半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，具体地说是与腐蚀槽、喷淋式预冲槽配套使用，用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶、清洗等工序的冲水，属于湿法腐蚀工序中的设备。其主要采用高低冲水槽前后阶梯式排列组成一体，在高冲水槽后部连接进水管。低冲水槽底部设置排水孔；高冲水槽上设有流水槽。本实用新型专利技术将原水平排列的溢流槽改为前后阶梯式排列，并比预冲槽高出一点，避免了圆片转移过程中酸水对纯水的污染；纯水从高端进入，并从顶部和底部流到低端继续使用，可以节省一半纯水的；不另外用进水管，其水的电阻率能满足初步冲洗要求。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，其特征是采用高低冲水槽（２、３）前后阶梯式排列组成一体，在高冲水槽（２）后部连接进水管（１）、进气管（６）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱国伟，姚承锡，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]