一种过压、欠压和电源反向保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种过压、欠压和电源反向保护电路，包括主控芯片和双路N沟道MOSFET，所述主控芯片的1号引脚接双路N沟道MOSFET的栅极，漏极接在电源输入端Vin上，源极接在电源输出端Vout上;主控芯片的2号引脚接电源输入端Vin，3号引脚接电源输出端Vout；主控芯片的3号和4号引脚间跨接电阻R1，3号和5号引脚间跨接电阻R2，5号和6号引脚间跨接电阻R3，6号引脚接接地电阻R4，7号引脚直接接地。本实用新型专利技术的反向保护电路，双路N沟道MOSFET与电源相串接，可精巧和稳健地保护敏感电路免遭意料之外的高电源电压或负电源电压，能隔离高达60V的正电压和低至-40V的负电压。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及保护电路领域，具体涉及一种过压、欠压和电源反向保护电路。
技术介绍
为了隔离负电源电压，设计人员通常设计一个与电源相串接的肖特基二极管或P沟道M0SFET，然而，二极管既占用宝贵的板级空间，又会在高负载电流下消耗大量的功率。P沟道MOSFET的功耗虽然低于串联二极管，但MOSFET以及所需的驱动电路将导致成本增加，且这两种解决方案一般都没有过压和欠压保护功能
技术实现思路
本技术的目的是提供一种过压、欠压和电源反向保护电路，双路N沟道MOSFET与电源相串接，精巧和稳健地保护敏感电路免遭意料之外的高电源电压或负电源电压。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案一种过压、欠压和电源反向保护电路，包括主控芯片和双路N沟道M0SFET，所述主控芯片的I号引脚接双路N沟道MOSFET的栅极，漏极接在电源输入端Vin上，源极接在电源输出端Vout上；主控芯片的2号引脚接电源输入端Vin，3号引脚接电源输出端Vout ；主控芯片的3号和4号引脚间跨接电阻Rl，3号和5号引脚间跨接电阻R2，5号和6号引脚间跨接电阻R3，6号引脚接接地电阻R4，7号引脚直接接地。优选的，电源输入端Vin的供电电压为12V。优选的，所述电阻Rl的阻值为510k Q，电阻R2的阻值为1820k Q，电阻R3的阻值为243k Q，电阻R4的阻值为59k Q。与现有技术相比，本技术的优点在于本技术双路N沟道MOSFET与电源相串接，可精巧和稳健地保护敏感电路免遭意料之外的高电源电压或负电源电压，能隔离高达60V的正电压和低至-40V的负电压，只有处于安全工作电源范围之内的电压才能被传送至负载。附图说明图I是本技术的过压、欠压和电源反向保护电路的示意图。具体实施方式实施例I结合图I所示，本技术的一种过压、欠压和电源反向保护电路，包括主控芯片LTC3645和双路N沟道MOSFET，主控芯片的GATE弓丨脚接双路N沟道MOSFET的栅极G，漏极D接在电源输入端Vin上，源极S接在电源输出端Vout上；主控芯片的Vin引脚接电源输入端Vin, Vout引脚接电源输出端Vout ；主控芯片的Vin引脚和SHDN引脚间跨接电阻Rl，Vin引脚和UV引脚间跨接电阻R2，UV引脚和DV引脚间跨接电阻R3，DV引脚接接地电阻R4，GND引脚直接接地。优选的，电源输入端Vin的供电电压为12V。优选的，所述电阻Rl的阻值为510k Q，电阻R2的阻值为1820k Q，电阻R3的阻值为243k Q，电阻R4的阻值为59k Q。双路N沟道MOSFET负责在Vin上隔离正电压和负电压。在标准运作期间，主控芯片为双路N沟道MOSFET的栅极提供了增强的开启电压。对于大多数应用来说，无需在Vin上设置保护性箝位电路，从而进一步简化电路板设计。 此电路具有准确和快速的过压及欠压保护的功能主控芯片中两个准确(±1.5%)的比较器用于监视Vin上的过压(OV)和欠压(UV)状况。如果输入电压分别升至OV门限以上或降至UV门限以下，则双路N沟道MOSFET的栅极将快速关断。外部阻性分压器允许用户选择一个与Vout上的负载相兼容的输入电源范围。此外，UV和OV输入还具有非常低的漏电流。此电路的电源反向保护，设计新颖主控芯片运用了一种新颖的负电源保护电路。当主控芯片在Vin上检测到负电压，它迅速将GATE引脚连接至Vin引脚。在GATE与Vin电压之间没有二极管压降。当双路N沟道MOSFET的栅极处于最负电位(Vin)时，从Vout至Vin上负电压的漏电流极小。上述实施例只是为了说明本技术的技术构思及特点，其目的是在于让本领域内的普通技术人员能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡是根据本
技术实现思路
的实质所作出的等效的变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压、欠压和电源反向保护电路，其特征在于，包括主控芯片和双路N沟道MOSFET，？？？？所述主控芯片的1号引脚接双路N沟道MOSFET的栅极，漏极接在电源输入端Vin？上，源极接在电源输出端Vout上;？？？？主控芯片的2号引脚接电源输入端Vin，3号引脚接电源输出端Vout；主控芯片的3号和4号引脚间跨接电阻R1，3号和5号引脚间跨接电阻R2，5号和6号引脚间跨接电阻R3，6号引脚接接地电阻R4，7号引脚直接接地。

【技术特征摘要】
1.一种过压、欠压和电源反向保护电路，其特征在于，包括主控芯片和双路N沟道MOSFET，所述主控芯片的I号引脚接双路N沟道MOSFET的栅极，漏极接在电源输入端Vin上，源极接在电源输出端Vout上；主控芯片的2号引脚接电源输入端Vin， 3号引脚接电源输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶智，许宜申，陈大庆，季晶晶，何斌，
申请(专利权)人：苏州葵花光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：