一种硅基太阳能电池串及其封装成的光伏组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅基太阳能电池串及其封装成的光伏组件，硅基太阳能电池串是由两个以上功率、工作电流相同或相近的N型和P型硅基太阳能电池片按照P-N-P-N…或者N-P-N-P…的顺序间隔排列组成的，相邻的N型和P型硅基太阳能电池片的正面电极栅线与正面电极栅线之间由导电体焊接连接，背面电极栅线与背面电极栅线之间由导电体焊接连接。光伏组件是由上述硅基太阳能电池串串并联焊接组装形成的。本实用新型专利技术减小了组件封装过程中电池片与电池片之间的距离，减小了组件的总体面积，提高了组件的光电转换率，可以使组件的单位面积功率提高2%以上。并且，避免了导电体的双向弯曲，焊接过程中不再造成碎片，焊接工艺更为简单。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种硅基太阳能电池串及其封装成的光伏组件。
技术介绍
娃基太阳能电池中涉及P型和N型半导体，P型半导体(P指positive,带正电)由硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素(通常为B)组成，会在半导体内部形成带正电的空穴；N型半导体(N指negative,带负电):由娃通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会在半导体内部形成带负电的自由电子。太阳电池能量由光能转换为电能的基础是PN结的光生伏特效应。光照射到电 池上产生电子一空穴对，电子一空穴对到达空间电荷区后，受内建电场的吸引，电子流入N区，空穴流入P区，结果使N区储存了过剩的电子，P区有过剩的空穴。它们在PN结附近形成与势垒方向相反的光生电场。光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外，还使P区带正电，N区带负电，在N区和P区之间产生电动势。娃基太阳能电池片有P型娃基太阳能电池片和N型娃基太阳能电池片，P型桂基太阳能电池片是基于P型硅片，表面扩散磷元素形成N+层发射区的P型太阳能电池片，原理如图I所示。N型硅基太阳能电池片是基于N型硅片制造的N型太阳能电池片，表面扩散硼元素形成P+层发射区，原理如图2所示。太阳能电池组件是由一个或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基太阳能电池串，其特征在于其是由两个以上功率、工作电流相同或相近的N型硅基太阳能电池片和P型硅基太阳能电池片按照P-N-P-N…或者N-P-N-P…的顺序间隔排列组成的，相邻的N型硅基太阳能电池片和P型硅基太阳能电池片的正面电极栅线与正面电极栅线之间由导电体焊接连接，背面电极栅线与背面电极栅线之间由导电体焊接连接。2.根据权利要求I所述的硅基太阳能电池串，其特征在于所述的导电体都为焊带或者都为导电胶或者都为电路板焊接所使用的导电体，或者其中一个导电体为焊带，另一个导电体为导电胶，或者一个导电体为焊带，另一个导电体为电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建国，励旭东，张东，刘玉海，
申请(专利权)人：巨力新能源股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：