一种保护电路，连接于一输出电源与一电子设备之间，该保护电路包括一电压源、一RC并联回路、一反相器、一第一电子开关及一第二电子开关，该电压源通过一第一电阻与RC并联回路相连，还与该反相器的输入端相连，该反相器的输出端与第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，第三端通过一第二电阻与电压源相连，还直接与第二电子开关的第一端相连，该第二电子开关的第二端与该电子设备相连，第三端与该输出电源相连。上述保护电路可避免电源刚开启时的浪涌电流对电子设备所造成的损坏。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种保护电路。
技术介绍
在一些电子设备电路中，通常开启电源时都会有浪涌电流，且该电流较大，若不对该浪涌电流采取措施，其很可能对电子设备造成损坏。
技术实现思路
鉴于以上内容，有必要提供一种保护电路，以避免电子设备在输出电源开启时受到浪涌电流的损坏。 一种保护电路，连接于一输出电源与一电子设备之间，该保护电路包括一电压源、一 RC并联回路、一反相器、一第一电子开关及一第二电子开关，该电压源通过一第一电阻与RC并联回路相连，还与该反相器的输入端相连，该反相器的输出端与第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，第三端通过一第二电阻与电压源相连，还直接与第二电子开关的第一端相连，该第二电子开关的第二端与该电子设备相连，第三端与该输出电源相连。上述保护电路在输出电源被开启时，并不立即输出电压至电子设备。随着时间的推移，当RC并联回路中的电容被充电至一定电压值时，该输出电源才输出电压至电子设备，如此即可避免输出电源开启时所产生的浪涌电流对电子设备所造成的损坏。附图说明图I是本专利技术保护电路的较佳实施方式的电路图。主要元件符号说明 输出电源 11电子设备_2_电压源VCC ~电阻H-R3电容石 反相器_UlA PMOS场效应管|qi、Qf 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施例方式下面结合附图及较佳实施方式对本专利技术作进一步详细描述 请参阅图1，本专利技术保护电路连接于一输出电源I与一电子设备2之间，用于避免电子设备2在开机时受到浪涌电流的损坏。该保护电路的较佳实施方式包括一电压源VCC、电阻Rl、R2、R3、一电容Cl、一反相器U1A、PMOS场效应管Ql及Q2。该电压源VCC依次通过电阻Rl及R2接地，该电阻Rl及R2之间的节点与反相器UlA的输入端相连，还直接通过电容Cl接地。该反相器UlA的输出端与PMOS场效应管Ql的栅极相连，该PMOS场效应管Ql的源极接地，漏极通过电阻R3与电压源VCC相连。该PMOS场效应管Q2的栅极与PMOS场效应管Ql的漏极相连，该PMOS场效应管Q2的漏极与输出电源I相连，源极与电子设备2相连。下面将对本专利技术保护电路的工作原理进行说明 该电阻R2及电容Cl组成RC并联回路。当输出电源I被开启时，该电压源VCC亦同时被开启，其即开始对电容Cl进行充电。该输出电源I开启的瞬间，该电容Cl的电量为零，即该反相器UlA的输入端接收低电平信号。根据反相器的工作原理，其输出端将输出高电平信号，即使得PMOS场效应管Ql截止，继而使得PMOS场效应管Q2的栅极接收来自电压源VCC的高电平信号，即PMOS场效应管Q2亦截止。如此将使得输出电源I无法输出给电子设备2。 随着时间的延续，该电压源VCC持续为电容Cl充电，当电容Cl的电压达到PMOS场效应管Ql的导通电压时，经过反相器UlA的反相即可使得PMOS场效应管Ql导通，继而使得PMOS场效应管Q2的栅极接收一低电平，即PMOS场效应管Q2亦导通，如此将使得输出电源I所输出的电压传输至电子设备2。从工作原理可以看出，该PMOS场效应管Ql及Q2在电路中起到电子开关的作用，因此，其它实施方式中，该PMOS场效应管Ql及Q2亦可采用其它类型的晶体管或场效应管来代替，甚至其它具有电子开关功能的电子组件均可。比如，当利用一 PNP型三极管来代替该PMOS场效应管Ql时，高电平的控制信号即使得该PNP型三极管截止、低电平的控制信号即使得该PNP型三极管导通，其工作原理与PMOS场效应管相同。三极管与其它电子开关与此类似，在此不再赘述。该电子开关包括一第一端、一第二端及一第三端，该第一端与反相器UlA的输入端相连，第二端接地，第三端通过电阻R3与电压源VCC相连。该PMOS场效应管Q2与PMOS场效应管Ql相同。根据上面的描述可知，当输出电源I被开启时，其并不立即输出电压至电子设备2。随着时间的推移，当电容Cl被充电至一定电压值时，该输出电源I才输出电压至电子设备2。如此即可避免输出电源I开启时所产生的浪涌电流对电子设备2所造成的损坏。权利要求1.一种保护电路，连接于一输出电源与一电子设备之间，该保护电路包括一电压源、一RC并联回路、一反相器、一第一电子开关及一第二电子开关，该电压源通过一第一电阻与RC并联回路相连，还与该反相器的输入端相连，该反相器的输出端与第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，第三端通过一第二电阻与电压源相连，还直接与第二电子开关的第一端相连，该第二电子开关的第二端与该电子设备相连，第三端与该输出电源相连。2.如权利要求I所述的保护电路，其特征在于该第一电子开关为一PMOS场效应管，其第一端、第二端及第三端分别为PMOS场效应管的栅极、源极及漏极。3.如权利要求I所述的保护电路，其特征在于该第二电子开关为一PMOS场效应管，其第一端、第二端及第三端分别为PMOS场效应管的栅极、源极及漏极。全文摘要一种保护电路，连接于一输出电源与一电子设备之间，该保护电路包括一电压源、一RC并联回路、一反相器、一第一电子开关及一第二电子开关，该电压源通过一第一电阻与RC并联回路相连，还与该反相器的输入端相连，该反相器的输出端与第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，第三端通过一第二电阻与电压源相连，还直接与第二电子开关的第一端相连，该第二电子开关的第二端与该电子设备相连，第三端与该输出电源相连。上述保护电路可避免电源刚开启时的浪涌电流对电子设备所造成的损坏。文档编号H02H9/02GK102751709SQ201110099119公开日2012年10月24日 申请日期2011年4月20日 优先权日2011年4月20日专利技术者侯全才, 廖羿岚 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种保护电路，连接于一输出电源与一电子设备之间，该保护电路包括一电压源、一RC并联回路、一反相器、一第一电子开关及一第二电子开关，该电压源通过一第一电阻与RC并联回路相连，还与该反相器的输入端相连，该反相器的输出端与第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，第三端通过一第二电阻与电压源相连，还直接与第二电子开关的第一端相连，该第二电子开关的第二端与该电子设备相连，第三端与该输出电源相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：侯全才，廖羿岚，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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