一种投射式电容式触摸屏制造方法技术

本发明专利技术公开了一种投射式电容式触摸屏制造方法，其包括：对玻璃基片进行平板清洗、热烘干燥；在玻璃基片的一面上进行真空镀五氧化二铌膜；在五氧化二铌膜的一面上进行真空镀二氧化硅膜；在二氧化硅膜的一面上以及玻璃基片的另一面上进行真空镀铟锡氧化物膜，得到触控屏面板。本发明专利技术一种投射式电容式触摸屏制造方法制造的产品铟锡氧化物电极图案不明显，消隐效果明显，而且实现了高性能触控屏面板产品的大批量、高效率、低成本的生产作业要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触摸屏生产制造
，尤其是。
技术介绍
触摸屏作为一种新型的人机交互界面，广泛地应用于各种数字信息系统上，从小型产品如手机、PDA、数码产品、e-Book,到中型产品如车载导航仪、游戏机、家用电器、工控仪器，再到大型产品如POS系统、公共查询系统、便携电脑、医疗仪器以及电视新闻节目中常用的触摸式TOP上都可以看到触摸屏产品。随着iPhone手机的推出，在手机上应用触摸屏已成为一种流行风尚，加之触摸屏在车载导航仪GPS上的应用，因此对触摸屏的需求越来越大，其市场前景十分可观。过去主宰触摸技术市场的技术为电阻式触摸技术,苹果率先在iPhone手机中采用电容式触摸技术，所提供的友好人机界面及良好的多点触控操作性能，使其受到了市场的追捧，这是电阻式触摸面板无法实现的。随着iPhone的推广，目前已有多家大型的手机厂商，如NOKIA、SUMSUNG、LG等公司都已开发出电容式触摸屏手机。逐步推广，平板电脑触摸屏市场将从2007年的9亿美元增加到2009年的20亿美元。全球著名市场研究公司DisplaySearch发表的最新研究报告称,到2015年该市场的规模将达33亿美元，电容触摸屏出货量将达6. 6亿件。电容式触摸屏在使用时几乎没有磨损，性能稳定，使用寿命长达10年以上。产品一致性好、成品率高。而且随着工艺进步，它的成本不断下降，其正在逐步取代电阻式触摸屏。目前，国内电容屏厂家尚处于起步阶段，未来80%触摸屏市场均为电容式触摸屏。投射式电容触控面板模块的组成有触控感应玻璃，其中触控感应玻璃为单或双面铟锡氧化物(Indium tin oxide,简称IT0)玻璃,其中进行线路图形的制作步骤繁琐,制程时间与成本高居不下，良率也不高，属于高价产品，厂商能否在制程上加以改善与改进成为获利的关键。传统上，在玻璃的正面镀上100Q左右方阻的ITO膜层，再次清洗镀反面镀上100Q左右方阻的ITO膜层其透过率仅在87%左右，如图I所示。因为为仪器截图，所以解释图中所示英文含义，其中，Illuminant表示光源，WHITE表示白光，Medium表示介质，AIR表示空气，Substrate表示基板，GLASS表示玻璃，Exit表示出口，通道，Detector表示探测器，IDEAL表示理想的，Angle表示角度，Reference表示基准，Polarization表示极化，Transmittance表不透光率，Wavelength表不波长。ITO膜层规格通常受触摸屏面板透过率、图案(Pattern)可见度、IC驱动能力的限制，故在传统工艺的生产控制上，工艺相对较为复杂，良率较低，成本相对较高，具体分析如下 一、高透率产品Tr>90% I.通常通过ITO方阻增大，减小ITO膜层厚度，从而达到提高透过率的目的；如通过增加二氧化硅(Si02)厚度也可以达到增透的效果，但需增加几倍厚度以上，且容易存在色偏和膜层脱落现象，一般Si02厚度只能控制在900A以下； 2.ITO方阻增大，使得ITO电极走线电阻均匀性变差，特别是在5寸以上的中大尺寸触摸屏面板面板产品上，从而导致触摸屏面板线性度变差，灵敏度也受到较大的影响； 3.ITO方阻增大，使得ITO电极走线电阻变大，增加IC驱动的难度，从而降低触摸屏面板灵敏度和线性度 4.ITO方阻增大，使得ITO层在后续的黄光热制程中受热时，阻值变化增大，从而无法满足IC的驱动要求； 二、中大尺寸高性能触摸屏面板产品 1.通常通过ITO方阻减少，增加ITO膜层厚度，从而达到提高触摸屏面板性能的目的；2.ITO膜层的增加，使得触摸屏面板整体透过率会偏低Tr〈88%，无法满足高透过的要求； 3.ITO膜层增加，使得ITO走线电极的Pattern图案异常明显，严重影响视觉外观效果，无法满足中高端电子产品的要求。综上所述，目前传统的ITO膜层镀膜技术很难满足现阶段高性能触摸屏面板产品的要求，现阶段只能通过收严ITO膜层规格、黄光制程尽可能使用低温制程来进行，生产效率较低，且良率较低，无法满足高性能触摸屏面板产品的大批量、高效率、低成本的生产作业要求。
技术实现思路
为解决上述现有产品ITO电极Pattern图案明显，无法满足大批量、高效率、低成本的生产作业要求问题，本专利技术采用如下技术方案 ，其包括 对玻璃基片进行平板清洗、热烘干燥； 在玻璃基片的一面上进行真空镀五氧化二铌(Nb205)膜； 在Nb205膜的一面上进行真空镀Si02膜； 在Si02膜的一面上以及玻璃基片的另一面上进行真空镀ITO膜，得到触控屏面板。进一步地，对玻璃基片加热温度为280°C。进一步地，Nb205膜厚为5 10nm。进一步地，Si02膜厚为20 45nm。进一步地，临近Si02膜的ITO膜厚为2(T45nm，临近玻璃基片的ITO膜厚为10 25nm。进一步地，所述的，还包括 检验触控屏面板的各项参数，将合格触控屏面板和不合格触控屏面板区别输出； 将合格触控屏面板进行包装。本专利技术的有益效果在于本专利技术制的的产品ITO电极Pattern图案不明显，消隐效果明显，而且实现了高性能触控屏面板产品的大批量、高效率、低成本的生产作业要求。附图说明图I为现有技术产品对应的Nb+ITO透过率曲线示意 图2为本专利技术的流程示意 图3为本专利技术对应产品的Nb+ITO透过率曲线示意图。具体实施例方式下面结合附图详细说明本专利技术的优选实施例。请参阅图2，其是本专利技术的流程示意图。本专利技术提供，其包括以下步骤 步骤SI、对玻璃基片进行平板清洗、热烘干燥； 对玻璃基片加热温度为280°C。步骤S2、在玻璃基片的一面上进行真空镀Nb205膜； 镀膜室传动速度频率为0. 5m/min, Nb溅射功率170kW、02流量为120sccm、Ar流量100 220sccm、真空度 2. 6 X IO-IPa 5. 5 X IO-IPa 之间，总气压为 0. 260 0. 55Pa,使用2个Nb靶进行镀Nb205膜。较佳地，Nb205膜厚为8nm。通常，Nb205膜厚为5 10nm。步骤S3、在Nb205膜的一面上进行真空镀Si02膜； 较佳地，Si02膜厚为20nm。通常，Si02膜厚为2(T45nm。步骤S4、在Si02膜的一面上以及玻璃基片的另一面上进行真空镀ITO膜，得到触控屏面板。采用单面ITO镀膜工艺技术，通过图形设计，OC胶绝缘和MoAIMo塔桥，实现高端投射式电容式触摸屏所有功能，提高了成品合格率，降低生产成本为实现中高端TP产品产业化打下了良好的技术基础。其中，临近Si02膜的ITO膜厚为2(T45nm，临近玻璃基片的ITO膜厚为l(T25nm。进一步地，在上述步骤之后，还可以包括如下步骤 检验触控屏面板的各项参数，将合格触控屏面板和不合格触控屏面板区别输出； 将合格触控屏面板进行包装。在申请人实际实验中，通过以上流程的镀制，可以一次性镀成透过率达到90%以上的触控屏面板，其透过率提高了 2%，能使屏幕显示分辨率更高。其基本性能如下 1.透过率Tr彡90%； 2.Nb 单面 ITO 产品3(Tl00Q/方 ±30% ; 3.附着力使用百格刀在基板上划I平方毫米的方格，用3M6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：温景成，陈炳森，张德钦，
申请(专利权)人：福建连城天域高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：