【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别是涉及一种调节束流整体的偏转角度的。
技术介绍
离子注入是用来把改变导电率的杂质引入半导体晶片的标准技术。所需要的杂质材料在离子源中被离子化，离子被加速成具有规定能量的离子束，而且离子束对准晶片的表面。射束中的高能离子深入半导体材料的主体并且嵌入半导体材料的晶格形成导电率符合需要的区域。而且使用离子注入法在单晶或多晶硅中掺杂，是制造现代集成电路中使用的一种常规工艺过程。 但是当前在太阳能晶片掺杂领域，使用最多的方法依旧是热扩散掺杂，这种方法虽然生产效率较高，但需要一些后续的工艺作为补充，例如去边等。因而工艺步骤较多，购置设备成本高。另外由于热扩散工艺，不能很精确的控制掺杂离子的剂量和均匀性，所以会导致生产的太阳能晶圆损失一部分太阳能转化效率。所以从半导体工艺的发展历史来看，在太阳能晶片掺杂领域使用离子注入替代热扩散也是必然趋势。现有的离子束注入系统中，离子束输入位置与分布的都已经是预先设定的，所以当进入离子束注入系统的目标工件的位置改变时，就不能正确的进行离子束的注入，同时如果重新调节离子束注入的位置与分布又需要花费大量的时间和精力重新进...
【技术保护点】
一种束流传输系统，其包括一束流出射装置、一作为束流传输终点的目标工件以及相互平行地设置于束流传输路径两侧的一第一杆状四极磁铁与一第二杆状四极磁铁，其特征在于，所述第一杆状四极磁铁和第二杆状四极磁铁分别具有一铁芯，其中在束流沿所述第一杆状四极磁铁的铁芯和第二杆状四极磁铁的铁芯的中心的连线方向在所述第一杆状四极磁铁的铁芯和第二杆状四极磁铁的铁芯上的投影区域外，沿所述第一杆状四极磁铁的铁芯和第二杆状四极磁铁的铁芯的长度方向还分别设置有一个或多个相互独立的线圈，其中分别设置于所述第一杆状四极磁铁与所述第二杆状四极磁铁的铁芯的相同位置上的线圈相互对应，并且所述第一杆状四极磁铁和所述第...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钱锋，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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