一种过压欠压指示电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种过压欠压指示电路，包括二极管D1、电阻R1、三极管VT1、电容C1、电容C2、单向可控硅VS1和单向可控硅VS2，所述二极管D1负极分别连接输入端Vi、三极管VT1发射极和电阻R3，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT1集电极通过电容C2连接单向可控硅VS2的G极。本实用新型专利技术过压欠压指示电路，采用多个单向可控硅配合三极管以及继电器进行控制，有效对输入端Vi电压进行过压欠压指示，而且继电器J1和J2的存在能保证两个单向可控硅不能同时导通，稳定性高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种指示电路，具体是一种过压欠压指示电路。
技术介绍
随着现在电气设备的普及，给工农业生产、国防事业、科技带来了革命性的变化，加快了社会的发展，人们步入了电气化时代，也使人们的生活质量得到了大幅度的提高，也越来越离不开这些电器设备。随着科技的发展，电器设备的精度也逐渐提高，发生了翻天覆地的变化，但是如何保护好这些电器设备的不受外界的干扰，成了当今科技发展关注的主要问题。目前我国的电网正在普及，庞大的电网系统给了我们许多方便。但是随着接入电网的用户增多，和用户电器的多样化，也造成了电网电压的不稳定，忽高忽低的电压，也成了损坏电器设备的主要因素。如何在电压变化较大时保护好用电设备，成了人们现在研究的一个方向，而要对电压进行监测，就不可避免的需要对电压进行采样检测，目前电压采样检测的手段非常多元化，很多手段都是采用专用的集成芯片对电压进行采样显示，成本较高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种过压欠压指示电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种过压欠压指示电路，包括二极管D1、电阻R1、三极管VT1、电容C1、电容C2、单向可控硅VS1和单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压欠压指示电路，包括二极管D1、电阻R1、三极管VT1、电容C1、电容C2、单向可控硅VS1和单向可控硅VS2，其特征在于，所述二极管D1负极分别连接输入端Vi、三极管VT1发射极和电阻R3，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT1集电极通过电容C2连接单向可控硅VS2的G极，单向可控硅VS2的A极连接继电器J2触点J2‑1，继电器J2触点J2‑1另一端分别连接三极管VT2发射极和电容C1，电容C1另一端连接单向可控硅VS1的G极，单向可控硅VS1的A极连接继电器J2线圈，继电器J2线圈另一端连接电阻R1另一端，单向...

【技术特征摘要】
1.一种过压欠压指示电路，包括二极管D1、电阻R1、三极管VT1、电容C1、电容C2、单向可控硅VS1和单向可控硅VS2，其特征在于，所述二极管D1负极分别连接输入端Vi、三极管VT1发射极和电阻R3，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT1集电极通过电容C2连接单向可控硅VS2的G极，单向可控硅VS2的A极连接继电器J2触点J2-1，继电器J2触点J2-1另一端分别连接三极管VT2发射极和电容C1，电容C1另一端连接单向可控硅VS1的G极，单向可控硅VS1的A极连接继电器J2线圈，继电器J2线圈另一端连接电阻R1另一端，单向...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯飞燕，
申请(专利权)人：南安泰达工业设计有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35