涂料组合物及其用途制造技术

本发明专利技术涉及涂料组合物及其用途。本发明专利技术提供一种涂料组合物，包含(a)一氧化铝前体以及(b)一溶剂。该(a)氧化铝前体包含铝元素及与该铝元素键合的如下基团：(a1)一具通式-OR1的基团，其中R1为H或经取代或未经取代的C1至C13烷基；(a2)一双齿螯合基团；以及(a3)一四配位基团，其中，以该组合物的总重量计，该(a)氧化铝前体的浓度为约1重量%至约50重量%，且以1摩尔铝元素计，基团(a1)、(a2)及(a3)的摩尔数总和为≤3。本发明专利技术的涂料组合物可用于半导体制造工艺中制备钝化层。本发明专利技术还提供使用该涂料组合物形成的复合材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及涂料组合物，可用于半导体制造工艺中，尤其是硅晶太阳能电池制造工艺，其可涂覆于基材上，使基材表面形成一钝化层(passivation layer),进而减少电子与空穴对再结合的几率，提高光电转化效率。
技术介绍
随着科技与经济的快速发展，能源的需求也大幅度的增加。现今使用量最大的石油、天然气、煤等原料的存量不断减少，因此必须仰赖其它新兴能源来满足日益增加的能源需求。太阳能因具有低污染性及容易取得等优点，为目前最被看好且最重要的新兴能源来源之一。图I为典型太阳能电池的示意图，其中于一 P型硅半导体基材I上以掺杂的方式形成一 η型掺杂层2,随后于η型掺杂层2上形成一抗反射层3 (如氮化娃)与电极4,并于 P型硅半导体基材I的另一侧形成背电极5。其中，硅半导体基材I与掺杂层2的导电型态可互相交换，即也可为η型硅半导体基材与P型掺杂层的组合。当光照射在硅基材上P型硅半导体基材I及η型掺杂层2之间所形成的内部电场，硅原子的电子受激发产生“光生电子与空穴对(light-generated electron-hole pairs)”,电子与空穴对因为电场作用而使电池内的电荷往两端集中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种涂料组合物，其包含：(a)一氧化铝前体，其包含铝元素及与铝元素键合的如下基团：(a1)一具通式？OR1的基团，其中R1为H或经取代或未经取代的C1至C13烷基；(a2)一双齿螯合基团；及(a3)一四配位基团；以及(b)一溶剂，其中，以该组合物的总重量计，该(a)氧化铝前体的含量为约1重量%至约50重量%，且以1摩尔铝元素计，基团(a1)、(a2)及(a3)的摩尔数总和≤3。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：方福全，陈嘉弘，洪瑞意，温清章，
申请(专利权)人：长兴化学工业股份有限公司，长阳开发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：