【技术实现步骤摘要】
本技术属于化学机械抛光领域,具体涉及到一种在抛光过程中,通过调节抛光头不同区域的温度来改变抛光头相应区域内的化学反应速率,提高化学机械抛光效果,从而达到改善产品几何形状,提高抛光头所加工产品的表面的均一性。 技术背景目前,超大规模集成电路制造技术已经发展到了 45nm和300mm时代。随着特征线宽的进一步微小化,要求作为衬底材料的单晶硅片的表面形貌可接受的分辨率必须达到纳米级,如在后续器件加工中,较差的表面形貌会对氧化层产生不均匀的减薄,因此器件的成品率也与硅材料的表面形貌直接相关。化学机械抛光(CMP)被公认为是全局平坦化方法之一,该方法既可以获得较完美的表面,又可以得到较高的抛光速率。为了达到器件厂家的加工要求,材料厂家对300mm硅片表面抛光控制几何参数GBIR小于0. 4um左右,SRQR小于0.075um左右。因此,抛光头承载硅片进行加工过程中所涉及的抛光片几何精度非常高,对加工硅片表面的均一性要求更加严格。对于300mm硅片精抛光机来讲,抛光头主要由陶瓷板与驱动轴构成,陶瓷板特点是随温度变化的形变量低,对硅片表面不会造成金属离子污染并拥有良好的导热性。实际抛光过程中,由于抛光片的直径较大,抛光头直径也大,抛光液在抛光过程中边缘比中心充沛,这样导致了旋转抛光过程中抛光头与抛光盘面的抛光过程中,边缘的温度更接近抛光液温度而中心温度较高,使得抛光头的化学抛光过程更加复杂。化学机械抛光过程(CMP)过程主要通过化学腐蚀同时机械去除的方法进行加工。为了达到抛光过程的均匀效果,传统的方法是通过提高压力头部分区域内的气体压力来解决。但这种方法的弊端就是 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种热调节300mm化学机械抛光用的抛光头,其特征在于它包括由传动部件带动的陶瓷盘,固定在陶瓷盘背面的多个加热模块,及温控器,加热模块通过温度传感器接温控器的输入端,温控器的输出端接加热模块电源。2.根据权利要求I所述的一种热调节300mm化学机械抛光用的抛光头,其特征在于固定在陶瓷盘背面的...
【专利技术属性】
技术研发人员:索思卓,库黎明,葛钟,党宇星,
申请(专利权)人:有研半导体材料股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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