用于制作薄膜太阳能电池的薄膜化合物的靶材、薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池技术

一种用于制作薄膜太阳能电池的薄膜化合物的靶材，其特征在于所述的靶材的结构为CuB1-xCxSeyS2-y，其中，B和C分别选自于IIIA族元素，x介于0～1，y介于0～2，此外，本发明专利技术还披露一种利用所述的靶材制作薄膜太阳能电池的方法，及由此方法制得的薄膜太阳能电池，特别的是，利用所述的靶材制作出的薄膜太阳能电池的薄膜化合物具有实质呈柱状的晶粒结构，并且，藉由调整制作方法中溅镀时的工作压力，可得到具有不同能隙的薄膜化合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制作薄膜太阳能电池的薄膜化合物的靶材、一种薄膜太阳能电池的制作方法及一种薄膜太阳能电池，特别是涉及一种用于以溅镀制程制作CIGS薄膜太阳能电池的薄膜化合物的靶材、一种CIGS薄膜太阳能电池的制作方法及一种CIGS薄膜太阳能电池。
技术介绍
薄膜太阳能电池的种类繁多，其中，CIGS薄膜太阳能电池因具有最高的光电效率， 光吸收范围视铟、镓的含量从1.02eV至1.68eV，光吸收率a大于IO4 IO5CnT1,所需光电材料厚度不超过I U m、99%以上的光子均可被吸收，粗估量产时所需的成本仅约0. 03美元 /W，是目前最受到重视的薄膜太阳能电池。参阅图1，CIGS化合物薄膜太阳能电池100的基本结构包含一块基材11、一个形成在所述的基材11上的背电极12、一层自所述的基材11向上形成并盖覆所述的背电极12 的化合物薄膜13，及一个形成在所述的化合物薄膜13上的顶电极14。所述的基材11通常使用的材料是玻璃、具有挠性的金属或是合金箔或是高分子材料；所述的背电极12是以钥靶材镀制0. 5 y m I. 0 U m而成，利于载子传导；所述的化合物薄膜13是由I. 5 i本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖志煌，陈家庠，陈奕璋，
申请(专利权)人：赖志煌，
类型：发明
国别省市：