本发明专利技术公开了一种晶片清洗装置及清洗方法，涉及半导体集成电路器件清洗技术领域，所述装置包括：用于承载晶片的晶片承载单元、设置于所述晶片承载单元上方的晶片正面兆声波清洗喷头、设置于所述晶片承载单元内的晶片背面兆声波清洗单元、旋转轴、中空管、喷淋臂、喷淋臂电机、以及晶片旋转电机。本发明专利技术通过晶片正面兆声波清洗喷头产生的第一预设频率的兆声波和晶片背面兆声波清洗单元产生的第二预设频率的兆声波合成所形成的相移和畸变在所述晶片上表面和下表面的清洗液内形成均匀的声场，以实现对晶片的清洗，满足了晶片上的兆声波声场强度的均匀性，提高了对晶片的清洗效果，同时减小和消除了由兆声波产生的剧烈气蚀对晶片特征尺寸结构的破坏。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路器件清洗
，特别涉及一种。
技术介绍
随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，对晶片制造エ艺中清洗的控制要求也越来越高，清洗的均匀性变成了一个挑战性的问题。采用兆声波作用下的清洗有助于提高晶片的清洗效果，井能极大的提高污染颗粒的去除效率。但是由于兆声波声场的干涉现 象，在晶片表面会形成很多声场强度很高的热点，同时也形成很多声场强度很低的死点，在晶片表面的声场强度的均匀性很难达到。另外，兆声波声场干涉所形成的热点很容易使气泡破裂，气泡破裂形成的气蚀也増加了图形晶片微细结构损坏的风险和可能性。虽然在改进的过程中，有利用频率扫描的办法来减少热点的形成，但由于频率扫描仅围绕这ー个中心频率，并且这个围绕中心频率变化的扫描只施加在一个兆声波振子上，兆声波振子的机械振动的固有频率是一定的(一般等于兆声波的中心频率)，偏离中心频率的变化会造成振子振幅的減少使得传播的兆声波能量下降，从而在晶片表面上形成的声能量密度随着扫描频率变化，无法产生均匀性的声场。虽然也有用频率叠加组合的办法，但由于频率叠加组合的电压仍施加在同一个兆声波振子上，振子振动的变化过大影响了电声转化的效率，使得清洗的效果有所下降。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何满足晶片上的兆声波声场强度的均匀性，以提高对晶片的清洗效果。( ニ )技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种晶片清洗装置，所述装置包括用于承载晶片的晶片承载单元、设置于所述晶片承载单元上方的晶片正面兆声波清洗喷头、设置于所述晶片承载单元内的晶片背面兆声波清洗単元、旋转轴、中空管、喷淋臂、喷淋臂电机、以及晶片旋转电机，所述晶片正面兆声波清洗喷头上设有液体进入口、且下侧设有与所述液体进入口连通的液体喷出ロ，所述喷淋臂与所述晶片正面兆声波清洗喷头连接，所述喷淋臂与所述喷淋臂电机的转子连接，所述晶片旋转电机的转子与所述旋转轴连接，所述旋转轴与所述晶片承载单元的中心连接，所述旋转轴的轴心设有中空管，所述中空管内设有背面供液管，所述晶片背面兆声波清洗単元固定于所述中空管上。优选地，所述装置还包括控制单元，所述喷淋臂电机与所述晶片旋转电机分别与所述控制单元连接。优选地，所述晶片正面兆声波清洗喷头包括第一外壳、第一换能器、以及第ー谐振器，所述第一谐振器设于所述第一换能器与所述晶片承载单元之间，所述第一换能器和第一谐振器均设于所述第一外壳内。优选地,所述第一换能器设于第一腔室内，所述第一腔室设于所述第一外壳内，所述第一腔室上相对的两端分别设有气冷流体入口和气冷流体出ロ。优选地，所述第一换能器和所述第一谐振器之间设有耦合层，所述耦合层与所述第一换能器紧密连接 。优选地，所述第一谐振器上设有孔阵列，所述孔阵列中的孔轴线竖直，所述孔阵列为所述液体喷出口。优选地，所述晶片承载单元为圆盘状的卡盘，所述卡盘上设置有至少三个沿径向分布的辐条状卡爪，用干支撑晶片，所述晶片背面兆声波清洗単元包括第二外壳、以及第ニ换能器，所述第二换能器由ー个或多个压电晶体振子组成、且设于所述第二外壳内，所述第二换能器的形状为长方形或三角形、且能覆盖所述晶片的半径。优选地，所述第二换能器设于第二腔室内，所述第二腔室设于所述第二外壳内，所述第二腔室底侧分别设有气冷流体入口和气冷流体出ロ。优选地，所述晶片正面兆声波清洗喷头和晶片背面兆声波清洗单元采用不同的兆声波频率。本专利技术还公开了ー种基于所述的装置的清洗方法，所述方法包括以下步骤SI :将晶片放置于晶片承载单元上；S2:旋转电机通过旋转轴带动所述晶片承载单元旋转，正面兆声波清洗喷头向晶片上表面喷出清洗液，喷淋臂电机通过喷淋臂带动所述正面兆声波清洗喷头旋转，背面供液管向所述晶片下表面喷出清洗液，晶片背面兆声波清洗単元开始工作；S3:所述正面兆声波清洗喷头产生第一预设频率的兆声波，背面兆声波清洗単元产生第二预设频率的兆声波，所述第一预设频率的兆声波和第二预设频率的兆声波合成所形成的相移和畸变在所述晶片上表面和下表面的清洗液内形成均匀的声场，以实现对晶片的均匀清洗，同时减小和消除了由兆声波产生的剧烈气蚀对晶片特征尺寸结构的破坏。(三)有益效果本专利技术通过晶片正面兆声波清洗喷头产生的第一预设频率的兆声波和晶片背面兆声波清洗单元产生的第二预设频率的兆声波合成所形成的相移和畸变在所述晶片上表面和下表面的清洗液内形成均匀的声场，以实现对晶片的清洗，满足了晶片上的兆声波声场强度的均匀性，提高了对晶片的清洗效果，同时减小和消除了由兆声波产生的剧烈气蚀对晶片特征尺寸结构的破坏。附图说明图I是按照本专利技术ー种实施方式的晶片清洗装置的结构示意图；图2是图I所示的装置中正面兆声波清洗喷头的具体结构示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进ー步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。图I是按照本专利技术ー种实施方式的晶片清洗装置的结构示意图；參照图1，本实施方式的装置包括用于承载晶片4的晶片承载单元5、设置于所述晶片承载单元5上方的晶片正面兆声波清洗喷头I、设置于所述晶片承载单元5内的晶片背面兆声波清洗単元6、旋转轴9、中空管7、喷淋臂2、喷淋臂电机11、以及晶片旋转电机13，所述晶片正面兆声波清洗喷头I上设有液体进入口 10、且下侧设有与所述液体进入口 10连通的液体喷出口 3，所述喷淋臂2与所述晶片正面兆声波清洗喷头I连接，所述喷淋臂2与所述喷淋臂电机11的转子连接，所述晶片旋转电机13的转子与所述旋转轴9连接，所述旋转轴9与所述晶片承载単元5的中心连接，所述旋转轴9的轴心设有中空管7，所述中空管7内设有背面供液管8，所述晶片背面兆声波清洗単元6固定于所述中空管7上。为实现对所述喷淋臂电机11和旋转电机13的控制，优选地，所述装置还包括控制単元12，所述喷淋臂电机11与所述旋转电机13分别与所述控制単元12连接，为便于对所述控制単元12进行參数设置等操作，本实施方式中，优选地，所述控制単元12与操作终端14连接。參照图2，所述晶片正面兆声波清洗喷头I包括第一外壳1-1、第一换能器1-2、 以及第一谐振器1-8，所述第一谐振器1-8设于所述第一换能器1-2与所述晶片承载单元5之间，所述第一换能器1-2和第一谐振器1-8均设于所述第一外壳1-1内。换能器中的压电晶体振子的常用材料为极化的锆钛酸铅，当压电晶体振子两面施加一个频率在700kHz 2MHz的交变电压，压电晶体振子在交变电压的作用下产生机械振动，若交变电压的振荡频率等于晶体振子本身的固有振荡频率，该振子的机械振动幅度最大。由于第一换能器1-2在运行时温度较高，为降低所述第一换能器1-2的运行温度，并提高所述第一换能器1-2的使用寿命，优选地，所述第一换能器1-2设于第一腔室1-3内，所述第一腔室1-3设于所述第一外壳1-1内，所述第一腔室1-3上相对的两端分别设有气冷流体入口 1-4和气冷流体出口 1-5。优选地，所述第一换能器1-2和所述第一谐振器1-8之间设有耦合层1-6，所述耦合层1-6与所述第一换能器1-2紧密连接，所述耦合层1-6可作为声滤波器，用于滤除不符合清洗要求的兆声波。所述耦合层1-6的材料可为熔点很低的胶水，也可以为设计成多层耦本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片清洗装置，其特征在于，所述装置包括用于承载晶片的晶片承载单元、设置于所述晶片承载单元上方的晶片正面兆声波清洗喷头、设置于所述晶片承载单元内的晶片背面兆声波清洗単元、旋转轴、中空管、喷淋臂、喷淋臂电机、以及晶片旋转电机，所述晶片正面兆声波清洗喷头上设有液体进入口、且下侧设有与所述液体进入口连通的液体喷出ロ，所述喷淋臂与所述晶片正面兆声波清洗喷头连接，所述喷淋臂与所述喷淋臂电机的转子连接，所述晶片旋转电机的转子与所述旋转轴连接，所述旋转轴与所述晶片承载单元的中心连接，所述旋转轴的轴心设有中空管，所述中空管内设有背面供液管，所述晶片背面兆声波清洗単元固定于所述中空管上。2.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述装置还包括控制单元，所述喷淋臂电机与所述晶片旋转电机分别与所述控制单元连接。3.如权利要求I所述的装置，其特征在于，所述晶片正面兆声波清洗喷头包括第一外壳、第一换能器、以及第ー谐振器，所述第一谐振器设于所述第一换能器与所述晶片承载单兀之间，所述第一换能器和第一谐振器均设于所述第一外壳内。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一换能器设于第一腔室内，所述第一腔室设于所述第一外壳内，所述第一腔室上相对的两端分别设有气冷流体入口和气冷流体出口。5.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一换能器和所述第一谐振器之间设有耦合层，所述耦合层与所述第一换能器紧密连接。6.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一谐振器上设有孔阵列，所述孔阵列中的孔轴...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，吴仪，张豹，蔡家骏，初国超，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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