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一种弱酸性氧化电位杀菌水及其制备方法技术

技术编号:7756000 阅读:142 留言:0更新日期:2012-09-13 01:08
本发明专利技术涉及杀菌消毒领域,特别涉及一种弱酸性氧化电位杀菌水及其制备方法。本发明专利技术的一种弱酸性氧化电位杀菌水的制备方法,包括以下步骤:(1)提供可以产生氢离子的A单元,所述A单元的pH值在0-5间;(2)提供含有有效氯的B单元;(3)将所述A单元与所述B单元混合,得到酸性强氧化性溶液,所述酸性强氧化性溶液的pH值在3-7间,其氧化还原电位为850-1150mV,其有效氯含量为30-1000mg/L。与现有技术相比,本发明专利技术的弱酸性氧化电位杀菌水的制备方法可降低对金属的腐蚀性,从而扩大应用范围,还可提高弱酸性氧化电位杀菌水的氧化还原电位,从而提高杀灭微生物的效能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及杀菌消毒领域,特别涉及。
技术介绍
消毒领域中引入氧化还原电位的概念是源于日本20世纪80年代研制生产的酸性氧化电位水生成机及由生成机产生的酸性氧化电位水。酸性氧化电位水(简称E0W)是指具有高氧化还原电位(ORP)、低pH值特性和低浓度有效氯(ACC)的水。 酸性氧化电位水杀菌的机理如下首先,由于自然界中大多数种类的微生物生活在pH 4-9的环境中,而酸性氧化电位水的pH值可影响微生物生物膜上的电荷以及养料的吸收、酶的活性,并改变环境中养料的可给性或有害物质的毒性,从而达到杀灭微生物的目的。其次,由于氢离子、钾离子、钠离子等在微生物生物膜内外的分布不同,使得膜内、外电位达到动态平衡时有一定的电位差,一般约为-700 +900mV。需氧细菌的生物膜内外的的电位差一般为+200 +800mV,而厌氧细菌的生物膜内外的的电位差一般为-700 +200mV。酸性氧化电位水中的氧化、还原物质和pH等因素,使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范围。具有高ORP (即ORP > IlOOmV)的EOW接触微生物后迅速夺取电子,干扰生物膜平衡,改变生物膜内外电位差、膜内外的渗透压,导致生物膜通透性增强、细胞肿胀及细胞代谢酶的破坏,使胞内物质溢出、溶解,从而达到快速杀灭微生物的目的。最后,有效氯能使细胞的通透性发生改变,或使生物膜发生机械性破裂,促使细胞内溶物向外渗出,致使细菌死亡。并且,次氯酸为中性小分子物质,易侵入细胞内与蛋白质发生氧化作用或破坏其磷酸脱氢酶,使糖代谢失调致使细菌死亡,从而达到杀灭微生物的目的。EOW系统的杀菌能力是以ACC为主导,低pH值及高ORP为重要促进的三者协同作用的结果。该系统协同效果远高于单一的ACC、低pH值及高ORP作用的简单加和,其ACC越高、PH值越低、ORP越高,系统综合灭菌效果就越好。但是,现有的酸性氧化电位水生成机生成的酸性氧化电位水的pH值一般在2-3间,对金属普遍具有一定的腐蚀性,从而导致该酸性氧化电位水生成机的应用存在一定的局限性。而当通过降低酸性氧化电位水的酸性来减少对金属的腐蚀性时,例如降低到PH值在3-7间时,又难以形成多种形态的有效氯以保证有效氯的浓度。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种弱酸性氧化电位杀菌水的制备方法,以解决现有技术中的当通过降低酸性氧化电位水的酸性来减少对金属的腐蚀性时,例如降低到PH值在3-7间时,又难以形成多种形态的有效氯以保证有效氯的浓度的技术问题。本专利技术的第二目的在于提供一种弱酸性氧化电位杀菌水,以解决现有技术中的当通过降低酸性氧化电位水的酸性来减少对金属的腐蚀性时,例如降低到pH值在3-7间时,又难以形成多种形态的有效氯以保证有效氯的浓度的技术问题。本专利技术目的通过以下技术方案实现一种弱酸性氧化电位杀菌水的制备方法,包括以下步骤(I)提供可以产生氢离子的A单元,所述A单元的pH值在0-5间;(2)提供含有有效氯的B单元;(3)将所述A单元与所述B单元混合,得到酸性强氧化性溶液,所述酸性强氧化性溶液的PH值在3-7间,其氧化还原电位为850-1150mV,其有效氯含量为30_1000mg/L。优选地,所述A单元的pH值在0-4. 5间。 优选地,所述A单元的pH值在2-3间。优选地,所述B单元的有效氯选自液氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质的一种或几种,所述有效氯前体物质是指与酸反应可以生成有效氯的含氯物质。优选地,所述B单元为碱性。优选地,所述B单元可含有中等强度碱、弱碱或强碱弱酸盐。一种弱酸性氧化电位杀菌水,包括使用前独立分装的A单元和B单元,所述A单元为pH值在0-5间的溶液;所述B单元为含有有效氯的试剂。优选地,所述B单元选自液氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质的一种或几种,所述有效氯前体物质是指与酸反应可以生成有效氯的含氯物质。优选地,所述B单元可含有碱性物质,所述碱性物质为强碱、中强碱、弱碱或者强碱弱酸盐的一种或者几种。优选地,所述A单元与所述B单元混合后得到酸性强氧化性溶液,所述酸性强氧化性溶液的pH值在3-7间,其氧化还原电位为850-1150mV,其有效氯含量为30_1000mg/L。与现有技术相比,本专利技术有以下优点I、本专利技术的弱酸性氧化电位杀菌水的制备方法可降低对金属的腐蚀性,从而扩大应用范围;2、本专利技术的弱酸性氧化电位杀菌水的制备方法可提高弱酸性氧化电位杀菌水的氧化还原电位,从而提高杀灭微生物的效能;3、在使用前,本专利技术的弱酸性氧化电位杀菌水的A单元和B单元单独存放,当要使用时,再将A单元和B单元混合,解决了酸性氧化电位杀菌水的储藏问题,使用非常方便;4、在制备本专利技术的弱酸性氧化电位杀菌水的过程中,增强了人为可调节性,可根据实际需求调节杀菌水的PH值、有效氯含量及氧化还原电位。附图说明图I为酸性氧化电位水的pH/ACC关系曲线图;图2为本专利技术的不同pH值的A单元与所得的弱酸性氧化电位杀菌水的ORP的关系曲线图;图3为本专利技术的不同pH值的A单元与所得的弱酸性氧化电位杀菌水的ORP的关系曲线图;图4为本专利技术的不同pH值的A单元与所得的弱酸性氧化电位杀菌水的ORP的关系曲线图;图5为本专利技术的弱酸性氧化电位杀菌水放置时间与ORP的关系曲线图。具体实施例方式以下对本专利技术进行详细描述。 酸性氧化电位水的pH/ACC/ORP关系如表I所示。表I 组成形态ORP mV~~Tl 强碱性次氯酸钠溶液H2O-ClO-SS 458.07-9 弱碱性次氯酸钠溶液H2O-C10_-HClO700-8005-7 微酸性氧化电位水H2O-HC10-C10_800-10503-5 弱酸性氧化电位水H2O-HClO-Cl21000-11502-3 强酸性氧化电位水H2O-HClO-Cl21100-1300请参阅图1,从表I中我们可以得知在相同有效氯含量时,溶液酸性的增加,ORP在上升,而ACC的形态由H20/HC10/C10_转化至H20/HC10/C12。可见,酸性条件下(pH = 0-5)氯气含量的增加对ORP的影响超过了次氯酸含量的下降对ORP影响。从而可得知,酸性氧化电位水的高电位是至少由酸性次氯酸及酸性氯水(或者酸性氯水的衍生物)两部分物质产生。酸性氯水(或者酸性氯水的衍生物)可增强杀菌性能,但从图I中可知,pH值在5-7间有效氯的形态为HC10/C10_,pH值在3-5间有效氯中的Cl2占很小比例,如何能够形成多种形式的有效氣,就能够提闻弱酸性氧化电位杀菌水的氧化性,从而提闻杀菌性能。本专利技术提供的一种弱酸性氧化电位杀菌水的制备方法,包括以下步骤(I)提供可以产生氢离子的A单元,A单元的pH值在0-5间;(2)提供含有有效氯的B单元;(3)将A单元与B单元混合,得到酸性强氧化性溶液,酸性强氧化性溶液的pH值在3-7间,其氧化还原电位为850-1150mV,其有效氯含量为30_1000mg/L。A单元的pH值优选为0-4. 5间,又优选为0_4间,再优选为0_3间,还有选为1_3间,最优选为2-3间。A单元可选自无机酸、有机酸或强酸弱碱盐。无机酸可选自盐酸、氢溴酸、氢碘酸、硫酸、硝酸、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸、偏高碘酸、偏磷酸、高锰酸、氢硼酸、氢砹本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:邵鹏飞
申请(专利权)人:邵鹏飞
类型:发明
国别省市:

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