一种电容式触摸显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种电容式触摸显示器，以解决现有的生产流程较多造成的成本过高的问题。上述新型电容式触摸显示器包括自下而上的：下偏光片；TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括第一玻璃基板以及位于所述第一玻璃基板上侧的TFT阵列；接触式传感层；上偏光片；保护层。可以看出，本发明专利技术公开的电容式触摸显示器由于采用了一体化结构，利用现有的TFT阵列生产线直接制作即可完成产品的生产过程，使制作流程更加简化，提高了生产效率，从而解决了上述问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于触控显示器件
，尤其涉及一种电容式触摸屏显示器。
技术介绍
目前的电容式触摸屏显示器，包括液晶显示器部分和电容式触摸屏部分，其中，液晶显示器部分和电容式触摸屏部分是分别独立进行生产的。液晶显示器部分和电容式触摸屏部分各自生产完成后，再将电容式触摸屏部分设置于该液晶显示器部分的上方，使其组合成一体，以实现电容式触摸屏显示器的触控效果。进行组合操作的时候，或者采用直接的机械组合，通过主机的边框或其他方式使电容式触摸屏部分与液晶显示器部分的位置固定；或者用胶水将其粘合。采用上述技术方案生产的电容式触摸屏显示器，由于需要单独进行生产，生产完成后再进行组合，难以在同一条生产线上完成，生产流程较多，导致生产成本过高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种新型电容式触摸显示器，以解决现有技术的电容式触摸屏显示器由于生产流程较多，导致生产成本过高的问题。为了解决上述问题，提出的技术方案如下一种电容式触摸显示器，包括自下而上的下偏光片；TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括第一玻璃基板以及位于所述第一玻璃基板上方的TFT阵列；接触式传感层；上偏光片；保护层。优选的，所述接触式传感层包括自下而上的第二玻璃基板；金属层；第一绝缘层；ITO 电极层；第二绝缘层或者保护层。优选的，所述金属层包括单层金属膜或多层金属膜。优选的，所述单层金属膜具体为Mo单层金属膜或者Mo合金单层金属膜。优选的，所述多层金属膜包括第一层金属膜和第二层金属膜；所述第一层金属膜具体为Mo金属膜或者Mo合金金属膜；所述第二层金属膜具体为Al金属膜或者Al合金金属膜。优选的，所述第一绝缘层具体为无机绝缘层或者有机绝缘层。优选的，所述无机绝缘层具体为SiNx绝缘层、SiOx绝缘层或者SiNOx绝缘层； 优选的,所述有机绝缘层具体为树脂绝缘层。优选的，所述ITO电极层具体为透明导电膜。从上述的技术方案可以看出，本专利技术公开的新型电容式触摸显示器，由于采用了电容式触摸屏与液晶显示器的一体化结构，在TFT阵列上直接制作即可完成产品的生产过程，制作流程简化，提高了生产效率，从而降低了生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是本专利技术实施例公开的新型电容式触摸显示器的结构示意图；图2是本专利技术实施例公开的新型电容式触摸显示器中Touch Sensor的结构示意图。具体实施例方式为了引用和清楚起见，下文中使用的技术名词、简写或缩写总结解释如下。Touch Sensor :接触式传感器。Cover-Iens :保护盖板。TFT Thin film Transistor,薄膜场效应晶体管,指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动，从而做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。ITO Indium Tin Oxides,铟锡氧化物,具有很好的导电性和透明性，同时可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及红外线。CTP:电容触控屏。为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例公开了一种电容式触摸显示器，以解决现有电容式触摸显示器的电容式触摸屏和液晶显示器需要单独制作而造成的生产流程较多，导致生产成本过高的问题。图I所示为本专利技术公开的电容式触摸显示器的结构示意图，包括自下而上的下偏光片 11、TFT 阵列基板 12、Touch Sensor 13、上偏光片 14、Cover_lensl5。偏光片是影响液晶屏显示效果的关键组件。上述下偏光片11和上述上偏光片14主要用于将自然光转换成直线偏光，使与电场呈垂直方向的光线通过，提高透光率和视角范围，让液晶显示面板正常显示影像。上述TFT阵列基板12包括 第一玻璃基板以及位于上述第一玻璃基板上的TFT阵列，所述TFT阵列是对液晶进行驱动的电路基板。上述Touch Sensor 13主要用于实现电容式触摸屏的功能,此外,还具有遮光和屏蔽电磁干扰的作用，节省了遮光层和屏蔽层的制作，减少工艺制作流程，节约成本。上述Cover-Iens 15的作用为保护位于其下面的上偏光片14不受损坏。上述技术方案中，由于采用了电容式触摸屏部分和液晶显示器部分的一体化，实现了在TFT阵列上直接制作，制作流程简化，提高了生产效率，从而降低了生产成本。在本专利技术的其他实施例中，上述Touch Sensor 13的结构示意如图2所示,具体包括自下而上的第二玻璃基板21;金属层22 ；第一绝缘层23 ；ITO 电极层 24 ；第二绝缘层或者保护层25。本技术方案中，由于对上述第二层玻璃基板21进行了充分的利用，因此本实施例公开的电容式触摸显示器与现有技术的电容式触摸显示器相比，节省了一层玻璃基板，更加满足了市场上对其轻薄化的要求。在本专利技术的其他实施例中，上述金属层22为单层金属膜或者多层金属膜，主要起走线、架桥、遮光和屏蔽电磁干扰的作用。其中，遮光作用为遮挡环境光对TFT像素的影响，屏蔽电磁干扰作用为屏蔽显示器对CTP触控功能的干扰，屏蔽电磁干扰作用是通过由金属层连接一个固定的电平实现的。当上述金属层22为单层金属膜时，可为Mo单层金属膜或者Mo合金单层金属膜。当上述金属层22为多层金属膜时，具体如下当上述金属层22为双层金属膜时,第一层金属膜可以是Mo金属膜或者Mo合金金属膜，第二层金属膜可以是Al金属膜或者Al合金金属膜。当上述金属层22为三层金属膜时,第一层金属膜可以是Mo金属膜或者Mo合金金属膜，第二层金属膜可以是Al金属膜或者Al合金金属膜,第三层金属膜可以是Mo金属膜或者Mo合金金属膜。上述金属层22也可以是四层及四层以上的层数。其中Mo或者Mo合金金属膜也可以是Ti、Cr、Cu、Ag等金属或者合金的金属膜。在本专利技术的其他实施例中，上述第一绝缘层23可为无机绝缘层或者有机绝缘层。具体的,上述无机绝缘层可为SiNx绝缘层、SiOx绝缘层或者SiNOx绝缘层。具体的，上述有机绝缘层可为树脂绝缘层。在本专利技术的其他实施例中，具体的，上述ITO电极层24为透明导电膜。 对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。权利要求1.一种电容式触摸显示器，其特征在于，包括自下而上的 下偏光片； TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括第一玻璃基板以及位于所述第一玻璃基板上方的TFT阵列； 接触式传感层； 上偏光片； 保护层。2.根据权利要求I所述的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡君文，谢凡，李志成，李建华，柳发霖，洪胜宝，李林，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：