金属纳米线、其生产方法、透明导体及触控面板技术

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本 专利技术涉及金属纳米线及其生产方法，还涉及透明电导体和触控面板。
技术介绍
近年来，已经研究出各种生产方法来生产导电膜。其中，卤化银法是如下方法在膜上施加卤化银乳剂，使银层经受图案方式的(patternwise)光曝光，以得到用于导电性的银导电部分和用于提供透明度的开口部分，由此生产导电膜。此外，为了在膜的整个表面上供应电能，提出了结合使用诸如ITO等金属氧化物的方法。该方法的问题在于因为通常这种导电膜由诸如气相沉积、溅射和离子镀覆等真空沉积方法形成，所以生产成本高。为了降低生产成本，已经做出了通过施加ITO微粒来解决此问题的尝试。然而，必须大量施加ITO微粒来减小电阻。因此，透射率下降。因此，目前仍未解决基本的问题。存在关于采用银纳米线的透明导电膜的报道，据报道这种透明导电膜在透明度、电阻和减少金属使用量方面令人满意(例如，参见PTL I)。一般来说，已知金属纳米颗粒的熔点低于通常的体块金属的熔点。这是因为在纳米颗粒的情况下，暴露于表面的原子数(其能量高且不稳定)相对于内部原子数的比率较高。当纳米线具有除了线形以外的形状时，在加热后，纳米线的形状变化为球形，以使其表面积减小到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.24 JP 2009-2934081.一种金属纳米线，包括 银；以及 除银以外的金属； 其中，所述金属纳米线的平均长轴长度为I Pm或更大，且所述除银以外的金属比银贵重，并且 其中，当P (原子％)表示所述金属纳米线中的所述除银以外的金属的量且小(nm)表示所述金属纳米线的平均短轴长度时，P和$满足以下表达式I : 0. KPX 小0 5〈30 (表达式 I) 其中，P为0. 010原子％至13原子％，小为5nm至lOOnm。2.根据权利要求I所述的金属纳米线，其中比银贵重的所述金属是金和钼中的至少一种。3.根据权利要求I或2所述的金属纳米线，其中P(原子％)和(nm)满足以下关系(I)至(4)中的一个 (1)当小为5nm至40nm时，P为...

【专利技术属性】
技术研发人员：片桐健介，舟洼健，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：