【技术实现步骤摘要】
本技术涉及化合物半导体器件领域，尤其涉及一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构。
技术介绍
传统的平面LED芯片垂直结构所发出的光因为临界角被限制而不容易射出平面LED芯片垂直结构外部，导致平面LED芯片垂直结构的光取出效率十分低，不能满足人们的使用需求。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本技术的目的在于提供一种增加光取出 效率的LED芯片垂直结构去满足人们的使用需求。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案内容具体如下一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其包括外延层、设置在外延层顶部并设有椭圆开孔的反射罩、分别设置在外延层顶部和底部的正极欧姆电极和负极欧姆电扱、设置在负极欧姆电极底部的蓝宝石基座、与椭圆开孔尺寸相匹配的椭球形微透镜；所述椭球形微透镜嵌入所述椭圆开孔中。优选地，本技术的増加光取出效率的LED芯片垂直结构还包括ー焊料反射层；所述负极欧姆电极底部通过所述焊料反射层连接所述蓝宝石基座。优选地，所述焊料反射层为Ag层或Al层或Ag合金层或Al合金层或In层或In合金层或Cu层或金锡焊料层或铅锡焊料层或导电胶层。优选地，本技术的増加光取出效率的LED芯片垂直结构还包括背金层；所述背金层设于蓝宝石基座的底部。优选地,所述背金层为Au层或Ag层或Al层或GeAu合金层或AuBe合金层。优选地,所述蓝宝石基座是Cu或CuW合金或AuAl或Si或GaAs或InP或AlN或金刚石或镍铁合金或镍制成的导电导热基座。优选地，所述的导电导热基座的厚度为50-500微米。与现有技术相比，本技术产生了如下有益效果I、设置椭球形微透镜配合与其匹配的反射罩，使増加...
【技术保护点】
一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于：其包括外延层、设置在外延层顶部并设有椭圆开孔的反射罩、分别设置在外延层顶部和底部的正极欧姆电极和负极欧姆电极、设置在负极欧姆电极底部的蓝宝石基座、与椭圆开孔尺寸相匹配的椭球形微透镜；所述椭球形微透镜嵌入所述椭圆开孔中。
【技术特征摘要】
1.一种增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于其包括外延层、设置在外延层顶部并设有椭圆开孔的反射罩、分别设置在外延层顶部和底部的正极欧姆电极和负极欧姆电极、设置在负极欧姆电极底部的蓝宝石基座、与椭圆开孔尺寸相匹配的椭球形微透镜；所述椭球形微透镜嵌入所述椭圆开孔中。2.如权利要求I所述的增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于还包括一焊料反射层；所述负极欧姆电极底部通过所述焊料反射层连接所述蓝宝石基座。3.如权利要求2所述的增加光取出效率的LED芯片垂直结构，其特征在于所述焊料反射层为Ag层或Al层或Ag合金层或Al合金层或In层或In合金层或Cu层或金锡焊料层...
【专利技术属性】
技术研发人员：阳丽，邸宁，刘卫平，
申请(专利权)人：深圳新阳蓝光能源科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。