【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子废气循环系统，尤其涉及一种在等离子产生装置中，经加工后而产生的一部分排出气体进行再利用的等离子废气循环系统。
技术介绍
半导体元件经酸化、蚀刻、蒸着及光刻等多种工程而制成，在此工程中使用多种有毒性化学药品及化学气体。最近随着中微半导体元件的制造不断增加，这种制造工程中的有毒气体的用量也随之增大，如四氟乙烯、四氟化碳、八氟丙烷、全氟丁烷、三氟化氮、六氟化硫等全氟烧混合物(PerFluoro Compound,以下简称PFC),上述化学气体的毒性强,被排入大气中时，会对人体产生致命影响，并导致严重的环境污染。全氟烷混合物分解为稳定的化合物的时间一般需要1000至10000年，因此可长久 性的残存在地球上，导致环境污染的同时，造成全球变暖。因此，必须使其有害成分的含量降至环境许可的程度，并通过无毒化处理工程使其毒性消除，方可排入大气中。也就是说，通过类似于现有的等离子产生装置中所使用的涤气机等气体净化装置，使有毒气体得以净化后，排向大气。现有技术中的等离子产生装置的排气系统不能对已使用的气体进行再次使用，气体全部被排向外部。要将工程中排出的所有...
【技术保护点】
一种等离子废气循环系统，其特征在于：所述等离子废气循环系统包括：内部配置有等离子产生装置的空间室；末端与等离子产生装置连接，并向所述等离子装置供气的供气管；一端与所述等离子产生装置连接的吸气管；与所述吸气管的另一端连接的气泵；一端与所述气泵连接，另一端连在所述供气管的首端与尾端之间的辅助供气管；与所述空间室连接，将所述空间室内的气体排出的排气口；所述空间室内的一部分气体，因所述气泵而被吸入所述吸气管，经过所述辅助供气管和所述供气管，再次供向所述等离子产生装置。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。