一种充电电路、存储芯片及耗材容器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种充电电路、存储芯片及耗材容器，该充电电路包含的第一储能元件的一端连接电源正极及易失性存储器，另一端连接电源负极；第二可控开关的一端连接第一储能元件连接电源正极的一端，另一端连接第二储能元件的一端及易失性存储器，第二可控开关还包含一可控端；第二储能元件的另一端连接电源负极；第一储能元件在电源为易失性存储器供电时储存电能，在掉电时为易失性存储器供电；第二可控开关在第一储能元件存储电能时断开，根据可控端接收到的控制信号闭合；第二储能元件在第二可控开关闭合时储存电能，在掉电时为易失性存储器供电能。一种存储芯片，包含易失性存储器和非易失性存储器，该芯片还包含：前述所述的充电电路。一种耗材容器，该耗材容器包含：前述所述的存储芯片。采用本实用新型专利技术的电路、芯片和容器，能够使暂存于易失性存储器的数据得到有效地保护。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及打印成像领域，特别涉及一种充电电路及存储芯片及耗材容器。
技术介绍
铁电存储器(Ferrum-RAM,FRAM)将只读内存(Read-Only Memory, ROM)的非易失性数据存储特性和随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起，被广泛地应用于汽车电子及耗材容器等领域。但由于FRAM的价格较高，在一定程度上限制了 FRAM的推广应用。现有的耗材容器，比如用于激光打印机的硒鼓、粉盒，用于喷墨打印机的墨盒，为了降低硬件成本，通常利用包含电池、静态随机存取存储器(Static Random AccessMemory, SRAM)、及电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory, EEPR0M)的存储芯片、或者利用包含电池、SRAM及闪存(FLASH)的存储 芯片替代FRAM，即在耗材容器被外部电源短暂供电时，待记录数据被写入到存储芯片包含的SRAM中暂存，在掉电后，存储芯片包含的电池作为SRAM的供电电源，提供将SRAM中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充电电路，其特征在于，该充电电路连接易失性存储器，包含：第一储能元件、第二可控开关及第二储能元件；所述第一储能元件的一端连接电源正极及易失性存储器，另一端连接电源负极；所述第二可控开关的一端连接所述第一储能元件连接电源正极的一端，另一端连接所述第二储能元件的一端及易失性存储器，所述第二可控开关还包含一可控端；所述第二储能元件的另一端连接电源负极；所述第一储能元件在电源为易失性存储器供电时储存电能，在掉电时为易失性存储器供电；所述第二可控开关在第一储能元件存储电能时断开，根据可控端接收到的控制信号闭合；所述第二储能元件在第二可控开关闭合时储存电能，在掉电时为易失性存储器供电；所述电源为易失性...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁励，
申请(专利权)人：珠海艾派克微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：