用于结晶相变材料的再生的沉积后方法技术

用于形成相变存储器单元的技术。示例方法包括在衬底内形成底电极。所述方法包括在所述底电极上形成相变层。所述方法包括形成覆盖层和绝缘层。所述方法包括使所述相变层中的所述相变材料结晶，使得所述相变层无空隙。所述方法还包括从所述底电极开始加热所述相变层中的所述相变材料，并且导致所述相变层从下到上结晶。在一个实施例中，应用快速热退火（RTA）用于使所述相变材料结晶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及计算机存储器，更具体地涉及在相变存储器单元(cell)中形成基本上无空隙(void free)的结晶相变材料。
技术介绍
计算机存储器主要有两类非易失性存储器和易失性存储器。在非易失性存储器中不必为了保持信息而恒定输入能量，但这在易失性存储器中是需要的。非易失性存储器设备的示例是只读存储器(ROM)、闪存电可擦除只读存储器、铁电随机存取存储器、磁随机存取存储器(MRAM)、以及相变存储器(PCM);非易失性存储器设备是存储器元件的状态可以无需功耗地保持几天到几十年的存储器。易失性存储器设备的示例包括动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM);其中DRAM需要不断刷新存储元件，而SRAM需要 恒定供应能量以维持存储器元件的状态。本专利技术针对相变存储器。在相变存储器中，信息存储在可以被操纵成为不同相(phase)的材料中。这些相的每一个展现出可以用于存储信息的不同电学属性。因为非晶和结晶相具有可检测的电阻差，所以它们是用于位存储的(I和O的)两种典型相。具体地，非晶相比结晶相具有更高的电阻。硫化物是通常用作相变材料的一类材料。这类材料包括硫族元素(元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.09 US 12/702,4061.一种用于形成存储器单元的方法，所述方法包括 在电介质衬底中形成底电极，所述底电极是导热体； 至少在所述底电极上形成相变材料的层； 在所述相变材料上形成绝热层，其中所述绝热层具有比所述底电极更低的导热性；以及 退火所述相变材料，使得所述相变材料至少在转换区域内从所述底电极开始逐步结晶。2.如权利要求I所述的方法，其中所述相变材料在结晶相和非晶相之间是可设计的。3.如权利要求I所述的方法，还包括在退火所述相变材料之后移除所述绝热层。4.如权利要求I所述的方法，其中退火所述相变材料包括加热所述相变材料，使得所述底电极上的至少一些所述相变材料变得熔化。5.如权利要求4所述的方法，其中加热所述相变材料包括将快速热退火RTA工艺应用于所述衬底。6.如权利要求5所述的方法，其中所述RTA工艺包括 将所述相变材料加热到700°C至750°C之间约一秒；以及 将所述相变材料冷却至少四秒。7.如权利要求4所述的方法，其中加热所述相变材料包括应用至少一个激光脉冲直射到所述底电极上。8.如权利要求I所述的方法，还包括在所述相变材料和所述绝缘层之间形成覆盖层，所述覆盖层包括与所述相变材料不发生化学反应的材料。9.如权利要求8所述的方法，还包括在所述相变材料结晶之后移除所述覆盖层。10.如权利要求I所述的方法，还包括 在所述底电极上形成通孔，其中所述底电极形成所述通孔的底部；以及 其中形成所述相变材料的层包括用所述相变材料填充所述通孔。11.如权利要求I所述的方法，还包括在所述相变材料结晶之后，移除所述相变材料的顶部的空隙。12.如权利要求11所述的方法，其中移除所述空隙包括对...

【专利技术属性】
技术研发人员：LH张，SM罗斯纳杰尔，AG施罗特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：