光刻设备和器件制造方法技术

公开了一种光刻设备，包括光学装置列，配置成将束投影到衬底的目标部分上。聚焦控制器被设置成控制光学装置列相对于参考物体的聚焦位置(906、920、924、930)，其中聚焦控制器包括聚焦测量装置(942)和聚焦致动器，聚焦测量装置配置成确定参考物体(938)上的聚焦品质，聚焦致动器配置成基于已确定的聚焦品质调整光学装置列的聚焦位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光刻设备、可编程图案形成装置、器件制造方法以及用于在光刻设备中产生很好定义的像平面的方法。
技术介绍
光刻设备是施加期望的图案到衬底或一部分衬底上的机器。光刻设备可以用于例 如集成电路(1C)、平板显示器以及具有精细特征的其它装置或结构的制造中。在传统的光刻设备中，可以将称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生对应于1C、平板显示器或其它装置的单层的电路图案。可以将这一图案转移到衬底(例如硅晶片或玻璃板)(的一部分)上，例如经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。除了电路图案，图案形成装置还可以用于产生其它图案，例如彩色滤光片图案或点的矩阵。替代传统的掩模，图案形成装置可以包括图案形成阵列，该图案形成阵列包括产生电路或其它可应用图案的独立可控元件的阵列。与传统的基于掩模的系统相比，这样的“无掩模”系统的优点是，可以更加快速地设置和/或更换图案，且成本较小。因此，无掩模系统包括可编程图案形成装置(例如空间光调制器、对比度装置 等)。使用独立可控元件的阵列对可编程图案形成装置进行(例如电子或光学地)编程，用于形成期望的图案化的束。可编程图案形成装置的类型包括微反射镜阵列、液晶显示器(LCD)阵列、光栅光阀阵列等。
技术实现思路
例如期望提供一种灵活的、低成本的光刻设备，该光刻设备包括可编程图案形成>J-U ρ α装直。在实施例中，公开了一种光刻设备，所述光刻设备包括调制器和投影系统，所述调制器配置成将衬底的曝光区域暴露于根据期望的图案调制的多个束，所述投影系统配置成将调制的束投影到衬底上。调制器可以相对于曝光区域移动，和/或投影系统可以具有用于接收多个束的透镜阵列，所述透镜阵列可相对于曝光区域移动。在实施例中，光刻设备可以例如设置有光学装置列(或称为光具组)(opticalcolumn)，所述光学装置列配置成在衬底的目标部分上生成图案。光学装置列可以设置有自发射式对比度装置，配置成发射束；和投影系统，配置成将所述束的至少一部分投影到目标部分上。所述设备可以设置有致动器，所述致动器配置成相对于衬底移动光学装置列或光学装置列的一部分。在上述类型的无掩模光刻设备中，在一个实施例中，多个光学装置列被提供，以基本上同时将投影束投影到衬底的不同目标部分上。在实践中，衬底表面可以被沿着垂直于扫描方向的 方向分割成条带，每个条带与光学装置列相关联。每个条带被沿着平行于扫描方向的方向进一步分割成多个目标部分，之后在沿着光学装置列移动衬底时，将图案投影所述目标部分上。在将图案投影到衬底上时，期望投影到衬底上的图案化的束被与将在其上产生图案的衬底的表面正确地对准和对焦。光刻设备具有特定的聚焦范围。期望将衬底定位在该聚焦范围内，用于正确地成像。在上述类型的光刻设备中，图案可以被同时或大致同时投影到衬底的整个宽度上。因此，期望针对于衬底的整个宽度将衬底布置在聚焦范围内，从而导致可以利用有限数量的参数来进行衬底的调平。期望提供一种光刻设备，该光刻设备配置成将衬底保持成与光刻设备的光学装置列成正焦位置。根据本专利技术的实施例，提供了一种光刻设备，包括光学装置列，配置成将束投影到衬底的目标部分上，所述光学装置列包括配置成提供束的辐射源以及投影系统，所述投影系统配置成将所述束投影到所述目标部分上，其中所述光学装置列被部分地安装在光刻设备的固定部分上，且被部分地安装在所述光刻设备的能够旋转的部分上，其中所述光学装置列具有聚焦位置；扫描移动致动器，配置成沿着扫描方向相对于光学装置列以扫描速度移动衬底；和聚焦控制器，配置成控制光学装置列相对于参考物体的聚焦位置，其中，聚焦控制器包括聚焦测量装置和聚焦致动器，所述聚焦测量装置配置成确定参考物体上的聚焦品质，所述聚焦致动器配置成基于已确定的聚焦品质调整光学装置列的聚焦位置。根据本专利技术的实施例，提供了一种用于在光刻设备中在正焦位置上生成像平面的方法，所述方法包括步骤测量光学装置列在参考物体上的聚焦品质，基于对光学装置列的测量来调整聚焦位置，和针对于一个或更多个另外的光学装置列重复所述测量和调整步骤。根据本专利技术的一个实施例，提供了一种用于在光刻设备中在衬底上生成图案的方法，所述方法包括步骤在将多个束投影到多个目标部分上之前，针对于每个光学装置列相对于参考物体于正焦位置形成公共的像平面；和将衬底的表面在图案形成所在的多个目标部分的位置处调整至公共的像平面。附图说明并入本文中且形成说明书的一部分的附图显示了本专利技术的实施例，且另外与所述描述一起用于说明本专利技术的原理并使得相关领域的技术人员能够进行和使用本专利技术。在附图中，相同的参考标记可以表示相同的或功能类似的元件。图I显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意侧视图。图2显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图3显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图4显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图5显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图6(A)_(D)显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分的示意俯视图和侧视图。图7(A)_(0)显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分的示意俯视图和侧视图。图7(P)显示根据本专利技术的实施例的独立可寻址元件的功率/前向电流图。图8显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意侧视图。 图9显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意侧视图。图10显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意侧视图。图11显示根据本专利技术的实施例的用于光刻设备的独立可控元件的阵列的示意俯视图。图12显示使用本专利技术的实施例将图案转移到衬底的模式。图13显示光学引擎的示意性布置。图14㈧和⑶显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分的示意侧视图。图15显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图16(A)显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分的示意侧视图。图16(B)显示相对于衬底的传感器的检测区域的示意位置。图17显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图18显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意横截面侧视图。图19显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学兀件的光刻设备的一部分的不意俯视图的布局。图20显示图19中的光刻设备的一部分的示意三维视图。图21显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学兀件的光刻设备的一部分的不意侧视图的布局，且显不出相对于独立可控元件设定的光学元件242的三个不同的旋转位置。图22显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学兀件的光刻设备的一部分的不意侧视图的布局，且显不出相对于独立可控元件设定的光学元件242的三个不同的旋转位置。图23显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学兀件的光刻设备的一部分的不意侧视图的布局，且显不出相对于独立可控元件设定的光学元件242的五个不同的旋转位置。图24显示在使用直径为5. 6mm的标准激光二极管用于获得横过衬底的宽度的全部覆盖情况下的独立可控元件102的一部分的示意性布局。图25显示图24的细节的示意布局。图26显示根据本专利技术的实施例的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰内斯·昂伍李，彼得·德亚格尔，埃尔温·范茨韦特，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：