本发明专利技术提供一种液晶显示装置的制造方法以及液晶显示装置，其能够减少层数、抑制制造成本并且抑制点亮异常而实现制造成品率的提高。在使用了具有像素部(a)和周边部(c)的基板的液晶显示装置的制造方法中，在栅极绝缘膜(3)上形成半导体层(4)和像素电极(5)之后，在基板上将导电膜在整个平面上形成，将光致抗蚀剂图案(photo?resist?pattern)作为掩模，形成对像素部(a)的半导体层(4)与像素电极(5)进行电连接的漏电极，并且使像素部(a)和周边部(c)中的半导体层(4)露出，将周边部的半导体层(4)用作蚀刻量的指标而对像素区域(a)的半导体层(4)进行蚀刻。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种横向电场方式的液晶显示装置的制造方法以及液晶显示装置。
技术介绍
在被用于液晶显不装置的液晶显不面板中，配置有TFT基板和对置基板，在TFT基板与对置基板之间夹持有液晶，其中，该TFT基板的具有像素电极和薄膜晶体管(TFT)等的像素形成为矩阵状，该对置基板与TFT基板相对地在与TFT基板的像素电极对应的位置形成有滤色器等。然后，按每个像素来控制由液晶分子引起的光的透过率，由此形成图像。 液晶显示装置为平板且轻量，因此广泛应用于各种领域。小型液晶显示装置广泛适用于便携式电话机、DSC(Digital Still Camera :数字照相机)等。在液晶显示装置中视 场角特性为一个问题。视场角特性是在从正面观察画面的情况以及从倾斜方向观察画面的情况下亮度发生变化或者色度发生变化的现象。视场角特性具有如下特性采用通过水平方向的电场(横向电场)使液晶分子进行动作的IPS(In Plane Switching :平面转换)方式表现良好(例如专利文献I)。IPS方式也存在各种方式，例如，以下方式能够使透过率增加，即在整个平面形成公共电极(公用电极)或者像素电极，在该公共电极或者像素电极上夹持绝缘膜来配置梳齿状的像素电极或者公共电极，通过在像素电极与公共电极之间产生的电场来使液晶分子旋转，因此当前这种方式成为主流。在以上方式的IPS中，以往，首先，形成TFT，使用钝化膜来覆盖TFT，在该钝化膜上形成上述公共电极(或者像素电极)、绝缘膜、像素电极(或者公共电极)等。但是，由于要求降低制造成本，因此目前在减少TFT基板中的导电膜、绝缘膜等的层数。专利文献I :日本特开2010-8999号公报
技术实现思路
图I是用于说明包括以往的IPS方式的问题、即TFT基板中的导电膜、绝缘膜等的层数减少在内的、专利技术人研究得到的新TFT基板的制法以及结构的截面图，图4是TFT基板的俯视图。如图4所不，TFT基板具有基板I、广品部(液晶显不装置部)12、广品像素部13、产品布线部14以及膜厚TEG部17。在本图中包括两个产品部。说明该TFT基板的制造方法。如图I的(a)所示，在由玻璃形成的基板I上形成栅电极2 (栅电极形成工序)。栅电极2例如具有在Al (铝)及其化合物、合金上层叠Mo (钥)及其化合物、合金而成的结构。接着，如图I的(b)所示，在形成了栅电极2的基板I上通过SiN(氮化硅)的CVD法来形成栅极绝缘膜3，进而，在栅极绝缘膜3上在栅电极2的上方形成半导体层4 (栅极绝缘膜形成工序、半导体层形成工序)。作为半导体层4通过CVD法来形成a-Si膜。该半导体层4的预定区域成为TFT中的沟道层。接着，如图I的(C)所示，在形成了半导体层4的基板I上于整个平面形成ITO膜之后，通过光刻法进行图案形成以去除半导体层4上的ITO膜，从而形成像素电极5 (像素电极形成工序)。接着，如图I的(d)所示，在形成了半导体层4和像素电极5的基板I上于整个平面形成Mo膜、或以Mo膜、含有Al的Mo膜夹持Al膜而成的多层膜之后，通过将光致抗蚀剂膜7用作蚀刻掩模的光刻法，进行图案形成以使得预定区域的半导体层和像素电极露出而Mo等的膜从半导体层4上面向像素电极上面延伸而残留，从而形成漏电极6 (漏电极形成工序)，并且进行所露出的半导体层4的沟道蚀刻8 (沟道蚀刻工序)。使用SF6XF4等含氟的反应气体来进行半导体层4的蚀刻。像素电极5的一部分与漏电极6重叠，像素电极5与漏电极6进行电连接。在半导体层4与漏电极6之间形成未图示的n+Si层使得采取欧姆接触。 接着，如图I的(e)所示，形成绝缘膜(钝化膜)9以覆盖沟道蚀刻过的半导体层4、像素电极、漏电极6等(绝缘膜形成工序)。该绝缘膜9为SiN膜，通过CVD法来形成该绝缘膜9。接着，如图I的(f)所示，使用ITO膜来形成公共电极(在像素电极5上部为梳齿状)(公共电极形成工序)。此外，用于保护原来的TFT而形成钝化膜9，但是在图I中，钝化膜9兼做公共电极10与像素电极5之间的绝缘膜的作用。之后，经过以下工序来完成液晶显示装置(i)形成了滤色器等的对置基板的粘贴；(ii)液晶填充；(iii)粘贴后的基板的切断；(iv)驱动电路搭载；以及(V)背光灯的安装等。此外，上述(i) (iii)的顺序不限。可知通过上述工序制造出的TFT基板与以往的IPS方式的结构相比，漏电极与像素电极之间的绝缘膜的形成工序、加工工序被省略而实现了低成本化。然而，进行了更多研究的结果是，明确了在具备通过上述工艺制造出的TFT基板的液晶显示装置中会产生点亮异常。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，本专利技术的目的在于提供一种能够减少层数、抑制制造成本并且抑制点亮异常而实现制造成品率的提高的液晶显示装置的制造方法、以及可靠性高的液晶显示装置。作为用于达到上述目的的一个实施方式，液晶显示装置的制造方法的特征在于，具有以下工序第二工序，在基板的第一区域内形成第一半导体层，在第二区域内形成第二半导体层；第三工序，在上述第一区域内与上述第一半导体层分离地形成第一电极，在上述第二区域内与上述第二半导体层分离地形成第二电极；第四工序，形成对上述第一区域的上述第一半导体层与上述第一电极进行电连接的第三电极，并且使上述第一半导体层和上述第二半导体层露出；以及第五工序，将上述第二半导体层用作蚀刻量的指标而对所露出的上述第一半导体层进行蚀刻。另外，作为液晶显示装置在基板上的第一区域内设置有像素区域，其特征在于，在上述像素区域内设置有栅电极；设置于上述栅电极上的栅极绝缘膜；设置于栅电极上部的上述栅极绝缘膜上的半导体层；与上述半导体层分离地配置的像素电极；漏电极；以及配置于上述像素电极的上部的公共电极，其中，上述漏电极配置在上述半导体层和上述像素电极上，并对上述半导体层和上述像素电极进行电连接，在上述基板上的第二区域内设置有与上述像素电极同时形成的由同一材料形成的电极。根据本专利技术，在像素区域内形成像素电极之后形成漏电极，在膜厚TEG周边也形成像素电极，由此能够提供一种减少层数、抑制制造成本并且抑制点亮异常而能够实现制造成品率的提高的液晶显示装置的制造方法、以及可靠性高的液晶显示装置。附图说明图I是表示用于说明本专利技术的研究结果的液晶显示装置的TFT基板的像素区域内的制造工序的概要截面图，(a)是栅电极形成工序，(b)是栅极绝缘膜以及半导体层形成工序，(C)是像素电极形成工序，(d)是漏电极形成以及沟道蚀刻工序，(e)是绝缘膜形成工序，(f)是公共电极形成工序。图2是表示用于说明本专利技术的研究结果的液晶显示装置的TFT基板的膜厚TEG周边的制造工序的概要截面图，(a)是栅电极形成工序，(b)是栅极绝缘膜以及半导体层形成工序，(C)是像素电极形成工序，(d)是漏电极形成以及沟道蚀刻工序，(e)是绝缘膜形成工 序，(f)是公共电极形成工序。图3是表示本专利技术第一实施例的液晶显示装置的TFT基板的膜厚TEG周边的制造工序的概要截面图，(a)是栅电极形成工序，(b)是栅极绝缘膜以及半导体层形成工序，(C)是像素电极形成工序，(d)是漏电极形成以及沟道蚀刻工序，(e)是绝缘膜形成工序，(f)是公共电极形成工序。图4是用于说明本专利技术的研究结果的液晶显示装置的TFT基板的概要本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：第二工序，在基板的第一区域内形成第一半导体层，在第二区域内形成第二半导体层；第三工序，在上述第一区域内与上述第一半导体层分离地形成第一电极，在上述第二区域内与上述第二半导体层分离地形成第二电极；第四工序，形成对上述第一区域的上述第一半导体层与上述第一电极进行电连接的第三电极，并且使上述第一半导体层和上述第二半导体层露出；以及第五工序，将上述第二半导体层用作蚀刻量的指标而对所露出的上述第一半导体层进行蚀刻。
【技术特征摘要】
2011.04.11 JP 2011-0873881.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序 第二工序，在基板的第一区域内形成第一半导体层，在第二区域内形成第二半导体层； 第三工序，在上述第一区域内与上述第一半导体层分离地形成第一电极，在上述第二区域内与上述第二半导体层分离地形成第二电极； 第四工序，形成对上述第一区域的上述第一半导体层与上述第一电极进行电连接的第三电极，并且使上述第一半导体层和上述第二半导体层露出；以及 第五工序，将上述第二半导体层用作蚀刻量的指标而对所露出的上述第一半导体层进行蚀刻。2.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于， 具有以下工序 栅电极形成工序，在玻璃基板的像素区域内形成第一栅电极，在膜厚TEG部中形成第二栅电极； 栅极绝缘膜形成工序，在形成了上述第一栅电极和上述第二栅电极的上述玻璃基板上形成栅极绝缘膜； 半导体层形成工序，在上述像素区域的形成了上述第一栅电极的上述栅极绝缘膜上形成第一半导体层，在上述膜厚TEG部的形成了上述第二栅电极的上述栅极绝缘膜上形成第二半导体层； 像素电极形成工序，在像素区域的上述栅极绝缘膜上与上述第一半导体层分离地形成第一像素电极，在上述膜厚TEG部的周边的上述栅极绝缘膜上与上述第二半导体层分离地形成第二像素区域； 漏电极形成工序，在上述玻璃基板上将导电膜在整个平面形成之后，将光致抗蚀剂图案作为掩模，形成对上述像素区域的上述第一半导体层与上述第一像素电极进行电连接的漏电极，并且使上述第一半导体层和上述第二半导体层露出； 沟道蚀刻工序，继续将上述光致抗蚀剂图案作为掩模，...
【专利技术属性】
技术研发人员：土屋健司，羽泽荣作，山本洋明，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：
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