【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种复合材料的制备方法,尤其是涉及。
技术介绍
石墨烯是单原子厚度的碳原子层,它可以看作富勒烯、碳纳米管、石墨的基本单元。石墨烯作为一种纳米材料,具有优异的力学性能、热性能以及吸附性能,如高杨氏模量(约 llOOGPa)、热导率(约 5000J· (m · K · s)—1)、载流子迁移率(2X IO5Cm2 · (V · s)—1)以及比表面积(理论计算值2630m2 · g—1)等。但是,由于石墨烯材料本身缺乏有效的带隙,使其在电子器件的应用受到了限制。然而,石墨烯纳米带由于量子限域效应和边缘效应而拥有能隙,具有半导体性能,这种独特的性质使其近年来受到高度关注。石墨烯纳米带,是在二维石墨烯平面的基础上,经过一定的剪切而形成的带状结构。石墨烯纳米带能够由碳纳米管作为原料来制备。斯坦福大学的Jiao等人用等离子体刻蚀多壁碳纳米管的方法制备出高产率、边缘光滑、宽度可控的石墨烯纳米带(Nature,2009,458,877-880)。莱斯大学的Dmitry等人用溶液氧化法制备产率接近100%的石墨烯纳米带(Nature,2009,458,872-876 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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