半透半反液晶显示阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供一种半透半反液晶显示阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示面板制造领域，通过增大像素开口率，提高了半透半反液晶面板的亮度。一种半透半反液晶显示阵列基板，包括基板以及设置在所述基板上的薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管上设置有黑矩阵以及位于黑矩阵上的反射层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示面板制造领域，尤其涉及一种半透半反液晶显示阵列基板及其制造方法。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显不器)为被动发光的平面显示器，此需要外加光源来提供画面显示所需光线，而依据外加光 源的型态，薄膜晶体管液晶显示器一般可以分为以环境光线作为光源的反射式薄膜晶体管液晶显示器，利用背光组件作为光源的透射式薄膜晶体管液晶显示器，以及介于两者之间的半透半反薄膜晶体管液晶显示器。半透半反的主要特征是把传统薄膜晶体管液晶显示器中的像素分割为由透明导电材料构成的透射式子像素，以及由金属材料构成的反射式子像素，并且利用设置在扫描线与数据线交错区域的像素驱动电路来同时驱动透射式与反射式子像素。现有技术中，半透半反式薄膜晶体管液晶显示器中的反射层设置于RGB彩色滤光片的像素区域，从而，会造成该部分的像素面积减少，降低了像素开口率，从而影响了液晶显示基板的亮度。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种半透半反液晶显示基板及其制造方法，可以增大像素开口率，提高液晶显示面板的亮度，为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种半透半反液晶显示阵列基板，包括基板以及设置在所述基板上的薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管上设置有黑矩阵以及位于黑矩阵上的反射层。—种半透半反液晶显示面板，其特征在于，所述半透半反液晶显示面板包括上述阵列基板，还包括与所述阵列基板相对盒的彩膜基板，其中，所述彩膜基板上形成有彩色滤光膜，所述彩色滤光膜包括红色滤光区域、绿色滤光区域和蓝色滤光区域，且所述红色滤光区域、绿色滤光区域和蓝色滤光区域连续排列。一种半透半反液晶显示基板制造方法，包括在基板上形成薄膜晶体管；在所述形成有薄膜晶体管的基板上沉积保护层，并进行构图工艺； 在所述保护层上形成像素电极层，对像素电极层经过一次构图工艺，形成与保护层同面积的像素电极层，所述像素电极层与漏极连接；在所述基板的薄膜晶体管、栅线及数据线上形成黑矩阵，使得黑矩阵覆盖所述基板上所有薄膜晶体管器件区域，所述薄膜晶体管器件区域为所述阵列基板上薄膜晶体管所集成的区域；在所述黑矩阵上形成反射层。本专利技术实施例提供的半透半反液晶显示基板及其制造方法，通过将黑矩阵设置于TFT阵列基板上后，将现有技术中设置于像素电极上的反射膜设置于黑矩阵上，增大了一个像素单元中的透光面积，从而使得像素的开口率变大，从而使得像素的开口率变大，进一步的，由于将像素电极设置于保护层上方，增加了薄膜场效应管的数据线与像素间的距离，从而减小了像素电极与数据线间的电容，增强了半透半反液晶显示基板的稳定性，进而提高了液晶显不基板的売度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例提供的一种半透半反液晶显示阵列基板结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种半透半反液晶显示阵列基板结构示意图； 图3为本专利技术实施例提供的一种半透半反液晶显示面板结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种彩膜基板彩色滤色膜排列结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种彩膜基板彩色滤色膜排列结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的另一种彩膜基板彩色滤色膜排列结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的阵列基板制造流程图；图8为本专利技术实施例提供的阵列基板结构示意图一；图9为本专利技术实施例提供的阵列基板结构示意图二 ；图10为本专利技术实施例提供的阵列基板结构示意图三；图11为本专利技术实施例提供的阵列基板结构示意图四；图12为本专利技术实施例提供的阵列基板结构示意图五；图13为本专利技术实施例提供的阵列基板结构示意图六。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一本专利技术实施例提供的一种半透半反液晶显示阵列基板，如图I所示，所述半透半反液晶显示阵列基板I包括基板11，薄膜晶体管12，栅线及数据线(未在图I中示出)，在所述薄膜晶体管12、栅线及数据线(未在图I中示出)上设置有黑矩阵13以及位于黑矩阵13上的反射层14。在本专利技术实施例中，黑矩阵13为使用灰色调或半色调的掩膜板进行曝光后，形成有突起131，具体的，突起131形成于阵列基板的薄膜晶体管器件区域，所述薄膜晶体管器件区域为所述阵列基板上薄膜晶体管器件所集成的区域。所述形成有薄膜晶体管12主要包括有栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极等。在黑矩阵13上形成的突起131，是对进入液晶显示阵列基板中的外界光线进行漫反射，使得光线能够均匀的进行反射。由于本专利技术实施例中，将现有技术中设置于像素电极上的反射膜设置于黑矩阵上，增大了一个像素单元中的透光面积，从而使得像素的开口率变大，进而提闻了液晶显不基板的売度。另外，本专利技术实施例中的反射层14涂布于黑矩阵13的突起131上，对进入液晶显示阵列基板中的外界光线进行漫反射，使光线均匀反射出液晶显示基板，提高液晶显示基板的亮度。具体的，反射层14为具有反射作用的金属层，具体可以为钥或铝钕等金属。进一步的，如图2所示，本专利技术实施例提供的阵列基板I还包括 保护层(OC) 15，与基板11上薄膜晶体管中漏极连接的像素电极16。其中，所述保护层15沉积于形成有薄膜晶体管12的基板11上，与黑矩阵13相连接且与像素电极16同面积；所述黑矩阵13形成于形成有薄膜晶体管12、栅线及数据线(未在图I中示出)的基板11上，且覆盖所述基板上所有薄膜晶体管器件区域，所述薄膜晶体管器件区域为所述阵列基板上薄膜晶体管所集成的区域。本专利技术实施例提供的半透半反液晶显示阵列基板，通过将黑矩阵设置于阵列基板上后，将现有技术中设置于像素电极上的反射膜设置于黑矩阵上，增大了一个像素单元中的透光面积，从而使得像素的开口率变大，进而提闻了液晶显不基板的売度。进一步的，在本专利技术实施例中，由于将像素电极设置于保护层上方，增加了数据线与像素间的距离，从而减小了像素电极与数据线间的电容，增强了半透半反液晶显示基板的稳定性，提高了液晶显示器的显示效果。实施例二如图3所示，本专利技术实施例中还提供了一种半透半反液晶显示面板200，包括阵列基板I和所述阵列基板相对盒的彩膜基板2，彩膜基板2上形成有相连续排列的彩色滤色膜21。需要说明的是，本专利技术实施例提供的阵列基板I与实施例一中所示的阵列基板的结构相同，所以在此对阵列基板I的结构不再赘述。具体的，如图4所示，彩色滤色膜21包括红色滤色区域R、绿色滤色区域G和蓝色滤色区域B，且所述红色滤色区域R、绿色滤色区域G和蓝色滤色区域B按照条形排列，即同一列所对应的为同一种滤色区域，每一种滤色区域之间相连接。可选的，如图5所示，彩色滤色膜21上，红色滤色区域R、绿色滤色区域G和蓝色滤色区域B按照马赛克形排列，即红色滤色区域R、绿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2012.03.15 CN 201210068942.41.一种半透半反液晶显示阵列基板，包括基板以及设置在所述基板上的薄膜晶体管，其特征在于， 在所述薄膜晶体管上设置有黑矩阵以及位于黑矩阵上的反射层。2.根据权利要求I所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵上形成有多个突起。3.根据权利要求2所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述突起形成于阵列基板的薄膜晶体管器件区域。4.根据权利要求I所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述反射层形成于黑矩阵的突起上。5.根据权利要求4所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述反射层为具有反射作用的金属层。6.根据权利要求5所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，用于形成所述反射层的金属层的材料具体为钥或铝钕。7.—种半透半反液晶显示面板，其特征在于，所述半透半反液晶显示面板包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，还包括与所述阵列基板相对盒的彩膜基板。8.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的半透半反液晶显示面板。9.一种半透半反液晶显示阵列基板制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成薄膜晶体管； 在所述形成有薄膜晶体管的基板上沉积保护层，并进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：王灿，郭炜，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：