9,9-二辛基硅芴与氟代喹喔啉的共轭聚合物制造技术

技术编号:8102102 阅读:305 留言:0更新日期:2012-12-20 04:44
本发明专利技术属功能高分子材料领域,公开了一种9,9-二辛基硅芴与氟代喹喔啉的共轭聚合物,其化学通式如下式所示:该聚合物通过双溴代的氟代喹喔啉,与9,9-二辛基硅芴的硼酸酯进行Suzuki偶联反应制备,用于聚合物本体异质结光伏电池的电子给体材料。本发明专利技术在缺电单元喹喔啉上引入了强的吸电子基团氟原子,可以有效降低材料的HOMO能级,从而提升聚合物光伏电池的开路电压。通过循环伏安特性测试,与未氟代喹喔啉-硅芴聚合物进行比较,单氟聚合物的HOMO能级较未氟代的低0.02~0.2eV,双氟代聚合物的HOMO能级较未氟代的低0.05~0.3eV。上述氟代材料与PCBM共混应用于本体异质结聚合物太阳能电池光活性层中,器件的开路电压在0.6~1.0V。

【技术实现步骤摘要】
,-二辛基硅芴与氟代喹喔啉的共轭聚合物的制作方法
本专利技术属于功能高分子领域,具体涉及一种,-二辛基硅芴与氟代喹喔啉的共轭聚合物。
技术介绍
能源作为经济发展的支柱,仅靠煤,石油为代表的化石能源已不是长久之计。太阳能作为一种绿色可再生能源被誉为未来能源的主力军,如何开发利用太阳能成为当前国际研究的热点。聚合物太阳能电池作为一种将太阳能转化为电能的光电器件,其制备过程简单、成本低、重量轻和可制备成柔性器件的突出优点吸引了科研人员的眼球,当前聚合物太阳能电池研究的焦点在于如何提升器件的光电能量转换效率。就给体的聚合物材料而言, 材料的HOMO能级决定了器件的开路电压,材料的吸收光谱决定了器件的短路电流,材料的结构和载流子迁移率决定了器件的填充因子。为了获得良好性能的给体聚合物材料,将富电子单元(D)与缺电子单元(A)交替引入共轭聚合物的主链形成的D-A-D型聚合物成为目前给体聚合物研究的重点。一类新型的缺电单元一喹喔啉,因其本身含有两个强电负性的氮原子,近年来备受关注并取得良好的性能,例如2007年Abay Gadisa将芴和喹喔啉聚合制得了一类新型的D-A-D材料(APF0-15),本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种9,9?二辛基硅芴与氟代喹喔啉的共轭聚合物,其特征在于,所述的共轭化合物的结构通式如式Ⅰ所示:式中,R1:H或F原子;式中,R2:间位或对位碳原子数为4到20的直链或支链的烷氧基苯基,或者碳原子数为4到20的直链或支链的2?烷基噻吩基或2,3?二烷基噻吩基;式中,R3:H或碳原子数为4到20的直链或支链的烷基。FDA00002080522900011.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高潮武海梅刘红利陈键王户生安忠维刘建群
申请(专利权)人:西安近代化学研究所
类型:发明
国别省市:

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