多色彩画作型太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术提供一种多色彩画作型太阳能电池的制造方法包含以下步骤。形成一光电转换层于一基材上。根据一画作所需的底色，形成一抗反射层于上述光电转换层上方。根据画作所需的第一图案的第一颜色，蚀刻抗反射层的第一图案的区域至第一颜色对应的厚度。根据画作所需的第二图案的第二颜色，蚀刻抗反射层的第二图案的区域至第二颜色对应的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种将太阳辐射能量转换为电能的光伏特电池，特别是有关于具有色彩调变的太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
太阳能电池或光伏特电池是将阳光的光能通过光电转换机制转换为电能。近年来，在全球化环境保护的浪潮之下，太阳能电池供应电力被寄予厚望，并已积极进行研究发展，期能获致广泛的商业化。基于装饰需求或视觉美观的因素，太阳能电池可能需要有不同的外观色彩，例如当将太阳能电池应用在建筑物的屋顶或外墙时，若考虑建筑设计美观时，即使需要与建筑物或周遭环境的颜色做整体搭配。 而已知制造多色彩太阳能电池的技术大都通过叠合多层抗反射层来赋予太阳能电池不同的色彩，因此需较复杂设计或制程。如何在影响太阳能功率转换效率较小的前提下，而能获致多种色彩太阳能电池者，为此业界人士的所需。
技术实现思路
因此，本专利技术的一目的是在提供一种创新的多色彩画作型太阳能电池(Multi-color crayoned solar cells)的制造方法。根据上述的目的，一种，其包含以下步骤。形成一光电转换层于一基材上。根据一画作所需的底色，形成一抗反射层于上述光电转换层上方。根据画作所需的第一图案的第一颜色，蚀刻抗反射层的第一图案的区域至第一颜色对应的厚度。根据画作所需的第二图案的第二颜色，蚀刻抗反射层的第二图案的区域至第二颜色对应的厚度。依据本专利技术一实施例，抗反射层包含氮化硅或氧化硅。依据本专利技术另一实施例，蚀刻抗反射层的方法更包含形成一蚀刻胶于抗反射层上，以蚀刻抗反射层至所需的厚度。依据本专利技术另一实施例，蚀刻胶包含氢氟酸盐。依据本专利技术另一实施例，上述制造方法还包含根据画作所需的第三图案的第三颜色，蚀刻抗反射层的第三图案的区域至第三颜色对应的厚度。由上述可知，应用本专利技术的，先根据一画作所需的底色形成一抗反射层于上述光电转换层上方，再根据画作所需的各种图案的各种颜色，将抗反射层蚀刻至各种图案对应的厚度以实现多色彩的太阳能电池。此制造方法有别于已知以层叠多层抗反射层的方式实现多色彩的手段，且简化已知形成多层抗反射层的复杂度。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图说明如下图1-6是绘示依照本专利技术一实施方式的一种的流程剖面图。主要组件符号说明100:太阳能电池110:基材111 :光电转换层 112 :N型半导体层114:P_N 接面116:抗反射120 :第一图案122:第二图案124 :第三图案126:电极128:电极D :厚度D1 :厚度D2 :厚度D3 :厚度具体实施例方式请参照图1-6，其绘示依照本专利技术一实施方式的一种多色彩画作型太阳能电池100的制造方法的流程剖面图。请参照图I的N型半导体层112形成设置于P型半导体基材110上，而于其间形成有P-N接面114，故而在P-N接面114处形成有电场。因此，当光线照射至此时，电场形成之处即产生正电荷载子(positive charge carriers)和负电荷载子(negative charge carriers),因而产生电流流经P_N接面114,此即称为光电转换机制。广义来说，P型半导体基材110和N型半导体层112的组合，即用以建构光电转换层111用以转换入射光产生电能。P型半导体层110可以是P型硅基材，而N型半导体层112沉积于P型硅基材上方，经由N型杂质掺杂入P型硅基材而得。同理，N型半导体基材和P型半导体层的组合，也可以用来建构光电转换层。广义而论，光电转换层111可以是由一种或多种半导体物质所构成，此半导体物质可以是单晶(single crystalline)、多晶(polycrystalline)、非晶(amorphous)状态的娃、锗或类似的半导体材料。如图2所示，透明抗反射层116的是形成设置于光电转换层111上方，可以是由氮化娃(silicon nitride)或氧化娃(silicon oxide)材质所构成,其形成方法可以是蒸镀法(evaporation)、派镀法(sputtering)、印刷法(print screen)、化学气相沉积法(CVD)或其它熟悉此技艺的人士所知悉的方式。抗反射层116用以降低电池单元表面的光反射损失(reflective loss)。抗反射层116的厚度也同时决定太阳能电池100的颜色。在本实施例中，先根据一多色彩画作所需的底色，形成一抗反射层116于上述光电转换层111上方。抗反射层116的厚度D是根据画作所需底色而决定。如图3所示，形成第一颜色的第一图案120于抗反射层116上。执行的方式是根据画作所需的第一图案120的第一颜色，蚀刻抗反射层116的第一图案120的区域至第一颜色对应的厚度Dp在本实施例中，蚀刻抗反射层116的方式是网印一蚀刻胶于第一图案120的区域，借以蚀刻抗反射层116至所需的厚度。蚀刻胶可以是含氢氟酸盐等的蚀刻胶，但不局限于此。如图4所示，形成第二颜色的第二图案122于抗反射层116上。执行的方式是根据画作所需的第二图案122的第二颜色，蚀刻抗反射层116的第二图案122的区域至第二颜色对应的厚度D2。在本实施例中，蚀刻抗反射层116的方式是网印一蚀刻胶于第一图案122的区域，借以蚀刻抗反射层116至所需的厚度。蚀刻胶可以是含氢氟酸盐等的蚀刻胶，但不局限于此。如图5所示，形成第三颜色的第三图案124于抗反射层116上。执行的方式是根 据画作所需的第三图案124的第三颜色，蚀刻抗反射层116的第三图案124的区域至第三颜色对应的厚度D3。在本实施例中，蚀刻抗反射层116的方式是网印一蚀刻胶于第一图案124的区域，借以蚀刻抗反射层116至所需的厚度。蚀刻胶可以是含氢氟酸盐等的蚀刻胶，但不局限于此。上述的画作可根据设计者的需求，蚀刻抗反射层至两种、三种或更多种厚度的图案，以实现画作多色彩的可能性。上述抗反射层厚度与图案颜色的关系会因为抗反射层的材料、制程参数等不同，而有不图同的抗反射层厚度与图案颜色的对应关系，因此本案并未列出“厚度数据”对应“图案颜色”的关系。如图6所不，电极(126、128)分别形成设置于光电转换层111相对应的表面上方，其形成方法可以是蒸镀法(evaporation)、派镀法(sputtering)、印刷法(print screen)、化学气相沉积法(CVD)或其它熟悉此技艺的人士所知悉的方式。图6仅为示意电极(126、128)相对于光电转换层111的位置，故省略绘示上述图2-5中的图案。电极126是形成设置于光电转换层111的正面，且贯穿抗反射层116而电性连接至光电转换层111 ;电极128则形成设置光电转换层111的背面，且与P型半导体基材110相接触。电极(126、128)可以是由金层或合金所构成，其材质可以是金、银、铝、铜、钼等类似物质，亦可以是诸如氧化铟锡(ITO)或氧化锌(ZnO)等透明导电氧化物(transparent conductiveoxide)。电极(126、128)即成为光电转换层111的两个电性端子。当太阳能电池100接受太阳光照射时，电极(126、128)是用以对光电转换层111所产生的电能进行充、放电操作。较佳而言，电极128可以设置成各种形状,诸如凹凸起伏(concavo-convex)结构，以利光能聚集(l本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多色彩画作型太阳能电池的制造方法，其特征在于，至少包含：形成一光电转换层于一基材上；根据一画作所需的底色，形成一抗反射层于上述光电转换层上方；根据该画作所需的第一图案的第一颜色，蚀刻该抗反射层的该第一图案的区域至该第一颜色对应的厚度；以及根据该画作所需的第二图案的第二颜色，蚀刻该抗反射层的该第二图案的区域至该第二颜色对应的厚度。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭明锦，吴至升，蔡锦堂，陈添赐，欧乃天，
申请(专利权)人：昱晶能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：