基于Cu膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于Cu膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其制作过程是：(1)对SiC样片进行标准清洗；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，向石英管中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700-1100℃下SiC与Cl2反应4-10min，生成碳膜；(3)将生成的碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1200℃下退火15-25min生成石墨烯；(4)将Cu膜从石墨烯样片上取开。本发明专利技术具有工艺简单，安全性高，石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，涉及半导体薄膜材料及其制备方法，具体地说是基于Cu膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法。
技术介绍
石墨烯出现在实验室中是在2004年，当时,英国曼彻斯特大学的两位科学家安德烈 杰姆和克斯特亚 诺沃消洛夫发现他们能用ー种非常简单的方法得到越来越薄的石墨薄片。他们从石墨中剥离出石墨片，然后将薄片的两面粘在ー种特殊的胶带上，撕开胶帯，就能把石墨片一分为ニ。不断地这样操作，于是薄片越来越薄，最后，他们得到了仅由ー层碳原子构成的薄片，这就是石墨烯。这以后，制备石墨烯的新方法层出不穷。目前的制备方 法主要有两种I.化学气相沉积法提供了ー种可控制备石墨烯的有效方法，它是将平面基底，如金属薄膜、金属单晶等置于高温可分解的前驱体，如甲烷、こ烯等气氛中，通过高温退火使碳原子沉积在基底表面形成石墨烯，最后用化学腐蚀法去除金属基底后即可得到独立的石墨烯片。通过选择基底的类型、生长的温度、前驱体的流量等參数可调控石墨烯的生长，如生长速率、厚度、面积等，此方法最大的缺点在于获得的石墨烯片层与衬底相互作用強，丧失了许多单层石墨烯的性质，而且石墨烯的连续性不是很好。2.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭辉，邓鹏飞，张玉明，张克基，雷天民，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：