一种屏蔽帽制造技术

本实用新型专利技术公开一种屏蔽帽，包括帽体，帽体具有一收容腔和一帽体壁，帽体壁包括绝缘层和导磁层。绝缘层位于内层，导磁层位于外层，或者是导磁层位于内层，绝缘层位于外层。导磁层由高导磁率高分子材料制成。本实用新型专利技术屏蔽帽的绝缘层能够起到绝缘密封的作用，导磁层能够屏蔽电磁信号，尤其对低频电磁信号的屏蔽效果更佳。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种屏蔽帽。
技术介绍
目前，电子元器件会产生电磁信号，该等电磁信号会干扰其他电子元器件。因此，迫切需要ー种能够对电子元器件的电磁信号进行屏蔽，进而能够实现使待 保护电子元器件既不对其它元器件产生电磁干扰，也保护待保护器件不受其它元器件的电磁干扰的屏蔽帽。
技术实现思路
本技术的目的在于提供ー种能够屏蔽电磁信号的屏蔽帽。为实现上述目的，本技术所提供ー种屏蔽帽，包括帽体，帽体具有一收容腔和ー帽体壁，帽体壁包括绝缘层和导磁层。优选地，所述绝缘层位于内层，所述导磁层位于外层，或者是导磁层位于内层，绝缘层位于外层。优选地，所述导磁层由高导磁率高分子材料制成。优选地，所述屏蔽帽为热缩屏蔽帽。优选地，所述绝缘层为热融胶层、PVC层或PET层。如上所述，本技术屏蔽帽包括帽体，帽体具有ー收容腔，帽体于收容腔形成有帽体壁，帽体壁包括绝缘层和导磁层，导磁层能够屏蔽电磁信号，尤其对低频电磁信号的屏蔽效果更佳。附图说明图I为本技术屏蔽帽第一实施例的示意图；图2为本技术屏蔽帽第二实施例的示意图。图中各附图标记说明如下帽体10 收容腔11帽体壁 12 绝缘层121/121’导磁层122/122，具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请參阅图1，其掲示了本技术屏蔽帽的第一实施例，包括帽体10，帽体10具有一收容腔11，帽体10于收容腔11形成有帽体壁12。帽体壁12包括绝缘层121和导磁层122。绝缘层121位于内层，导磁层122位于外层。绝缘层121可为热融胶层、PVC层或PET层，主要起绝缘密封作用。导磁层122可由高导磁率高分子材料制成，高导磁率高分子材料可以以高分子材料为基材，加入一定数量的高导磁率材料共混而成。高导磁率材料包括锰锌铁氧体材料、镍锌铁氧体材料、铜锌铁氧体材料、铁硅铝材料、羰基铁等。导磁层122采用高导磁率的材料，形成低磁阻的通路，通过屏蔽体的吸收衰减以达到屏蔽的效果，能够对电磁信号尤其是低频信号进行有效的屏蔽。请參阅图2，其掲示了本技术屏蔽帽的第二实施例，本实施例与第一实施例类似，其区别在于绝缘层121’位于外层，导磁层122’位于内层。 本技术并不局限于上述具体实施方式，熟悉本
的人员还可据此做出多种变化，但任何与本技术等同或相类似的变化都应涵盖在本技术权利要求的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种屏蔽帽，包括帽体，帽体具有一收容腔和ー帽体壁，其特征在于帽体壁包括绝缘层和导磁层。2.如权利要求I所述的屏蔽帽，其特征在于所述绝缘层位于内层，所述导磁层位于外层。3.如权利要求I所述的屏蔽帽，其特征在于所述导磁层位于内层，所述绝缘层位于外层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈锦龙，张明明，张定雄，饶喜梅，田立，
申请(专利权)人：深圳市沃尔核材股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：