本发明专利技术提供发光装置、照明装置和前照灯，其中，该发光装置具备：发出激发光(L0)的LD芯片(11)；接收由LD芯片(11)发出的激发光(L0)而发出荧光的发光体(40)；具有对发光体(40)所发出的荧光进行反射的光反射凹面(SUF1)的反射镜(90)，且在该发光装置中，在反射镜(90)的光反射凹面(SUF1)的底部附近区域(ER)以外的区域设有贯通孔(90h)，并且该发光装置还具备角锥台状聚光部(21)，该角锥台状聚光部(21)插通所述贯通孔(90h)、且将LD芯片(11)发出的激发光(L0)导向所述发光体(40)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具备发光体的发光装置等，其发光体含有通过激发光的照射发生荧光的荧光体。
技术介绍
近年来,作为激发光源使用发光二极管(LED :Light Emitting Diode)和半导体激光器(LD=Laser Diode)等的半导体发光元件、且通过将这些激发光源产生的激发光照射到含有荧光体的发光体所发生的荧光作为照明光使用的发光装置的研究，正在盛行。作为这样的现有的发光装置的一例，有专利文献I所公开的光源装置和专利文献2所公开的灯具。在该光源装置和灯具中，在反射镜(凹面镜)的底部附近设置至少一个开口，通过该开口向荧光体照射激光。先行技术文献专利文献专利文献I日本公开专利公报“特开2003-295319号公报(2003年10月15日公开)”专利文献2日本公开专利公报“特开2005-150041号公报(2005年06月09日公开)”专利文献3日本公开专利公报“特开2004-241142号公报(2004年08月26公开)，，但是，在上述专利文献I的光源装置和上述专利文献2的灯具中，由于在从荧光体产生的荧光(照明光)的引出效率最高的位置被包括的凹面镜的底部附近设置开口，因此，存在来自反射镜底部附近的照明光的引出效率变低的问题。特别是在专利文献2的灯具中，虽然公开了在反射镜的底部附近设置多个开口的结构，但是在该结构中，开口的数量越增加，来自反射镜底部附近的照明光的引出效率就越低。另外，在专利文献3中公开的前照灯中，包括照明光的引出效率最高的位置的凹面镜的底部的大部分并不存在。还有，在上述说明中，作为在反射镜中包括来自发光体的光束以最高密度入射(即照度最高)的位置的区域的一例，针对凹面镜的底部附近的区域进行了说明。但是，这种区域会根据反射镜的形状、或该反射镜和发光体的位置关系等而变化，因此，包括使来自发光体的光束以最高密度入射的位置的区域并不限于反射镜的底部附近的区域。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题点而做，其目的在于，提供一种来自包括使来自发光体的光束以最高密度入射的位置的区域的照明光引出效率降低能够得以抑制的发光装置等。本专利技术的发光装置，为了解决上述课题，其特征在于，具备发出激发光的激发光源；接收从所述激发光源发出的激发光而发出荧光的发光体；具有反射从所述发光体发出的荧光的光反射凹面的反射镜，在该发光装置中，在所述反射镜的所述光反射凹面中，在来自所述发光体的荧光的照度最高的位置附近的高照度区域之外的区域设有贯通孔，并具备导光构件，该导光构件插通所述贯通孔，将所述激发光源发出的激发光导向所述发光体。尽可能地避免在反射镜中来自发光体的光束与其他部分相比更密地入射(即照度高)的区域(高照度区域)的反射的浪费，这被认为与装置整体的荧光的引出效率的提闻相关。另外，作为这种高照度区域的典型例，可以例举专利文献I的光源装置和专利文 献2的灯具这种凹面镜的底部附近的区域，但在这些技术中，在高照度区域设置贯通孔的构造中，考虑在其中插通导光构件时，不能充分利用荧光(照明光)的引出效率高的高照度区域的反射。因此，在本专利技术的上述构成中，在高照度区域之外的区域设置贯通孔。另外，当然根据本专利技术的上述构成，与反射镜的底部的大部分(高照度区域)不存在的上述专利文献3的前照灯相比较，能够抑制来自高照度区域的照明光的引出效率的降低。还有，在上述说明中，作为高照度区域的一例对凹面镜的底部附近的区域进行了说明。但是，根据反射镜的形状、该反射镜与发光体的位置关系，也包括反射镜的底部附近的区域以外的区域是包括来自发光体的光束以最高密度入射的位置的区域的情况。S卩，高照度区域不限于反射镜的底部附近，也可以是在反射镜的光反射凹面中，包括来自发光体的荧光的照度最高的位置(最高位置附近的)区域。由此，根据上述构成，能够充分利用荧光的引出效率高的高照度区域的反射，因此，能够抑制来自包括发光体的光束以最高密度入射的位置的区域的照明光的引出效率的降低。专利技术效果本专利技术的发光装置，如上所述，构成为在上述反射镜的上述光反射凹面中，在来自所述发光体的荧光的照度最高的位置附近的高照度区域之外的区域设有贯通孔，并具备导光构件，该导光构件插通所述贯通孔，将所述激发光源发出的激发光导向所述发光体。由此，能够实现抑制来自包括发光体的光束以最高密度入射的位置的区域的照明光的引出效率的降低的效果。本专利技术的其他目的、特征和利点根据下述记载能够充分理解。另外，本专利技术的优点参照附图根据如下说明可以明白。附图说明图I是表示本专利技术的一个实施方式的前灯在沿铅垂方向切断时的概略结构的剖面图。图2是表示所述前灯从正面(相对于纸面以近身侧为正面)观看时的概略结构的正视图。图3是关于所述前灯、且示出激发光源的具体例的图，(a)表示激发光源的一例(LED)的电路，(b)表示所述LED的外观从正面看时的样子，(c)表示所述激发光源的另一例(LD)的电路，(d)表示所述LD的外观从斜右侧看时的样子。图4是表示汽车用的前灯(近光灯/远光灯)所要求的配光图案或配光特性的图，(a)表示汽车用前灯(近光灯/远光灯)所要求的配光图案，(b)表示近光灯所要求的配光特性。图5是本专利技术的其他实施方式的前灯从正面观看时的概略结构的正视图。图6是对来自发光体的荧光的高照度区域进行说明的图，(a)表示来自发光体的荧光的放射密度各向同性时的高照度区域的样子，(b)表示放射密度各向异性时的高照度区域的样子。符号说明11 LD芯片(激发光源)21角锥台状聚光部(导光构件)40发光体90反光镜(反射镜)90h贯通孔110前灯(发光装置，照明装置，前照灯)120前灯(发光装置，照明装置，前照灯)130 LED芯片(激发光源)B 位置0角(插通方向和铅垂方向所成的角)ER底部区域(高照度区域)LO激发光LI照明光(荧光)SUFl光反射凹面具体实施例方式如果基于图I 图6对于本专利技术的一个实施方式进行说明，则如下。对于在以下的特定的项目进行说明的构成以外的构成，虽然根据需要存在省略说明的情况，但在其他项目进行说明时，其构成相同。另外，为了方便说明，对于与各项目所示的构件具有相同功能的构件，标注相同符号，并适当地省略其说明。还有，虽然以下说明的前灯(发光装置、照明装置、前照灯)110和前灯(发光装置、照明装置、前照灯)120的各形态均作为前照灯或投影仪的发光装置部(发光部)进行说明，但本专利技术的具体化的形态并不限于这些形态，也能够适用于前照灯或投影仪以外的照明装置的发光装置部等。首先，基于图I和图2对本专利技术的一个实施方式的前灯110的概略结构进行说明。图I表示本专利技术的一实施方式的前灯110在沿铅垂方向(x-z平面)切断时的概略结构的剖面图。另外，图2是表示前灯110在从正面(相对于纸面以近身侧为正面)看时的概略结构的正视图。如图I和图2所示，前灯110是如下的装置，其具备合计4个的LD芯片(激发光源)11、角锥台状聚光部(导光构件)21、发光体40和反光镜(反射镜)90，并且将照明光(荧光)LI投向反光镜90的外部。(LD芯片11)LD芯片11是单芯片单条纹的半导体激光器，将振荡波长为405nm、光输出为I. 5ff(瓦特)的GaN系的半导体激光器芯片实装在Φ5. 6mm的封装上。另外，在本实施方式中，如上所述，LD芯片11合计使用4个本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：岸本克彦，伊藤茂稔，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：
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