半导体装置制造用的胶粘剂组合物以及半导体装置制造用的胶粘片制造方法及图纸

本发明专利技术提供可以形成能够抑制经过热历史后的离子捕捉性下降的半导体装置制造用的胶粘片的胶粘剂组合物。一种半导体装置制造用的胶粘剂组合物，其特征在于，至少含有与阳离子形成络合物的络合物形成性有机化合物，络合物形成性有机化合物的通过热重量分析法测定的失重5%的温度为180℃以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置制造用的胶粘剂组合物以及半导体装置制造用的胶粘片。
技术介绍
近年来，将手机、便携式音频设备用的存储部件芯片O ^ 'J 卜”” 7")多段层叠而得到的堆叠MCP (Multi Chip Package :多芯片封装)得以普及。另外，随着图像处理技术、手机等的多功能化，正在推进封装的高密度化、高集成化和薄型化。另一方面，存在如下问题在半导体制造的工序中从外部向晶片的结晶衬底中混入阳离子(例如，铜离子、铁离子)，该阳离子到达在晶片上形成的电路形成面后，电特性下降。另外，存在在制品使用中从电路或金属线产生阳离子，从而电特性下降的问题。 针对上述问题，以往尝试了对晶片的背面进行加工而形成破碎层(应变)，通过该破碎层捕捉并除去阳离子的外部去疵法(以下也称为“EG”)或者在晶片的结晶衬底中形成氧沉淀诱生缺陷(酸素析出欠陥)，通过该氧沉淀诱生缺陷捕捉并除去阳离子的内部去疵法(以下也称为“IG”)。但是，随着近年的晶片的薄型化，IG的效果减小，并且造成晶片的破裂或翘曲的背面应变也被除去，从而EG的效果也得不到，从而存在去疵效果不充分的问题。以往，作为将半导体元件固着到衬底等上的方法，提出了使用热固性糊状树脂(例如，参考专利文献I)的方法、使用将热塑性树脂和热固性树脂组合使用的胶粘片(例如，参考专利文献2)的方法。另外，作为胶粘片，以往提出了使其含有阴离子交换体，以捕捉引起金属线的腐蚀的氯化物离子，从而提高连接可靠性的胶粘片等(例如，参考专利文献3 (特别是权利要求1、0044段)、专利文献4 (特别是权利要求1、0054段)、专利文献5 (特别是权利要求1、0027段))。另外，作为胶粘片，以往提出了通过添加捕捉氯化物离子等的离子捕捉齐U，从而提高电压施加时的耐湿热性的粘合/胶粘片(例如，参考专利文献6 (特别是权利要求 1、0019 段、0050 段))。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2002-179769号公报专利文献2 :日本特开2000-104040号公报专利文献3 :日本特开2009-256630号公报专利文献4 :日本特开2009-127042号公报专利文献5 :日本特开2010-116453号公报专利文献6 :日本特开2009-203338号公报
技术实现思路
本专利技术人进行了广泛深入的研究，结果发现，通过在半导体装置制造用的胶粘剂组合物中添加捕捉阳离子的添加剂，可以捕捉从外部混入的阳离子，可以防止所制造的半导体装置的电特性下降从而提高制品可靠性。但是，使用该半导体装置制造用的胶粘剂组合物制造的半导体装置制造用的胶粘片，在半导体制造中使用时，经历芯片接合工序、丝焊工序、树脂密封工序、回流焊接工序等存在热历史的工序。因此，在经过热历史后离子捕捉性也不下降方面，尚有改善的余地。本专利技术鉴于前述问题而创立，其目的在于提供可以抑制经过热历史后的离子捕捉性下降的半导体装置制造用的胶粘片以及可以形成该半导体装置制造用的胶粘片的胶粘剂组合物。本专利技术人为了解决前述问题对半导体装置制造用的胶粘剂组合物以及半导体装置制造用的胶粘片进行了研究。结果发现，可以得到一种半导体装置制造用的胶粘片，所述半导体装置制造用的胶粘片通过含有利用热重量分析法测定的失重5%的温度为一定温度以上的络合物形成性有机化合物，能够抑制经过热历史后的离子捕捉性下降，从而完成了本专利技术。 S卩，本专利技术的半导体装置制造用的胶粘剂组合物，其特征在于，至少含有与阳离子形成络合物的络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物的通过热重量分析法测定的失重5%的温度为180°C以上。根据前述构成，至少含有与阳离子形成络合物的络合物形成性有机化合物，因此使用该半导体装置制造用的胶粘剂组合物形成的胶粘片，可以捕捉在半导体装置制造的各种工序中从外部混入的阳离子。结果，从外部混入的阳离子难以到达在晶片上形成的电路形成面，可以抑制电特性的下降从而提高制品可靠性。另外，专利文献:T5中公开的胶粘片等，为了捕捉腐蚀铜布线的氯化物离子而添加有阴离子交换体，未公开捕捉阳离子的技术。另外，专利文献6中公开的粘合/胶粘片，为了提高施加电压时的耐湿热性而添加捕捉氯化物离子的离子捕捉剂，未公开捕捉阳离子的技术。另外，所述络合物形成性有机化合物的通过热重量分析法测定的失重5%的温度为180°C以上，因此可以抑制热历史导致的阳离子捕捉性下降。另外，该胶粘剂组合物中含有的是有机类的络合物形成性化合物，而不是无机类的。因此，将由该胶粘剂组合物制造的胶粘片粘贴到晶片上时，即使络合物形成性有机化合物与晶片接触，也可以抑制晶片产生破裂或缺口。前述构成中，所述络合物形成性有机化合物优选可溶于有机溶剂。络合物形成性有机化合物可溶于有机溶剂时，可以容易且适合地分散到树脂中。前述构成中，从可以更适合捕捉阳离子的观点考虑，络合物形成性有机化合物优选为选自由含氮化合物、含羟基化合物和含羧基化合物组成的组中的一种以上。前述构成中，从可以更适合捕捉阳离子的观点考虑，含氮化合物优选为选自由三唑化合物、四唑化合物和联吡啶化合物组成的组中的一种以上。前述构成中，从可以更适合捕捉阳离子的观点考虑，含羟基化合物优选为选自由苯二酚化合物、羟基蒽醌化合物、多酚化合物和高级醇组成的组中的一种以上。前述构成中，从可以更适合捕捉阳离子的观点考虑，含羧基化合物优选为选自由含羧基芳香族化合物和含羧基脂肪族化合物组成的组中的一种以上。前述构成中，所述添加剂的含量相对于胶粘剂组合物100重量份优选在0. 2^20重量份的范围内。通过将所述含量设定为0. 2重量份以上，可以更有效地捕捉阳离子(特别是铜离子)，通过设定为20重量份以下，可以抑制胶粘力的下降。前述构成中，优选含有环氧树脂。含有环氧树脂时，可以得到高温(例如175^260°C )下的高胶粘力。因此，通过将络合物形成性有机化合物与环氧树脂组合使用，可以得到高温下的胶粘力高并且可以抑制电特性下降的胶粘片。另外，本专利技术的半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，由前述的胶粘剂组合物形成。前述的胶粘剂组合物，至少含有与阳离子形成络合物的络合物形成性有机化合物，因此使用该胶粘剂组合物形成的胶粘片，可以捕捉在半导体装置的制造的各种工序中从外部混入的阳离子。结果，从外部混入的阳离子难以到达在晶片上形成的电路形成面，可以抑制电特性的下降从而提高制品可靠性。另外，所述络合物形成性有机化合物的通过热重量分析法测定的失重5%的温度为180°C以上，因此可以抑制热历史导致的阳离子捕捉性下降。另外，该胶粘剂组合物中含有的是有机类的络合物形成性化合物，而不是无机类的。因此，将该胶粘片粘贴到晶片上时，即使络合物形成性有机化合物与晶片接触，也可以抑制晶片产生破裂或缺口。 前述构成中，优选的是，将重量2. 5g的半导体装置制造用的胶粘片浸溃到含有IOppm铜离子的50ml水溶液中并在120°C放置20小时后，所述水溶液中的铜离子浓度为(T9. 9ppm。当在120°C放置20小时后所述水溶液中的铜离子浓度为(T9. 9ppm时，更容易捕捉在半导体装置的制造的各种工序中从外部混入的阳离子。结果，从外部混入的阳离子难以到达在晶片上形成的电路形成面，可以抑制电特性的下降从而提高制品可靠性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置制造用的胶粘剂组合物，其特征在于，至少含有与阳离子形成络合物的络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物的通过热重量分析法测定的失重5%的温度为180℃以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木村雄大，井上泰史，松村健，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：