一种同轴封装PIN-FET光接收组件制造技术

本实用新型专利技术提供一种同轴封装PIN-FET光接收组件，包括一TO-can管座、一用于该管座气密封装的管帽和一光纤适配器，所述TO-can管座安装设置一半导体集成式前置放大器芯片和一光电转换器件芯片，该光电转换器件芯片与光纤适配器光纤端面之间设有一汇聚透镜。由于采用专用的高灵敏、低噪声、高带宽半导体集成式前置放大器芯片，几乎无外部连接元件，克服了电路的分布参数对电路性能的影响，与PIN-PD或APD光电二极管芯片一起气密封装于较小的TO-can管座上，结构紧凑，因而采用本实用新型专利技术同轴封装PIN-FET光接收组件较之前的双列直插式封装的PIN-FET光接收组件体积小、重量轻、性能好、成本低。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种TO-can(Transistor Outline Can,以下简称TO-can)同轴封装光接收组件，尤其涉及一种同轴封装PIN-FET光接收组件。技术背景 目前广泛应用于光纤陀螺等光纤传感系统的PIN-FET光接收组件是PIN光电二极管和由场效应晶体管(FET)、微波三极管等分离元件构成的前置放大电路的组合。其工作原理是将接收到的光信号，由PIN光电二极管进行光电转换，转换后的电信号经前置放大器进行信号放大输出，输出的电信号具有高增益、高带宽、低噪声等特点。由于分离元件构成的前置放大电路其分布参数对PIN-FET光接收组件的高增益、高带宽、低噪声等性能造成不利影响，同时由于现有PIN-FET光接收组件均采用双列直插式管壳封装，使PIN-FET光接收组件存在结构尺寸大、成本高等缺点。
技术实现思路
为克服以上不足，本技术提供一种尺寸小、性能好、成本低的同轴封装PIN-FET光接收组件。为达到以上专利技术目的，本技术提供一种同轴封装PIN-FET光接收组件，包括一TO-can管座、一用于该管座气密封装的管帽和一光纤适配器，所述TO-can管座安装设置一半导体集成式前置放大器芯片和一光电转换器件芯片，该光电转换器件芯片与光纤适配器光纤端面之间设有一汇聚透镜。所述TO-can 管座为 TO-46、T0-8 或 T0-5 管座。所述半导体集成式前置放大器芯片为CMOS跨阻前置放大集成电路。所述光电转换器件芯片为PIN-PD光电二极管芯片或APD雪崩光电二极管芯片。所述汇聚透镜为一球透镜，该透镜位于所述管帽中心。所述光纤适配器包括一尾纤连接头。所述光纤适配器包括一插拔式连接头。由于采用专用的高灵敏、低噪声、高带宽半导体集成式前置放大器芯片，几乎无外部连接元件，克服了电路的分布参数对电路性能的影响，与PIN-PD或APD光电二极管芯片一起气密封装于较小的TO-can管座上，结构紧凑，因而采用本技术同轴封装PIN-FET光接收组件较之前的双列直插式封装的PIN-FET光接收组件体积小、重量轻、性能好、成本低。附图说明图I表示本技术同轴封装PIN-FET光接收组件的结构示意图。具体实施方式以下结合附图详细描述本技术最佳实施例。如图I所示的同轴封装PIN-FET光接收组件，包括一 T0_can管座I、一用于该管座气密封装的管帽4和一光纤适配器5，TO-can管座I安装设置一半导体集成式前置放大器芯片2和一光电转换器件芯片3,该光电转换器件芯片与光纤适配器5光纤端面之间设有一汇聚透镜6，该透镜可以是球透镜，位于管帽4中心，形成管帽透镜。TO-can管座I可以采用TO-46、T0-8或T0-5管座。光电转换器件芯片3可以采用PIN-PD光电二极管芯片或AH)雪崩光电二极管芯片。半导体集成式前置放大器芯片2采用互补金属氧化物半导体CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)工艺制作的专用高跨阻前置放大集成电路，取代传统的混合集成高跨阻FET前置放大器。光纤适配器5可以是一尾纤连接头或插拔式连接头。光信号通过光纤适配器5输入，经汇聚透镜6聚焦后由光电转换器件芯片3接收并转换成电信号输入到专用半导体集成式前置放大器芯片2，将电信号放大输出。由于采用专用的高灵敏、低噪声、高带宽半导体集成式前置放大器芯片2，几乎无外部连接元件，克服了电路的分布参数对电路性能的影响，与PIN或Aro光电二极管芯片一起气密封装于较小的το-can管座I上，其结构紧凑，因而采用本技术同轴封装PIN-FET光接收组 件较之前的双列直插式封装的PIN-FET光接收组件体积小、重量轻、性能好、成本低。权利要求1.一种同轴封装PIN-FET光接收组件，其特征在于，包括一 TO-can管座(I)、一用于该管座气密封装的管帽(4)和一光纤适配器(5)，所述TO-can管座(I)安装设置一半导体集成式前置放大器芯片(2)和一光电转换器件芯片(3),该光电转换器件芯片与光纤适配器(5)光纤端面之间设有一汇聚透镜(6)。2.根据权利要求I所述同轴封装PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述半导体集成式前置放大器芯片(2)为CMOS跨阻前置放大集成电路。3.根据权利要求2所述同轴封装PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述TO-can管座(I)为 TO-46、T0-8 或 T0-5 管座。4.根据权利要求3所述同轴封装PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述光电转换器件芯片(3)为PIN-PD光电二极管芯片或APD雪崩光电二极管芯片。5.根据权利要求4所述同轴封装PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述汇聚透镜(6)为一球透镜，该透镜位于所述管帽(4)中心。6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的同轴封装PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述光纤适配器(5)包括一尾纤连接头。7.根据权利要求1、2、3、4或5所述的同轴封装PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述光纤适配器(5)包括一插拔式连接头。专利摘要本技术提供一种同轴封装PIN-FET光接收组件，包括一TO-can管座、一用于该管座气密封装的管帽和一光纤适配器，所述TO-can管座安装设置一半导体集成式前置放大器芯片和一光电转换器件芯片，该光电转换器件芯片与光纤适配器光纤端面之间设有一汇聚透镜。由于采用专用的高灵敏、低噪声、高带宽半导体集成式前置放大器芯片，几乎无外部连接元件，克服了电路的分布参数对电路性能的影响，与PIN-PD或APD光电二极管芯片一起气密封装于较小的TO-can管座上，结构紧凑，因而采用本技术同轴封装PIN-FET光接收组件较之前的双列直插式封装的PIN-FET光接收组件体积小、重量轻、性能好、成本低。文档编号G01C19/72GK202585494SQ20122021800公开日2012年12月5日 申请日期2012年5月15日 优先权日2012年5月15日专利技术者黄章勇, 胡思强, 娄永国, 刘兆兵 申请人:深圳市飞康技术有限公司, 江西飞信光纤传感器件有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同轴封装PIN？FET光接收组件，其特征在于，包括一TO？can管座(1)、一用于该管座气密封装的管帽(4)和一光纤适配器(5)，所述TO？can管座(1)安装设置一半导体集成式前置放大器芯片(2)和一光电转换器件芯片(3)，该光电转换器件芯片与光纤适配器(5)光纤端面之间设有一汇聚透镜(6)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章勇，胡思强，娄永国，刘兆兵，
申请(专利权)人：深圳市飞康技术有限公司，江西飞信光纤传感器件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：