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用于形成相变存储器单元的技术。示例方法包括在衬底内形成底电极。所述方法包括在所述底电极上形成相变层。所述方法包括形成覆盖层和绝缘层。所述方法包括使所述相变层中的所述相变材料结晶，使得所述相变层无空隙。所述方法还包括从所述底电极开始加热所述相...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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