【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有机发光显示器件像素结构，其能够对OLED器件的退化、TFT驱动管的阈值电压非均匀性、以及背板电源的压降(IRdrop)所导致的发光不均匀进行补偿。本专利技术还涉及用于驱动上述像素结构的方法。
技术介绍
有机发光显示二极管(OLED)作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中。随着显示尺寸的增大，传统的无源矩阵有机发光显示器件(Passive Matrix0LED)需要更短的单个像素的驱动时间，因而需要增大瞬态电流，增加功耗。同时大电流的应用会造成ITO线上压降过大，并使OLED工作电压过高，进而降低其效率。而有源矩阵有机发光显示器件(Active Matrix 0LED)通过开关管逐行扫描输入OLED电流，可以很好地 解决这些问题。在AMOLED背板设计中，主要需要解决的问题是像素和像素之间的亮度非均匀性。首先，AMOLED多采用低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)构建像素电路为OLED器件提供相应的电流。与一般的非晶硅薄膜晶体管(amorphous-Si TFT)相比，LTPS TFT具有更高的迁移率和更稳定的特性，更适合应用于AMOLED显示中。但是由于晶化工艺的局限性，在大面积玻璃基板上制作的LTPS TFT，常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均匀性，这种非均匀性会转化为OLED显示器件的电流差异和亮度差异，并被人眼所感知，即云纹现象(mura)。第二，在大尺寸显示应用中，由于背板电源线存在一定电阻，且所有像素的驱动电流都由ARVDD提供，因此在背板中靠近ARVDD电源供电位置区域的电源电压相比较离供电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机发光显不器件像素结构，包括第一至第五薄膜晶体管、电容器、和有机发光显示器件，其中第一薄膜晶体管的漏极通过有机发光显示器件连接至背板的负电平，第一薄膜晶体管的源极连接至第三薄膜晶体管的漏极，第三薄膜晶体管的源极连接至背板的正电平，电容器的一端连接至第一与第三薄膜晶体管之间，电容器的另一端连接至第二薄膜晶体管以及第四薄膜晶体管的源极，第二薄膜晶体管的漏极连接至第一薄膜晶体管的漏极和有机发光显示器件，第四薄膜晶体管的漏极连接至第五薄膜晶体管的漏极与第一薄膜晶体管的栅极，其中第五薄膜晶体管的源极连接至数据线，第五和第二薄膜晶体管的栅极连接至扫描线，第一控制信号(EM)提供至第三薄膜晶体管的栅极，第二控制信号(EMD)提供至第四薄膜晶体管的栅极。2.根据权利要求I的像素结构，其中在预充电周期内，扫描线上的行扫描电压和第一控制信号为低电平，第二控制信号为高电平，数据电压通过第五薄膜晶体管传输到第一薄膜晶体管的栅极上，第四薄膜晶体管断开，第一、第二、第三以及第五薄膜晶体管导通。3.根据权利要求2的像素结构，其中在补偿周期内，扫描线上的行扫描电压为低电平，第一控制信号和第二控制信号为高电平，数据电压通过第五薄膜晶体管传输到第一薄膜晶体管的栅极上，第三和第四薄膜晶体管断...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴仲远，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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