一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法技术

本发明专利技术提供了一种制备晶体硅太阳能电池沉积减反射薄膜的方法，包括以下步骤：在反应装置中充入氮气，将反应装置中的温度升至反应温度；在预反应压强下，以恒定流量向反应装置中充入氨气，在反应装置中发射预反应射频，使其保持一段时间；预反应压强不变、反应射频下，向反应装置中充入硅烷，使氨气与硅烷以第一流量比进入反应装置，持续沉积120-200s；预反应压强、反应射频均不变，再次向反应装置中充入硅烷，使氨气与硅烷以流量比为8∶1-10∶1的比例进入反应装置中，持续沉积500-700s。本方法使氮化硅减反射薄膜的钝化和减反射效果均得到了提高，并最终实现了提高太阳能电池片的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，更具体地说，涉及。
技术介绍
太阳能光电产业作为21世纪的ー种新型产业，受到了人们的普遍关注，其原因除了全球石化能源价格不断上涨之外，另ー个重要原因就在于在人们的不懈努力之下，太阳能电池的光电转换效率已经提高到了比较实用的范围，在一定程度上改变了人们的生活。太阳能电池在进行光电转换的过程中，除了吸收一部分的阳光以实现光电转换夕卜，不可避免的还会反射一部分阳光，从而造成了太阳能的浪费。所以为了減少太阳能电池对阳光的反射，在太阳能电池的生产过程中，一般会在太阳能电池的表面设置氮化硅减反射薄膜，以减少太阳能电池对阳光的反射，使得其能够吸收更多的阳光，提高太阳能电池的光电转换效率(光电转换效率太阳光入射到太阳能电池内，转换成的电能与太阳能的百分比，值越大，代表太阳光利用率越高)。在太阳能电池生产的过程中，氮化硅减反射薄膜是通过PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 的英文缩写，等离子增强化学气相沉积，一种借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵学玲，范志东，孙小娟，李倩，王志国，吝占胜，冉祖辉，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：