一种低温烧结的铋基微波介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低温烧结的铋基微波介质陶瓷及其制备方法，该陶瓷材料结构表达式为：Bi(Fex/3Mo2x/3V1-x)O4，其中0.02≤x≤0.95。本发明专利技术的铋基高K低温烧结微波介质陶瓷材料具有以下特点：相对介电常数可调（32.8~75.5），低频下介电损耗小（tanδ<5×10-4，1MHz），微波性能良好（Qf＝9,100GHz~13,200GHz），烧结温度较低（800°C~840°C），谐振频率温度系数可调（-220ppm/°C~+240ppm/°C），化学组成及制备工艺简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子陶瓷及其制备领域，特别涉及ー种低温烧结的铋基微波介质陶瓷及其制备方法。
技术介绍
随着电子线路日益微型化、集成化和高频化，电子元件必须尺寸小，具有高频、高可靠、价格低廉和高集成度等特性。为移动通信器件和便携终端进ー步小型化，通常采用多层集成电路技术(multilayer integration circuit, MLIC)制造片式微波介质谐振器、滤波器及具有优良高频使用性能的片式陶瓷电容器(multilayer ceramic cap acitors,MLCC)等。低温共烧陶瓷(low temperature cofired ceramic,LTCC)以其优异的电学、机械、热学及エ艺特性，将成为未来电子器件集成化、模块化的首选材料。开发和研究LTCC材料和エ艺是微波器件小型化的关键。LTCC产品性能的优劣首先取决于所选用材料的性能。LTCC陶瓷材料主要包括，微波器件材料、封装材料和LTCC基板材料。介电常数是LTCC材料最关键的性能。要求介电常数在2 20000范围内系列化以适用于不同的工作频率。例如，相对介电常数为3. 8的基板适用于高速数字电路的设计；相对介电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种低温烧结的铋基微波介质陶瓷，其特征在干，该陶瓷的组成表述为Bi (FexZ3Mo2xZ3Vh)O4,其中 O. 02 ≤ x≤O. 95。2.如权利要求I所述的低温烧结的铋基微波介质陶瓷，其特征在于，所述的陶瓷中，Bi3+离子占据A位，Fe3+、V5+和MoO6+构成的复合离子占据B位。3.如权利要求I所述的低温烧结的铋基微波介质陶瓷，其特征在于，所述陶瓷的烧结温度为780 840°C，其相对介电常数为32. 8 75. 5，IMHz下介电损tan δ <5Χ 1θΛ微波性能Qf = 9，100 13，200GHz，谐振频率温度系数为-220 +240ppm/°C。4.ー种低温烧结的铋基微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤1)将钥、铁、钒和铋的氧化物按照Bi (Fex73Mo2x73V1^x)O4,0. 02 く x く O. 95 中 Bi Fe =Mo V的摩尔比混合后充分球磨，球磨后烘干、过筛并压制成块状体，然后在650 750°C下保温4 10h，得到样品烧块； 2)将样品烧块粉碎，充分球磨后烘干、造粒、过筛，将过筛后的粉末压制成块状体，然后在650 750°...

【专利技术属性】
技术研发人员：周迪，庞利霞，郭靖，姚熹，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：