一种去除四氯化锗中含氢杂质的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种去除四氯化锗中含氢杂质的方法和装置，其特征是在精馏釜上部的精馏塔塔柱顶部有根管路I，管路II一端与尾气吸收装置内联接，管路另一端与冷却系统和电磁铁YA1联接，管路I依次与冷却系统、出料电磁摆头、过渡瓶、鼓泡瓶、缓冲瓶A、缓冲瓶B、缓冲瓶C、缓冲瓶D和真空泵M联接后，真空泵(M)另一端再与尾气吸收装置联接接通；过渡瓶的另一尾气出口通过管路依序与液位瓶和尾气吸收装置联接；出料电磁摆头通过管路I分别与废料瓶、取样口和产品罐接通。本实用新型专利技术的优点是：工艺过程简单，操作方便，可以很好地去除四氯化锗中的含氢杂质，具有较高的工业使用价值。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高纯度光纤用四氯化锗的提纯装置。属稀散金属冶金领域。
技术介绍
闻纯四氣化错广品是生广闻品级石英系光纤不可缺少的关键原料，其用途是提闻光纤的折射指数，降低光损耗，进而提高光纤的传输距离。由于高纯四氯化锗的金属及含氢杂质含量和分布决定着光纤的重要性能指标，其质量直接影响着光纤的质量。因此，对高纯四氯化锗中金属杂质(Fe、Co、Cr、Mn、Cu等)和含氢杂质(0H、CH、HC1)的含量要求极低。目前广泛应用的高纯四氯化锗精馏工艺，虽能较好地去除金属杂质(Fe、Co、Cr、 Mn、Cu等)，但无法有效地去除含氢杂质(0H、CH、HC1);即使是单独采用氯化氢气体或无水氯气来提纯四氯化锗，也只能去除砷和其他类似的杂质，而不能将含氢杂质去除。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术存在的不足，提出一种能够有效去除四氯化锗中含氢杂质(OH、CH和HCl)的装置，得到满足光纤生产的光纤用四氯化锗产品。本技术的技术方案是一种去除四氯化锗中含氢杂质的装置，其特征是在精馏釜(3)上部的精馏塔塔柱顶部有根管路I (I)，管路II 一端与尾气吸收装置(I)内联接， 管路II另一端与冷却系统(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王少龙，周廷熙，王瑞山，匡子登，何斌，方锦，侯明，
申请(专利权)人：云南驰宏锌锗股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：