基准电压电路制造技术

本发明专利技术提供基准电压电路，其温度特性良好。作为解决手段，使基于流过栅极和源极连接起来的第一耗尽型晶体管的电流的电流流过相同阈值的第三耗尽型晶体管，在栅极与源极之间产生电压，并使基于流过栅极和源极连接起来的第二耗尽型晶体管的电流的电流流过相同阈值的第四耗尽型晶体管，在栅极与源极之间产生电压。根据这两个电压的差电压来产生基准电压，由此获得相对于温度变化、电压变动较小的基准电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及温度特性良好的基准电压电路。
技术介绍
如图5所不，现有的基准电压电路由Nch耗尽型晶体管501和Nch耗尽型晶体管502构成。对动作进行说明。在电源电压充分高的情况下，Nch耗尽型晶体管501在饱和区域内工作，Nch耗尽型晶体管502在3极管区域(可变电阻区域)内工作。当将Nch耗尽型晶体管501的宽长比(W/L)设为A501、将阈值设为Vtd、· Nch耗尽型晶体管502的宽长比设为A502、将阈值设为Vtd、将输出端子521的电压设为V521时，

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.25 JP 2011-068036;2011.09.13 JP 2011-199731.ー种基准电压电路，其特征在于，该基准电压电路具备 第一恒压电路，其由第一耗尽型晶体管构成；以及 第二恒压电路，其由阈值与上述第一耗尽型晶体管不同的第二耗尽型晶体管构成，该基准电压电路产生基准电压，该基准电压基于上述第一恒压电路的输出电压与上述第ニ恒压电路的输出电压之间的电位差。2.根据权利要求I所述的基准电压电路，其特征在干， 上述第一恒压电路具有阈值与上述第一耗尽型晶体管相同的第三耗尽型晶体管，该第三耗尽型晶体管流过基于流过上述第一耗尽型晶体管的电流的电流， 上述第二恒压电路具有阈值与上述第二耗尽型晶体管相同的第四耗尽型晶体管，该第四耗尽型晶体管流过基于流过上述第二耗尽型晶体管的电流的电流， 上述第一恒压电路的输出电压是在上述第三耗尽型晶体管的栅极与源极之间产生的电压，上述第二恒压电路的输出电压是在上述第四耗尽型晶体管的栅极与源极之间产生的电压。3.根据权利要求2所述的基准电压电路，其特征在干， 上述第一恒压电路由以下部件构成 上述第一耗尽型晶体管，其栅极与源极连接，漏极与第一电源端子连接； 第一 MOS晶体管，其栅极以及漏极与上述第一耗尽型晶体管的栅极以及源极连接，源极与第二电源端子连接； 第二 MOS晶体管，其栅极与上述第一 MOS晶体管的栅极连接，源极与第二电源端子连接；以及 第三耗尽型晶体管，其漏极与第一电源端子连接，源极与上述第二 MOS晶体管的漏极以及上述第一恒压电路的输出端子连接， 上述第二恒压电路由以下部件构成 上述第二耗尽型晶体管，其栅极与源极连接，漏极与第一电源端子连接； 第三MOS晶体管，其栅极以及漏极与上述第二耗尽型晶体管的栅极以及源极连接，源极与第二电源端子连接； 第四MOS晶体管，其栅极与上述第三MOS晶体管的栅极连接，源极与第二电源端子连接；以及 第四耗尽型晶体管，其漏极与第一电源端子连接，源极与上述第四MOS晶体管的漏极以及上述第二恒压电路的输出端子连接。4.根据权利要求2所述的基准电压电路，其特征在干， 上述第一恒压电路由以下部件构成 上述第一耗尽型晶体管，其栅极与源极连接，漏极与第一电源端子连接； 第一 MOS晶体管，其栅极以及漏极与上述第一耗尽型晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：宇都宫文靖，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：