有机电致发光显示装置制造方法及图纸

公开一种有机电致发光显示装置。所述有机电致发光显示装置包括：第一基板，该第一基板包括具有多个像素区域的显示区域；在每个像素区域中的第一电极；在所述第一电极上的有机发光层；在所述有机发光层上并在所述显示区域中的第二电极，其中所述第二电极包括：具有第一重量百分比、第一功函数和第一薄层电阻的第一金属材料；以及具有小于所述第一重量百分比的第二重量百分比、小于所述第一功函数的第二功函数和大于所述第一薄层电阻的第二薄层电阻的第二金属材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机电致发光显示装置。
技术介绍
直到最近，显示装置一般使用阴极射线管(CRT)。目前，作为CRT的替代品，正在进行很多努力和研究以发展各种类型的平板显示器，如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)、场致发射显示器和有机电致发光显示(OELD)装置。在这些平板显示器中，OELD装置具有诸如低功率驱动、薄外形、宽视角、轻重量以及快速响应时间之类的很多优点。OELD装置广泛用于各种电子装置，如TV、显示器、移动电话等。OELD装置包括阵列元件和发光二极管。阵列元件包括与栅极线和数据线连接的开关薄膜晶体管、以及与有机发光二极管连接的驱动薄膜晶体管，发光二极管包括与驱动薄膜晶体管连接的第一电极、有机发光层和第二电极。从有机发光二极管产生的光经第一或第二电极发射，以显示图像。考虑到开口率，提出了使用穿过第二电极的光显示图像的顶发射型0ELD。然而，为了防止对有机发光层的损害，不能使用溅射方法在有机发光层上形成第二电极，其中溅射方法是沉积金属材料的一种常规方法。相应地，一般使用真空热沉积方法形成第二电极。第一电极由诸如具有高功函数的氧化铟锡(ITO)这样的透明导电材料形成，以用作阳极；第二电极由具有低功函数的金属材料形成，以用作阴极。然而，因为用于第二电极的金属材料是不透明的，所以当将金属材料沉积成与常规电极相同的厚度，即1000人到4000人时，光不能穿过。因此，为了获得第二电极的透明度，将第二电极形成为具有10人到200人的厚度。在这种情况下，第二电极的光透射率达到15%或更大，这基本上是正常显示装置的亮度级别。然而，当第二电极形成为具有上述厚度时，第二电极的薄层电阻变为20欧姆/平方(Q/ 口)到1000欧姆/平方(Q/口)。在这种情况下，因为第二电极的电阻增加，所以驱动电压增加，因而功耗增加。因此，当OELD装置用在便携式电子装置中时，会导致电池短时间内放电。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷提出本专利技术。根据本专利技术，一种有机电致发光显示装置包括第一基板，该第一基板包括具有多个像素区域的显示区域；在每个像素区域中的第一电极；在所述第一电极上的有机发光层；在所述有机发光层上并在所述显示区域中的第二电极，其中所述第二电极包括具有第一重量百分比、第一功函数和第一薄层电阻的第一金属材料；以及具有小于所述第一重量百分比的第二重量百分比、小于所述第一功函数的第二功函数和大于所述第一薄层电阻的第二薄层电阻的第二金属材料。应当理解，本专利技术前面的大体描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，意在对要求保护的本专利技术提供进一步的解释。附图说明给本专利技术提供进一步理解并组成本申请一部分的附图示出了本专利技术的实施方式并与说明书一起用于说明本专利技术的原理。在附图中图I是根据本专利技术实施方式的OELD装置的电路图； 图2A和2B是示出根据本专利技术实施方式的OELD装置的显示区域的剖面图；图3A和3B分别是第一和第二比较例的第二电极的SEM照片；以及图4A到4C分别是第一到第三实施例的第二电极的SEM照片。具体实施例方式现在详细描述本专利技术的具体实施方式，附图中示出了这些实施方式。图I是根据本专利技术实施方式的OELD装置的电路图。参照图1，本专利技术实施方式的OELD装置100的像素区域包括开关薄膜晶体管STr、驱动薄膜晶体管DTr、存储电容器StgC和有机发光二极管E。栅极线GL沿第一方向延伸，数据线DL沿与第一方向交叉的第二方向延伸。栅极线GL和数据线DL限定像素区域。提供电源电压的电源线PL与数据线DL相分隔地延伸。开关薄膜晶体管STr与栅极线GL和数据线DL连接，驱动薄膜晶体管DTr与开关薄膜晶体管STr连接。有机发光二极管E的第一电极与驱动薄膜晶体管DTr的漏极连接(或接触)，有机发光二极管E的第二电极与接地端子连接。提供给电源线PL的电源电压通过驱动薄膜晶体管DTr施加给有机发光二极管E。存储电容器StgC连接在驱动薄膜晶体管DTr的栅极和源极之间。当给栅极线GL提供栅极信号时，开关薄膜晶体管STr导通，提供给数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管STr施加给驱动薄膜晶体管DTr的栅极。因此，驱动薄膜晶体管DTr导通，有机发光二极管发光。根据施加给驱动薄膜晶体管DTr的栅极的数据信号的电平确定流经有机发光二极管E的电流电平，根据电流电平确定从有机发光二极管E发射的光的亮度。当开关薄膜晶体管STr截止时，存储电容器StgC存储驱动薄膜晶体管DTr的栅极的电压。图2A和2B是示出根据本专利技术实施方式的OELD装置的显示区域的剖面图。该显示区域具有多个像素区域。为了解释的目的，将形成有驱动薄膜晶体管DTr的区域称为驱动区域DA，将形成有开关薄膜晶体管(未示出)的区域称为开关区域。此外，图2A和28的OELD装置101之间的相同组件具有相同的附图标记并将一起进行说明。参照图2A和2B，OELD装置101包括阵列基板和对向基板170，所述阵列基板包括在基板Iio上的开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管DTr和有机发光二极管E。对向基板170可由无机或有机膜代替。在基板110上的驱动区域DA中形成有半导体层113。半导体层113包括在中心部分处由本征多晶硅形成并用作沟道的第一区域113a、以及在两侧的每一侧处由掺杂有杂质的多晶硅形成的第二区域113b。尽管图中未示出，但在开关区域中形成有与半导体层113具有相同构造的另一半导体层。可在基板110与半导体层113之间形成缓冲层。缓冲层可由无机绝缘材料，例如二氧化硅(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。缓冲层用于防止半导体层113的特性由于在使半导体层113结晶时从基板110发射的碱性离子而恶化。在半导体层113上形成有栅极绝缘层116。在对应于第一区域113a的栅极绝缘层116上形成有栅极120。此外，在栅极绝缘层116上形成有栅极线(未示出)，该栅极线 与开关区域中形成的栅极(未示出)连接。在栅极120和栅极线上形成有由诸如二氧化硅(SiO2)或硅氮化物(SiNx)这样的无机绝缘材料形成的层间绝缘膜123。在层间绝缘膜123和栅极绝缘层116中形成有半导体接触孔125，以暴露对应的第二区域113b。在层间绝缘膜123上形成有数据线和与数据线隔开的电源线。数据线与栅极线交叉以形成像素区域P。此外，在层间绝缘膜123上的驱动区域DA和开关区域的每一个中都形成有源极133和漏极136。源极133和漏极136分别通过半导体接触孔125接触第二区域 113b。驱动区域DA中的半导体层113、栅极绝缘层116、栅极120、层间绝缘膜123以及源极133和漏极136形成驱动薄膜晶体管DTr。此外，开关区域中的开关薄膜晶体管具有与驱动薄膜晶体管DTr相同的结构。开关薄膜晶体管与栅极线和数据线连接，并进一步与驱动薄膜晶体管DTr的栅极120连接。根据半导体层113所掺杂的杂质的类型，驱动薄膜晶体管DTr和开关薄膜晶体管可以是P型或n型。当使用p型薄膜晶体管时，由诸如硼(B)这样的III族元素作为掺杂剂来掺杂第二区域113b。当使用n型薄膜晶体管时，由诸如磷(P)这样的V族元素作为掺杂剂来掺杂第二区域113b。p型薄膜晶体管使用空穴作为载流子，而n型薄膜晶体管使用电子作为载流子。因此，根本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光显示装置，所述有机电致发光显示装置包括：第一基板，该第一基板包括具有多个像素区域的显示区域；在每个像素区域中的第一电极；在所述第一电极上的有机发光层；在所述有机发光层上并在所述显示区域中的第二电极，其中所述第二电极包括：具有第一重量百分比、第一功函数和第一薄层电阻的第一金属材料；以及具有小于所述第一重量百分比的第二重量百分比、小于所述第一功函数的第二功函数和大于所述第一薄层电阻的第二薄层电阻的第二金属材料。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金相大，崔盛勋，李锡宗，韩圭一，金炳秀，朴银贞，琴台一，曺贵正，曺永德，尹弘济，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：