【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及物体间距测量领域，特别涉及一种掩模台垂向测量装置。
技术介绍
现有技术中的光刻装置，主要用于集成电路IC或其它微型器件的制造。通过光刻装置，具有不同掩模图案的多层掩模在精确对准下依次成像在涂覆有光刻胶的晶片上，例如半导体晶片或LCD板。光刻装置大体上分为两类， 一类是步进光刻装置，掩模图案一次曝光成像在晶片的一个曝光区域，随后晶片相对于掩模移动，将下一个曝光区域移动到掩模图案和投影物镜下方，再一次将掩模图案曝光在晶片的另一曝光区域，重复这一过程直到晶片上所有曝光区域都拥有掩模图案的像。另一类是步进扫描光刻装置，在上述过程中，掩模图案不是一次曝光成像，而是通过投影光场的扫描移动成像。在掩模图案成像过程中，掩模与晶片同时相对于投影系统和投影光束移动。在上述的光刻设备中，需具有相应的装置作为掩模版和硅片的载体，分别装载有掩模版和硅片的载体产生精确的相互运动来满足光刻需要。上述掩模版的载体被称之为承版台，硅片的载体被称之为承片台。承版台和承片台分别位于光刻装置的掩模台分系统和工件台分系统中，为上述分系统的核心模块。在扫描光刻装置中，掩模台与工件台需要做相对...
【技术保护点】
一种掩模台垂向测量装置，包括掩模台中的承版台和至少三个电容传感器，其特征在于，所述承版台依次包括承版台本体、绝缘层和至少三个导电膜，所述绝缘层覆盖在所述承版台本体底部，所述导电膜相互独立的覆盖于所述绝缘层底部，所述电容传感器固定在所述承版台下方，其位置与所述导电膜位置对应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：江旭初，李生强，齐芊枫，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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