内嵌电容式触控面板及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种内嵌电容式触控面板及其制备方法，涉及触控面板技术领域，降低了内嵌电容式触控液晶显示器的成本，并且提高了触控感应性能。内嵌电容式触控面板，包括：触控电路，所述触控电路包括：设置在阵列基板上的感应单元和放大单元；所述感应单元与所述放大单元连接，所述感应单元与阵列基板上显示像素结构中的栅线连接。内嵌电容式触控面板的制备方法，包括：形成包括显示像素结构和触控电路的阵列基板；形成彩膜基板；将所述彩膜基板和所述阵列基板封装成盒，将液晶材料注入盒中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触控面板
，尤其涉及一种。
技术介绍
目前，触控面板技术被广泛应用于液晶显示器，以制作具有可以同时显示影像以及输入功能的显示器，例如电阻式、电容式以及波动式(如音波、红外线与雷射)等。电容式触控面板分为外挂电容式触控面板和内嵌电容式触控面板，其中，外挂电容式触控面板是将触控面板与液晶显示器直接进行上下的叠合，内嵌电容式触控面板是将触控面板融合在液晶显示器的内部。外挂电容式触控液晶显示器，由于必须在液晶显示器上叠合一个触控面板，使得液晶显示器的厚度和重量大幅地增加，不符合现在市场对于液晶显示器轻薄短小的要求，而且由于光穿透触控面板的层数众多，致使光穿透时，光量遭到吸收，光穿透率损失大。在传统的内嵌电容式触控液晶显示器中，触控电路设计在阵列基板上，这种设计会使内置的触控感应电极与液晶显示器屏幕之间隔有其他材料，导致触控感应电极与液晶显示器屏幕之间的距离增大，进而影响到触控操作产生的电容变化，使触控感应性能降低，而且，由于将触控电路内置在液晶显示器中，增加了液晶显示器的制作工序，使得生产内嵌电容式触控液晶显示器的成本较高。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种，无需增加原有的液晶显示器制作工序即可完成电容式触控面板的设计，降低了内嵌电容式触控液晶显示器的成本,并且提高了触控感应性能。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种内嵌电容式触控面板，包括触控电路，所述触控电路包括设置在阵列基板上的感应单元和放大单元；所述感应单元与所述放大单元连接,所述感应单元与阵列基板上显示像素结构中的栅线连接；所述显示像素结构中的栅线为感应单元提供开启电压，感应单元开启后，感应单元中生成一个电压，触控操作使所述感应单元中的电压发生变化，所述放大单元将所述感应单元中电压的变化放大并将放大后的电压变化导出。所述感应单元包括与显示像素结构中的薄膜场效应晶体管同层设置的第一薄膜场效应晶体管、与显示像素结构中的数据线同层设置的感应电容和预设电压线；所述第一薄膜场效应晶体管的栅极与显示像素结构中的栅线连接，所述第一薄膜场效应晶体管的源极与所述预设电压线连接，所述第一薄膜场效应晶体管的漏极与感应电、容上极板连接；所述显示像素结构中的栅线为所述第一薄膜场效应晶体管提供开启电压，所述预设电压线为所述第一薄膜场效应晶体管提供充电电压，所述第一薄膜场效应晶体管开启后为所述感应电容充电，使感应电容上产生电压，触控操作使所述感应电容上的电压发生变化。所述放大单元包括与显示像素结构中的薄膜场效应晶体管同层设置的第二薄膜场效应晶体管、与显示像素结构中的数据线同层设置的电源线和触控数据线；所述第二薄膜场效应晶体管的栅极与所述感应电容下极板连接，所述第二薄膜场效应晶体管的源极与所述电源线连接，所述第二薄膜场效应晶体管的漏极与所述触控数据线连接；所述电源线为所述第二薄膜场效应晶体管提供电源，所述第二薄膜场效应晶体管将所述感应电容上电压的变化放大，所述触控数据线将所述放大后的电压变化导出。还包括导电屏蔽物，所述导电屏蔽物设置在感应单元中第一薄膜场效应晶体管的源极上。所述导电屏蔽物的材质为导电聚苯乙烯。一种内嵌电容式触控面板的制备方法，包括形成包括显示像素结构和触控电路的阵列基板，所述触控电路包括相互连接的感应单元电路和放大单元电路，所述感应单元电路与显示像素结构中的栅线连接；形成彩膜基板；将所述彩膜基板和所述阵列基板封装成盒，将液晶材料注入盒中。所述感应单元电路包括第一薄膜场效应晶体管、感应电容和预设电压线；所述放大单元电路包括第二薄膜场效应晶体管、触控数据线和电源线；所述显示像素结构包括薄膜场效应晶体管、栅线、数据线和像素电极；所述形成包括显示像素结构和触控电路的阵列基板，所述触控电路包括相互连接的感应单元电路和放大单元电路，具体为在基板上形成栅线图形和栅极绝缘层图形，并同时形成第一薄膜场效应晶体管栅线图形和第二薄膜场效应晶体管栅线图形；在形成有所述栅线图形和栅极绝缘层图形的基板上形成薄膜场效应晶体管有源区图形和像素电极，并同时形成第一薄膜场效应晶体管有源区图形和第二薄膜场效应晶体管有源区图形；在形成有所述薄膜场效应晶体管有源区图形和像素电极的基板上形成数据线图形和薄膜场效应晶体管漏极图形，并同时形成预设电压线图形、第一薄膜场效应晶体管漏极图形、触控数据线图形和电源线图形； 在形成有数据线图形和薄膜场效应晶体管漏极图形的基板上形成钝化层图形和薄膜场效应晶体管漏极过孔，并同时形成第二薄膜场效应晶体管源极过孔和电源线过孔；在形成有钝化层图形和薄膜场效应晶体管漏极过孔的基板上形成公共对置电极透明导电膜图形，并同时形成第二薄膜场效应晶体管透明导电膜图形。形成第二薄膜场效应晶体管栅线图形包括形成相互连接的第一栅线图形和第二栅线图形，所述第一栅线图形用于形成第二薄膜场效应晶体管，所述第二栅线图形用于形成感应电容。所述第一薄膜场效应晶体管漏极图形设置位置与所述第二栅线图形设置位置相对应，使所述第一薄膜场效应晶体管漏极与所述第二栅线形成感应电容。形成的所述第二薄膜场效应晶体管透明导电膜覆盖在第二薄膜场效应晶体管源极过孔和电源线过孔上。所述形成彩膜基板包括在彩膜基板的公共电极层上贴附导电屏蔽物材料，形成导电屏蔽物，所述导电屏蔽物设置位置与阵列基板上感应单元中第一薄膜场效应晶体管的源极图形位置相对应。所述导电屏蔽物材料为导电聚苯乙烯。本专利技术实施例提供的，通过在液晶显示器阵列基板上增加触控电路来实现液晶显示器的触控功能，将制备阵列基板过程中所用的掩模板的设计增加改变和彩膜基板的制备过程增加改变，无需增加原有的液晶显示器制作工序即可完成电容式触控面板的设计，降低了内嵌电容式触控液晶显示器的成本。本专利技术实施例提供的内嵌电容式触控面板在感应电容上设置导电屏蔽物，屏蔽液晶显示器中液晶电容对感应电容的影响，并使感应电容与显示器屏幕之间的距离变短，使感应电容更容易的受到人的手指触控广生的影响，提闻了触控感应性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例中内嵌电容式触控面板的结构示意图；图2为本专利技术实施例中感应单元和放大单元的结构示意图；图3为本专利技术实施例中内嵌电容式触控面板的原理示意图；图4为本专利技术实施例中导电屏蔽物的设置位置示意图；图5为本专利技术实施例中内嵌电容式触控面板的制备方法流程图；图6为本专利技术实施例中步骤101的流程图；图7为本专利技术实施例中栅线图形的结构示意图；图8为本专利技术实施例中薄膜场效应晶体管有源区图形的结构示意图；图9为本专利技术实施例中像素电极的结构示意图；图10为本专利技术实施例中数据线图形的结构示意图；图11为本专利技术实施例中钝化层图形的结构示意图；图12为本专利技术实施例中公共对置电极透明导电膜图形的结构示意图；图13为本专利技术实施例中导电屏蔽物的结构示意图。附图标记说明I、阵列基板 2、感应单元 3、放大单元 4、栅线 5、第一薄膜场效应晶体管6、预设电压线7、感应电容8、第二薄膜场效应晶体管9、触控数据线10、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内嵌电容式触控面板，其特征在于，包括触控电路，所述触控电路包括设置在阵列基板上的感应单元和放大单元； 所述感应单元与所述放大单元连接,所述感应单元与阵列基板上显示像素结构中的栅线连接； 所述显示像素结构中的栅线为感应单元提供开启电压，感应单元开启后，感应单元中生成一个电压，触控操作使所述感应单元中的电压发生变化，所述放大单元将所述感应单元中电压的变化放大并将放大后的电压变化导出。2.根据权利要求I所述的内嵌电容式触控面板，其特征在于，所述感应单元包括 与显示像素结构中的薄膜场效应晶体管同层设置的第一薄膜场效应晶体管、与显示像素结构中的数据线同层设置的感应电容和预设电压线； 所述第一薄膜场效应晶体管的栅极与显示像素结构中的栅线连接，所述第一薄膜场效应晶体管的源极与所述预设电压线连接，所述第一薄膜场效应晶体管的漏极与感应电容上极板连接； 所述显示像素结构中的栅线为所述第一薄膜场效应晶体管提供开启电压，所述预设电压线为所述第一薄膜场效应晶体管提供充电电压，所述第一薄膜场效应晶体管开启后为所述感应电容充电，使感应电容上产生电压，触控操作使所述感应电容上的电压发生变化。3.根据权利要求2所述的内嵌电容式触控面板，其特征在于，所述放大单元包括 与显示像素结构中的薄膜场效应晶体管同层设置的第二薄膜场效应晶体管、与显示像素结构中的数据线同层设置的电源线和触控数据线； 所述第二薄膜场效应晶体管的栅极与所述感应电容下极板连接，所述第二薄膜场效应晶体管的源极与所述电源线连接，所述第二薄膜场效应晶体管的漏极与所述触控数据线连接； 所述电源线为所述第二薄膜场效应晶体管提供电源，所述第二薄膜场效应晶体管将所述感应电容上电压的变化放大，所述触控数据线将所述放大后的电压变化导出。4.根据权利要求I至3任一所述的内嵌电容式触控面板，其特征在于，还包括导电屏蔽物，所述导电屏蔽物设置在感应单元中第一薄膜场效应晶体管的源极上。5.根据权利要求4所述的内嵌电容式触控面板，其特征在于，所述导电屏蔽物的材质为导电聚苯乙烯。6.—种内嵌电容式触控面板的制备方法,其特征在于,包括 形成包括显示像素结构和触控电路的阵列基板，所述触控电路包括相互连接的感应单元电路和放大单元电路，所述感应单元电路与显示像素结构中的栅线连接； 形成彩膜基板； 将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎蔚，陈东，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：