【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置制造用的胶粘剂组合物以及半导体装置制造用的胶粘片。
技术介绍
近年来，将手机、便携式音频设备用的存储部件芯片O ^ 'J 卜”” 7")多段层叠而得到的堆叠MCP (Multi Chip Package :多芯片封装)得以普及。另外，随着图像处理技术、手机等的多功能化，正在推进封装的高密度化、高集成化和薄型化。另一方面，存在如下问题在半导体制造的工序中从外部向晶片的结晶衬底中混入阳离子(例如，铜离子、铁离子)，该阳离子到达在晶片上形成的电路形成面后，电特性下降。另外，存在在制品使用中从电路或金属线产生阳离子，从而电特性下降的问题。 针对上述问题，以往尝试了对晶片的背面进行加工而形成破碎层(应变)，通过该破碎层捕捉并除去阳离子的外部去疵法(以下也称为“EG”)或者在晶片的结晶衬底中形成氧沉淀诱生缺陷(酸素析出欠陥)，通过该氧沉淀诱生缺陷捕捉并除去阳离子的内部去疵法(以下也称为“IG”)。但是，随着近年的晶片的薄型化，IG的效果减小，并且造成晶片的破裂或翘曲的背面应变也被除去，从而EG的效果也得不到，从而存在去疵效果不充分的问题。以往，作为将...
【技术保护点】
一种半导体装置制造用的胶粘剂组合物，其特征在于，至少含有与阳离子形成络合物的络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物的通过热重量分析法测定的失重5%的温度为180℃以上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，井上泰史，松村健，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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