电源控制装置及电源控制方法制造方法及图纸

一种电源控制装置及电源控制方法在此揭露，其中的电源控制装置包括第一电子开关、第二电子开关、电容器与控制器。第一电子开关连接正电压源，第二电子开关串接第一电子开关，电容器电性耦接第一、第二电子开关。当第一电子开关的电压低于一预定电压值时，控制器可关闭第二电子开关。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于电カ电子技木，且特别是有关于ー种。
技术介绍
近年来由于エ商发达、社会进步，相对提供的产品亦主要针对便利、确实、经济实惠为主_，因此，当前开发的产品亦比以往更加进步，而得以贡献社会。 石油危机是现在各个产业皆须正视的问题，因此节能减碳成为各国政府的重要施政策略。电カ的供给是计算机内一切动カ来源，决定了一台计算机的稳定与长期使用的质量。因此，如何能稳定的控制电力，并有效节约能源，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
因此，本专利技术的一目的是在提供ー种。依据本专利技术ー实施例，ー种电源控制装置包括一第一电子开关、一第二电子开关、ー电容器与ー控制器。在结构上，第一电子开关连接正电压源，第二电子开关串接第一电子开关，电容器电性稱接第一、第二电子开关。于使用上，当第一电子开关的电压低于ー预定电压值时，控制器可关闭第二电子开关。再者，上述的第一电子开关可为一第一金属氧化物半导体晶体管。在结构上，第一金属氧化物半导体晶体管的漏极连接正电压源，第一金属氧化物半导体晶体管的源极连接第二电子开关。再者，上述的第一金属氧化物半导体晶体管具有一第一内接ニ极管。在结构上，第一内接ニ极管的负极连接第一金属氧化物半导体晶体管的漏极，第一内接ニ极管的正极连接第一金属氧化物半导体晶体管的源扱。再者，上述的第二电子开关可为一第二金属氧化物半导体晶体管。在结构上，第二金属氧化物半导体晶体管的漏极连接第一金属氧化物半导体晶体管的源扱。再者，上述的第二金属氧化物半导体晶体管具有一第二内接ニ极管。在结构上，第ニ内接ニ极管的负极连接第二金属氧化物半导体晶体管的漏极，第二内接ニ极管的正极连接第二金属氧化物半导体晶体管的源扱。再者，上述的电源控制装置还包括ー电感器。在结构上，电感器的一端连接第一金属氧化物半导体晶体管的源极而另一端连接电容器的一端，其中电容器的另一端连接第二金属氧化物半导体晶体管的源扱。再者，上述的电源控制装置还包括一降压调节器。降压调节器具有一第一控制信号输出端与一第二控制信号输出端。在结构上，第一控制信号输出端连接第一金属氧化物半导体晶体管的栅极，第二控制信号输出端连接控制器。再者，上述的控制器还包括一逆流控制装置与一逻辑单元。在使用上，逆流控制装置可在侦测到第一金属氧化物半导体晶体管的漏极、源极间的电压低于预定电压值时，产生一停止信号。逻辑单元可在收到来自第二控制信号输出端的脉波宽度调变信号且收到来自逆流控制装置的停止信号时，将第二金属氧化物半导体晶体管截止。再者，上述的逻辑单元是一与门。与门的ニ输入端分别连接第二控制信号输出端与逆流控制装置，与门的ー输出端连接第二金属氧化物半导体晶体管的栅极。再者，上述的逆流控制装置可输出ー逻辑低电平以作为上述停止信号。依据本专利技术另ー实施例，ー种包括下列步骤(a)提供一第一电子开关、一第二电子开关与ー电容器，其中第一电子开关连接一正电压源，第二电子开关串接第一电子开关，电容器电性耦接第一、第二电子开关；以及(b)当第一电子开关的电压低于一预定电压值时，关闭第二电子开关。 于步骤(a)中，可提供一第一金属氧化物半导体晶体管以作为第一电子开关，其中第一金属氧化物半导体晶体管的漏极连接正电压源，第一金属氧化物半导体晶体管的源极连接第二电子开关。再者，上述的第一金属氧化物半导体晶体管具有一第一内接ニ极管，第一内接ニ极管的负极连接第一金属氧化物半导体晶体管的漏极，第一内接ニ极管的正极连接第一金属氧化物半导体晶体管的源扱。另外，于步骤(a)中，可提供一第二金属氧化物半导体晶体管以作为第二电子开关，其中第二金属氧化物半导体晶体管的漏极连接第一金属氧化物半导体晶体管的源扱。再者，上述的第二金属氧化物半导体晶体管具有一第二内接ニ极管，第二内接ニ极管的负极连接第二金属氧化物半导体晶体管的漏极，第二内接ニ极管的正极连接第二金属氧化物半导体晶体管的源扱。另外，于步骤(a)中，可提供ー电感器。电感器一端连接第一金属氧化物半导体晶体管的源极而另一端连接电容器的一端，其中电容器的另一端连接第二金属氧化物半导体晶体管的源扱。于步骤(b)中，可侦测第一金属氧化物半导体晶体管的漏极、源极间的电压；接着，当第一金属氧化物半导体晶体管的漏极、源极间的电压低于预定电压值时，则产生一停止信号；然后，当收到来自ー降压调节器的脉波宽度调变信号且收到来自逆流控制装置的停止信号时，将第二金属氧化物半导体晶体管截止。综上所述，本专利技术的技术方案与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。通过上述技术方案，可达到相当的技术进步，并具有产业上的广泛利用价值，其至少具有下列优点I、透过第二电子开关的关闭，使得电容器的逆电流不会经由第二电子开关而泄放，从而节约能源；以及2、电容器的逆电流可经由第一电子开关馈入正电压源，避免浪费能源。以下将以实施例对上述的说明以及接下来的实施方式做详细的描述，并对本专利技术的技术方案提供更进ー步的解释。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下图I是依照本专利技术ー实施例的ー种电源控制装置的电路方块图；图2是图I的电源控制装置的时序图；以及图3是依照本专利技术另一实施例的ー种电源控制方法的流程图。主要组件符号说明100:电源控制装置C:电容器110 :降压调节器Dl :第一内接ニ极管 111 :第一控制信号输出端 D2 :第二内接ニ极管112 :第二控制信号输出端 L:电感器120 :控制器MNl :第一电子开关122 :逆流控制装置丽2:第二电子开关124 :逻辑单元VA:控制电压125、136:输入端Vgatei :第一控制信号127:输出端Vcate2 :第二控制信号210:预定电压值Vi:电压300:电源控制方法Vin:正电压源310、320:步骤V。输出电压具体实施例方式为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，可參照所附的附图及以下所述各种实施例，附图中相同的号码代表相同或相似的组件。另ー方面，众所周知的组件与步骤并未描述于实施例中，以避免对本专利技术造成不必要的限制。于实施方式与权利要求书中，除非内文中对于冠词有所特别限定，否则“一”与“该”可泛指单ー个或多个。另外，于实施方式与权利要求书中，涉及“电性I禹接(electrically coupled) ”的描述，其可泛指ー组件透过其它组件而间接电性连接至另ー组件，或是ー组件无须透过其它组件而直接电性连接至另ー组件。于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”及相似词汇，皆认定为开放式连接词。例如，“具有”表示组件、成分或步骤的组合中不排除权利要求未记载的组件、成分或步骤。图I是依照本专利技术ー实施例的ー种电源控制装置100的电路方块图。实务上，电源控制装置100可适用于直流对直流转换器、降压电路、同步整流电路等，或是广泛地运用在相关的技术环节。如图I所示，电源控制装置100可包括降压调节器110、控制器120、第一电子开关丽I、第二电子开关丽2、电容器C与电感器L，其中降压调节器110具有第一控制信号输出端111与第二控制信号输出端112。在结构上，第一控制信号输出端111连接第一电子开关MN1，第二控制信号输出端112连接控制器120。第一电子开关丽I连接正电压源Vin，第二电子开关丽2串本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种电源控制装置，其特征在于，至少包含 一第一电子开关，连接一正电压源； 一第二电子开关，串接该第一电子开关； ー电容器，电性耦接该第一、第二电子开关；以及 ー控制器，用以当该第一电子开关的电压低于一预定电压值时，关闭该第二电子开关。2.根据权利要求I所述的电源控制装置，其特征在于，该第一电子开关是ー第一金属氧化物半导体晶体管，该第一金属氧化物半导体晶体管的漏极连接该正电压源，该第一金属氧化物半导体晶体管的源极连接该第二电子开关。3.根据权利要求2所述的电源控制装置，其特征在于，该第一金属氧化物半导体晶体管具有一第一内接ニ极管，该第一内接ニ极管的负极连接该第一金属氧化物半导体晶体管的漏极，该第一内接ニ极管的正极连接该第一金属氧化物半导体晶体管的源扱。4.根据权利要求3所述的电源控制装置，其特征在于，该第二电子开关是ー第二金属氧化物半导体晶体管，该第二金属氧化物半导体晶体管的漏极连接该第一金属氧化物半导体晶体管的源扱。5.根据权利要求4所述的电源控制装置，其特征在干，该第二金属氧化物半导体晶体管具有一第二内接ニ极管，该第二内接ニ极管的负极连接该第二金属氧化物半导体晶体管的漏极，该第二内接ニ极管的正极连接该第二金属氧化物半导体晶体管的源扱。6.根据权利要求5所述的电源控制装置，其特征在于，还包含 ー电感器，其一端连接该第一金属氧化物半导体晶体管的源极而另一端连接该电容器的一端，其中该电容器的另一端连接该该第二金属氧化物半导体晶体管的源扱。7.根据权利要求6所述的电源控制装置，其特征在于，还包含 一降压调节器，具有一第一控制信号输出端与一第二控制信号输出端，其中该第一控制信号输出端连接该第一金属氧化物半导体晶体管的栅极，该第二控制信号输出端连接该控制器。8.根据权利要求7所述的电源控制装置，其特征在于，该控制器包含 一逆流控制装置，用以当侦测到该第一金属氧化物半导体晶体管的漏极、源极间的电压低于该预定电压值时，产生一停止信号；以及 一逻辑单元，用以当收到来自该第二控制信号输出端的脉波宽度调变信号且收到来自该逆流控制装置的该停止信号时，将该第二金属氧化物半导体晶体管截止。9.根据权利要求8所述的电源控制装置，其特征在干，该逻辑单元是一与门，该与门的ニ输入端分别连接该第二控制信号输...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋具诚，
申请(专利权)人：保锐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：