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本实用新型涉及一种过压、欠压和电源反向保护电路，包括主控芯片和双路N沟道MOSFET，所述主控芯片的1号引脚接双路N沟道MOSFET的栅极，漏极接在电源输入端Vin上，源极接在电源输出端Vout上;主控芯片的2号引脚接电源输入端Vin，3号...
该专利属于苏州葵花光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州葵花光电科技有限公司授权不得商用。

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