述基板表面，将注入的所述前体气体的一部分从所述沉积腔中排出，并沿着所述基板表面的平面使所述沉积腔和所述基板彼此相对定位；所述方法进ー步包括提供第一电极和第二电极，使所述第ー电极与所述基板彼此相对定位，并通过在所述第一电极与所述第二电极之间产生高压差而在所述基板附近产生等离子体放电以接触所述基板，其中所述方法包括在时间和/位置上选择性产生等离子体放电，以利用等离子体在所述基板表面形成图案，从而使所述前体气体接触的所述基板的一部分与所述等离子体接触的所述基板的一部分选择性重叠，所述方法进ー步包括利用设备的载气注射器在所述设备和所述基板表面之间注入载气而形成气体承载层。2.根据权利要求I所述的方法，其中，在所述基板上沉积层之前，在所述基板上形成图案，从而使所述层沉积在已形成图案的基板上。3.根据权利要求I所述的方法，其中，在所述基板附近产生等离子体放电之前，将来自所述前体供应部的所述前体气体注入所述沉积腔以接触所述基板表面，从而使所述等离子体与所述基板上存在的前体气体材料反应，以在所述基板上形成所述层或去除所述基板上存在的所述前体气体材料。4.根据权利要求I所述的方法，其中，将来自所述前体供应部的前体气体注入所述沉积腔以接触所述基板表面与在所述基板附近产生等离子体放电同时进行。5.根据权利要求I 4中任一项所述的方法，其中，所述方法包括通过在第一位置使所述第一电极相对于所述第二电极定位而选择性产生等离子体放电，其中，在所述第一位置，所述第一电极与所述第二电极之间的距离小至足以支持高压差下的等离子体放电；以及通过在第二位置使所述第一电极相对于所述第二电极定位而选择性熄灭所述等离子体放电，其中，在所述第二位置，所述第一电极与所述第二电极之间的距离大至足以阻止高压差下的等离子体放电。6.根据权利要求5所述的方法，所述方法包括当所述第一电极移动到所述第一位置吋，将所述第一电极朝着靠近所述第二电极的方向移动；当所述第ー电极移动到所述第二位置吋，将所述第一电极朝着远离所述第二电极的方向移动。7.根据权利要求I 6中任一项所述的方法，其中，所述方法包括沿着所述基板表面同步定位所述第一电极和所述第二电极。8.根据权利要求I 7中任一项所述的方法，其中，所述方法包括提供气体以在气体中形成靠近所述第一电极和/或所述基板的等离子体，和/或包括将气体从所述第一电极和/或所述基板中排出。9.一种设备，包括用于在基板的表面进行层沉积例如原子层沉积或化学气相沉积的沉积装置，所述沉积装置包括前体供应部、前体排出部及...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔，雨果·安东·玛丽·德翰，
申请(专利权)人：荷兰应用自然科学研究组织TNO，视觉动力控股有限公司，
类型：
国别省市：
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